赵卫
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
- 供职机构：西安电力电子技术研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信文化科学一般工业技术电气工程更多>>
- 刻蚀设备中射频功率全态输出技术的研究
- 2018年
- 本文主要讲述了刻蚀设备在进行工艺时,射频发生器产生的射频信号输出到自动匹配网络,然后输入到工艺腔室的下电极。在整个刻蚀过程中,反射功率无限小,射频功率全态输出,不仅损耗减少,而且可以提高刻蚀效率。
- 赵涛陈黄鹂张琦赵卫
- 关键词：反射功率
- SPC多阶嵌套控制图在SCR扩散工艺中的应用
- 2018年
- 本文介绍了SPC多阶嵌套控制图在SCR扩散工艺中的应用。并以对SCR磷扩散工艺方块电阻的控制为例,详细讲述了如何进行SPC多阶嵌套模型数据采集、计算、控制图绘制及过程能力分析。证明采用此方法可以很好地解决以前扩散工艺存在的数据采集不全面、分析不准确的问题。
- 陈黄鹂赵卫赵涛种晓辉
- 关键词：控制图SCRSPC
- 超声波扫描技术在大功率半导体制造工艺中的应用被引量：1
- 2019年
- 本文通过介绍超声波扫描技术的工作原理、测试方法,利用实验对大功率器件进行现场C扫描测试分析,来诠释其在大功率半导体器件生产过程中的重要性,有效帮助我们判断器件焊接状况的可靠性,进而保证出厂芯片的合格率。
- 赵涛赵卫刘航辉王梦涛
- 关键词：大功率半导体器件检测法塑封料扫描测试检测器件
- 特高压晶闸管p^-层穿通和p^+层发射极结构设计被引量：2
- 2014年
- 基于传统晶闸管单扩散p层杂质浓度分布很难协调阻断电压、通流能力、通态压降、反向恢复电荷和关断时间之间的矛盾,无法使特高压晶闸管的通流能力由4 000 A提高到4 500 A。对特高压晶闸管采用低浓度p-层穿透、高浓度p+层发射极结构设计进行了理论分析并进行了工艺实验,测试结果表明,特高压晶闸管在不损失阻断电压(≥8 500 V)前提下,芯片厚度减薄0.05 mm、通态压降下降0.11 V,反向恢复电荷、dV/dt耐量、di/dt耐量、关断时间等得到优化,研制了6英寸(1英寸=2.54 cm)4 500 A/8 500 V特高压晶闸管,并成功应用于±800 kV/7 200 MW特高压直流输电工程中。
- 高山城罗艳红张婷婷赵卫高飞李翀
- 关键词：阻断电压通流能力通态压降关断时间
- 镀厚膜工艺技术研究
- 2008年
- 通过分析现有镀膜工艺设备的电子束加热原理、结构和热量损耗,并针对实际应用过程中镀膜存在的问题,提出了对现有设备的改进措施,开发出一种新的镀厚膜工艺,较好解决了芯片镀厚膜的工艺技术难题和存在的镀厚膜工艺质量问题,大大提高了镀厚膜工艺的工作效率,极大地改善了特高压超大功率电力电子器件的电性能参数,收到了良好的效果。
- 高建峰邓宏洲高山城赵卫
- 关键词：镀膜
