陶东言
- 作品数：3 被引量：5H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- Ⅲ族氮化物基稀磁半导体薄膜材料的研究
- Ⅲ族氮化物基稀磁半导体是近年来在自旋电子学研究领域中受到广泛关注的研究热点和最有希望获得室温以上铁磁性的稀磁半导体材料之一。本文介绍了近两年来采用双能态离子注入法或两种元素共注入法在MOCVD外延生长的GaN、AlGaN...
- 刘超尹春海陶东言李建明徐嘉东曾一平
- 关键词：稀磁半导体室温铁磁性离子注入
- 文献传递
- AlN原料的钨网炉高温提纯被引量：2
- 2015年
- 商品氮化铝粉料中含有高浓度的氧、碳及金属杂质,需经过高温提纯处理后才能用于物理气相法氮化铝晶体生长。与感应加热相比,钨网电阻加热可有效避免碳、氧等的二次沾污,势必具有良好的提纯效果。本文采用钨网炉对AlN原料进行高温烧结提纯处理,通过X射线能谱仪(EDS)、气体分析技术(IGA)和辉光放电质谱仪(GDMS)对烧结处理后AlN的杂质含量进行了测试分析,结果表明经钨网炉高温烧结处理后,AlN原料中杂质含量明显降低,其中的氧、碳去除效果显著。还进一步分析了杂质挥发、原料损耗随温度、时间变化的规律。
- 刘京明刘彤杨俊陶东言段满龙董志远赵有文李百泉
- 关键词：氮化铝提纯
- 离子注入法制备GaN∶Er薄膜的Raman光谱分析被引量：3
- 2013年
- 对离子注入法制备的u-,n-和p-GaN∶Er三种类型的薄膜样品进行了Raman光谱分析。Er+注入GaN样品后新出现了293,362和670cm-1等波数的Raman峰,其中293cm-1处的Raman峰被指认为无序激活的Raman散射(DARS),362cm-1和670cm-1处的Raman峰可能与离子注入后形成的GaN晶格缺陷有关。上述GaN∶Er样品在800℃退火前后的E2(high)特征峰均向高频方向移动,表明薄膜晶格中均存在着压应力。采用洛伦兹拟合分析了Raman光谱中组成A1(LO)模式峰的未耦合LO模与等离子体激元耦合模LPP+在不同样品中的出现情况,定性指出了GaN∶Er系列样品中载流子浓度的变化规律。
- 陶东言刘超尹春海曾一平
- 关键词：氮化镓离子注入稀磁半导体RAMAN光谱
