公共文化服务平台

共 1 条记录，以下是 1-1

全选清除导出

排序方式：

离子注入法制备GaN∶Er薄膜的Raman光谱分析被引量：3: 2013年; 对离子注入法制备的u-,n-和p-GaN∶Er三种类型的薄膜样品进行了Raman光谱分析。Er+注入GaN样品后新出现了293,362和670cm-1等波数的Raman峰,其中293cm-1处的Raman峰被指认为无序激活的Raman散射(DARS),362cm-1和670cm-1处的Raman峰可能与离子注入后形成的GaN晶格缺陷有关。上述GaN∶Er样品在800℃退火前后的E2(high)特征峰均向高频方向移动,表明薄膜晶格中均存在着压应力。采用洛伦兹拟合分析了Raman光谱中组成A1(LO)模式峰的未耦合LO模与等离子体激元耦合模LPP+在不同样品中的出现情况,定性指出了GaN∶Er系列样品中载流子浓度的变化规律。; 陶东言刘超尹春海曾一平; 关键词：氮化镓离子注入稀磁半导体 RAMAN光谱

全选清除导出

共1页<1>

尹春海