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邓军

作品数：144 被引量：213H指数：7
供职机构：北京工业大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 100篇期刊文章
  • 35篇专利
  • 6篇会议论文
  • 3篇科技成果

领域

  • 102篇电子电信
  • 10篇理学
  • 4篇一般工业技术
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇文化科学
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇水利工程

主题

  • 41篇激光
  • 41篇激光器
  • 26篇面发射
  • 25篇面发射激光器
  • 25篇发射激光器
  • 24篇腔面
  • 24篇半导体
  • 23篇垂直腔
  • 23篇垂直腔面
  • 23篇垂直腔面发射
  • 22篇垂直腔面发射...
  • 21篇探测器
  • 21篇MOCVD
  • 20篇金属有机物
  • 19篇红外
  • 19篇二极管
  • 19篇发光
  • 17篇半导体激光
  • 17篇半导体激光器
  • 15篇淀积

机构

  • 144篇北京工业大学
  • 10篇昆明物理研究...
  • 4篇吉林大学
  • 2篇华北光电技术...
  • 1篇云南大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 144篇邓军
  • 97篇沈光地
  • 65篇韩军
  • 58篇李建军
  • 39篇邹德恕
  • 32篇徐晨
  • 31篇郭霞
  • 28篇邢艳辉
  • 26篇廉鹏
  • 20篇杜金玉
  • 17篇董立闽
  • 16篇陈建新
  • 15篇盖红星
  • 14篇俞波
  • 13篇史衍丽
  • 13篇牛南辉
  • 13篇解意洋
  • 13篇渠红伟
  • 12篇刘莹
  • 10篇高国

传媒

  • 15篇光电子．激光
  • 14篇半导体光电
  • 9篇Journa...
  • 9篇物理学报
  • 7篇固体电子学研...
  • 6篇半导体技术
  • 6篇激光与红外
  • 4篇中国激光
  • 3篇量子电子学报
  • 3篇光学学报
  • 3篇功能材料
  • 3篇光电工程
  • 3篇功能材料与器...
  • 2篇红外与激光工...
  • 2篇北京工业大学...
  • 2篇应用物理前沿...
  • 2篇第十三届全国...
  • 2篇第十一届全国...
  • 1篇传感器世界
  • 1篇光学精密工程

年份

  • 6篇2023
  • 2篇2022
  • 3篇2021
  • 1篇2020
  • 3篇2018
  • 6篇2017
  • 6篇2016
  • 6篇2015
  • 4篇2014
  • 6篇2013
  • 5篇2012
  • 3篇2011
  • 2篇2010
  • 7篇2009
  • 9篇2008
  • 9篇2007
  • 15篇2006
  • 20篇2005
  • 15篇2004
  • 3篇2003
共 144 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
新型GaAs/GaAlAs非对称量子阱红外光电导探测器被引量：1
2000年
提出一种新型 Ga As/ Ga Al As子带间光吸收的红外光电导探测机理 ,利用 MOCVD系统进行器件材料的生长 ,研制了 2 0 0μm× 2 0 0μm的台面形式单管 ,测到了明显的红外光电流信号及阱间共振遂穿效应造成的负阻震荡现象 ,对器件的性能测试结果表明 ,器件的光电流响应和信噪比随着阱数增加而增加 ,器件噪声比常规 Ga As/ Ga Al
史衍丽邓军杜金玉沈光地尹洁
关键词：GAALAS非对称量子阱红外探测器砷化镓
隧道带间级联双波长可见光半导体激光器制备被引量：2
2003年
利用金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)一次外延生长了含有2个有源区的隧道带间级联双波长可见光半导体激光器(LD)材料。其隧道结为GaAs。2个有源区分别为AlGaAs单量子阱和GaInP多量子阱。SEM照片表明,材料生长质量良好。用生长的材料制备了双沟深腐蚀结构F P腔激光器。器件的阈值电流为177mA,未镀膜时的单面斜率效率为1.3W/A,远场为单瓣,垂直和水平方向的发散角分别为8°和34°。在输出光功率为100mW时,2个激射波长分别为699nm和795nm,与PL测试结果相一致。
李建军沈光地郭伟玲廉鹏韩军邓军邹德恕
关键词：半导体激光器双波长隧道结
垂直腔面发射激光器的研制
采用低压金属有机化合物气相外延(L P2MOCVD)生长技术,应用AlAs/AlGaAs选择性湿氮氧化技术技术来实现横向的光、电限制,成功地制备了具有较性能的内腔接触式氧化物限制型的顶发射980nm垂直腔面发射激光器.分...
郭霞董立闽达小丽渠红伟邓军杜金玉邹德恕沈光地
关键词：垂直腔面发射激光器特性分析半导体激光器
文献传递
905nm隧道带间级联非耦合双有源区半导体激光器被引量：5
2016年
通过对有源区、波导层、限制层和隧道结的分析,设计了激射波长为905nm的隧道带间级联非耦合双有源区半导体激光器。采用金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)系统外延法生长了器件,并经过光刻、腐蚀、解理和焊装等工艺,制备了激射波长为905nm的隧道带间级联非耦合双有源区半导体激光器。腔面未镀膜时,在1.2A的脉冲注入电流下,器件的峰值波长为904.4nm,垂直远场为单峰,发散角为25.8°,表明两个有源区的光场未发生耦合,斜率效率为1.12 W/A,为相同结构单有源区器件的1.9倍。
司东海李建军付莹莹邓军韩军
关键词：半导体激光器隧道结
应用石墨烯的高探测率氮化镓基肖特基型紫外探测器
应用石墨烯的高探测率氮化镓基肖特基型紫外探测器，其基本结构从下往上依次为重掺杂n型氮化镓、轻掺杂n型氮化镓、二氧化硅绝缘层、金属电极、石墨烯薄膜。金属电极拥有透明、导电的性质，并且拥有半金属性。在和轻掺杂n型GaN直接接...
徐晨许坤孙捷邓军朱彦旭解意洋荀孟
基于石墨烯薄膜的透明电极的制备方法
基于石墨烯薄膜的透明电极的制备方法，在石墨烯薄层与器件表面之间插入ITO纳米薄层；包括以下步骤：将GaN基LED外延片（208）进行清洗；在p-GaN层（203）上制作第一纳米ITO薄层（202），厚度为7-10nm；退...
徐晨许坤孙捷邓军朱彦旭毛明明解意洋郑雷
文献传递
基于共振腔发光二极管的DBR温度特性研究
2023年
分布式布拉格反射镜(DBR)是共振腔发光二极管(RCLED)的主要组成部分,其温度特性对RCLED的性能有着重要影响。基于650 nm红光RCLED,设计出由Al_(0.5)Ga_(0.5)As和Al_(0.95)Ga_(0.05)As组成的DBR结构。首先通过Al_(x)Ga_(1-x)As材料折射率的色散关系分析温度对Al_(x)Ga_(1-x)As材料折射率的影响,进而模拟了DBR反射谱的温度特性,得到随着温度升高DBR反射谱红移的结论,温漂速率为0.048982 nm/℃。通过MOCVD制备出30对Al_(0.5)Ga_(0.5)As和Al_(0.95)Ga_(0.05)As组成的DBR外延结构,并对其进行反射谱测试,发现随着温度升高反射谱出现了红移现象,温漂速率为0.049277 nm/℃,与模拟结果相近,验证了温度升高导致反射谱红移结论的正确性。
任凯兵李建军崔屿峥张振东付聪乐邓军
关键词：温度色散关系
一种在集成电路芯片上直接生长图形化石墨烯的工艺方法
本发明公开了一种在集成电路芯片上直接生长图形化石墨烯的工艺方法，该方法包括以下步骤：将超薄单晶铜箔通过压合的方式贴附在集成电路芯片上作为催化生长石墨烯的基材；通过光刻和腐蚀工序对铜箔进行图形化处理；将芯片置于三温区热CV...
徐晨解意洋钱峰松邓军胡良臣
文献传递
一种在非金属衬底上直接生长石墨烯的方法
一种在非金属衬底上直接生长石墨烯的方法，属于半导体材料生长技术领域。目前在非金属衬底上进行石墨烯的生长需要先将石墨烯生长在金属衬底上，再通过转移的方法将其转移到目标衬底上。这种方法关键的缺陷是转移过程中的非理想因素，即石...
孙捷樊星许坤郭伟玲徐晨邓军
文献传递
低阈值高效率InAlGaAs量子阱808nm激光器被引量：10
2006年
以Al0.3Ga0.7As/InAlGaAs/Al0.3Ga0.7As压应变量子阱代替传统的无应变量子阱作为有源区,实现降低808 nm半导体激光器的阈值电流,并提高器件的效率。首先优化设计了器件结构,并利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)进行了器件的外延生长。通过优化外延生长条件,保证了5.08 cm片内的量子阱(QW)光致发光(PL)光谱峰值波长均匀性达0.1%。对于条宽为50μm,腔长为750μm的器件,经镀膜后的阈值电流为81mA,斜率效率为1.22 W/A,功率转换效率达53.7%。变腔长实验得到器件的腔损耗仅为2 cm-1,内量子效率达90%。结果表明,压应变量子阱半导体激光器具有更优异的特性。
李建军韩军邓军邹德恕沈光地
关键词：激光器金属有机物化学气相淀积
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