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马峻

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：天津理工大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇硫化
  • 3篇硫化钼
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇晶格
  • 2篇二硫化钼
  • 2篇层递
  • 2篇超晶格
  • 2篇超晶格材料
  • 1篇低阻
  • 1篇电极
  • 1篇叠层
  • 1篇叠层结构
  • 1篇氧化物
  • 1篇片层
  • 1篇二元氧化物
  • 1篇层结构

机构

  • 3篇天津理工大学

作者

  • 3篇王芳
  • 3篇张楷亮
  • 3篇李悦
  • 3篇马峻
  • 2篇袁育杰
  • 2篇李微
  • 2篇白鹤
  • 1篇苗银萍
  • 1篇冯玉林

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种大面积超薄石墨烯/二硫化钼超晶格异质材料
一种大面积超薄石墨烯/二硫化钼超晶格异质材料，采用层递式转移方法制备的由石墨烯和二硫化钼薄膜构成的多层薄膜，石墨烯的厚度是0.34‑2nm，面积要求是0.25mm<Sup>2</Sup>‑1cm<Sup>2</Sup>，...
张楷亮白鹤马峻王芳李悦李微袁育杰
文献传递
一种二维纳米硫化钼片层/二元氧化物叠层结构阻变器件
一种二维纳米硫化钼片层/二元氧化物叠层结构阻变器件及其制备方法，提供了一种新型阻变器件由下电极、阻变层和上电极依次叠加构成，其中阻变层由二维纳米硫化钼片层和二元氧化物叠层结构构成。本发明利用插入的二维纳米硫化钼片层与二元...
张楷亮李悦冯玉林王芳方明旭唐登轩苗银萍马峻
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一种大面积超薄石墨烯/二硫化钼超晶格异质材料
一种大面积超薄石墨烯/二硫化钼超晶格异质材料，采用层递式转移方法制备的由石墨烯和二硫化钼薄膜构成的多层薄膜，石墨烯的厚度是0.34‑2nm，面积要求是0.25mm<Sup>2</Sup>‑1cm<Sup>2</Sup>，...
张楷亮白鹤马峻王芳李悦李微袁育杰
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