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朱延旭

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
发文基金：北京市自然科学基金博士科研启动基金北京市教育委员会科技发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇淀积
  • 1篇衍射
  • 1篇双晶衍射
  • 1篇气相淀积
  • 1篇金属有机物
  • 1篇金属有机物化...
  • 1篇化学气相淀积
  • 1篇P型
  • 1篇X射线双晶衍...
  • 1篇MOCVD生...
  • 1篇INGAN

机构

  • 1篇北京工业大学

作者

  • 1篇徐晨
  • 1篇邢艳辉
  • 1篇沈光地
  • 1篇韩军
  • 1篇邓军
  • 1篇朱延旭

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
MOCVD生长温度控制p型InGaN形貌和电学特性提高LED光功率被引量：1
2011年
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN∶Mg薄膜,通过改变外延生长温度优化p型InGaN∶Mg表面形貌和电学特性。在800℃,InGaN的空穴浓度为1.9×1019cm-3,电阻率较低,通过原子力显微镜观察到粗化的样品表面有很多圆丘,其均方根粗糙度是所有样品中最高的,综合粗化的表面和优化电学特性的p-InGaN接触层的LED光功率提高23%。
韩军邢艳辉邓军朱延旭徐晨沈光地
关键词：金属有机物化学气相淀积X射线双晶衍射
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