您的位置： 专家智库 > >

何少博

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院更多>>
发文基金：甘肃省科技支撑计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基二极管
  • 1篇硅基
  • 1篇二极管
  • 1篇场限环
  • 1篇V

机构

  • 1篇电子科技大学
  • 1篇兰州大学

作者

  • 1篇刘肃
  • 1篇王朝林
  • 1篇王一帆
  • 1篇何少博

传媒

  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
300V以上硅基新型JBS肖特基二极管的制备被引量：2
2011年
为了在保留传统肖特基二极管正向压降低、电流密度大优点的基础上,使其反向击穿电压提高到了300 V以上,我们采用硅材料做为衬底,肖特基结区采用蜂房结构,终端采用两道场限环结构加一道切断环结构,所制备的肖特基二极管在正向电流10 A时,正向压降仅为0.79 V;同时在施加300 V反向电压时,反向漏电流在5μA以下。
王一帆王朝林刘肃何少博
关键词：肖特基二极管场限环
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0