李翀
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
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- 特高压晶闸管p^-层穿通和p^+层发射极结构设计被引量：2
- 2014年
- 基于传统晶闸管单扩散p层杂质浓度分布很难协调阻断电压、通流能力、通态压降、反向恢复电荷和关断时间之间的矛盾,无法使特高压晶闸管的通流能力由4 000 A提高到4 500 A。对特高压晶闸管采用低浓度p-层穿透、高浓度p+层发射极结构设计进行了理论分析并进行了工艺实验,测试结果表明,特高压晶闸管在不损失阻断电压(≥8 500 V)前提下,芯片厚度减薄0.05 mm、通态压降下降0.11 V,反向恢复电荷、dV/dt耐量、di/dt耐量、关断时间等得到优化,研制了6英寸(1英寸=2.54 cm)4 500 A/8 500 V特高压晶闸管,并成功应用于±800 kV/7 200 MW特高压直流输电工程中。
- 高山城罗艳红张婷婷赵卫高飞李翀
- 关键词：阻断电压通流能力通态压降关断时间
- 串联晶闸管均压问题分析
- 2019年
- 利用耐压较高的晶闸管构成的主电路可以提高电力电子软启动器,变频器的电压等级。对于更高电压等级的应用,必然涉及晶闸管的串联。提高电压等级可以采用器件串联的技术,包括有组件级串联和装置级串联,我们一般采用但是器件级串联,如果要更大容量的则要用组件级和装置级的串联方式,在最高功率等级我们还用到并联技术。本文对晶闸管串联均压问题进行了原因分析,并提出了合理均压的措施.
- 白雪马艳李翀
- 晶闸管对di/dt耐受性研究
- 2019年
- 晶闸管通态电流上升率di/dt会损坏晶闸管,本文就对此种机理进行了介绍并分析了提高晶闸管器件通态di/dt耐量的设计与工艺。
- 白雪马艳李翀
- 关键词：晶闸管DI/DT
- 浅析晶闸管整流器过电流保护
- 2018年
- 整流器中的晶闸管在承受过电流和电压能力较差，毫秒级的过电压和电流有可能造成晶闸管的损坏，在实践工作中引用整流器要充分考虑到晶闸管的安全裕量外还应该采取多种保护措施确保整流器的顺利运行。
- 李翀
- 关键词：晶闸管过电流
