刘肃
- 作品数：112 被引量：181H指数：7
- 供职机构：兰州大学更多>>
- 发文基金：甘肃省自然科学基金国家自然科学基金甘肃省科技支撑计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术文化科学更多>>
- 复合结构的静电感应器件被引量：6
- 1996年
- 复合结构的静电感应器件李思渊，刘肃，刘瑞喜，杨建红（兰州大学）关键词静电感应器件，复合结构，Ｉ～Ｖ特性表面栅结构（Ｓ－－８）和埋栅结构（ＨＳ）作为静电感应器件的基本结构已由若干作者进行过研究”－”．近几年我们采用了一种介于上述两种结构之间的结构（用０...
- 李思渊刘肃刘瑞喜杨建红
- 关键词：静电感应器件复合结构
- SITH交流电子调节器的研制
- 1991年
- 本文介绍了国内新研制的静电感应晶闸管(SITH)应用研究之一。作者所研制的SITH交流电子调节器可对输出功率在500W以内的各种电器通过调节导通角进行无段控制,可广泛应用于白炽灯、电熨斗、电风扇等家用电器或其它电器的连续调光、调热、调转速等。该调节器结构合理、性能稳定、安全可靠;对元件参数要求不苛,易于制做和调试,若能组织规模生产,其经济效益和社会效益是显著的。
- 康宁王迎春刘肃桑保生
- 关键词：电子调节器SITH静电感应晶闸管
- 台面刻蚀深度对埋栅SITH栅阴击穿的影响
- 2009年
- 针对台面刻蚀深度对埋栅型静电感应晶闸管(SITH)栅阴击穿特性的影响做了实验研究。实验结果表明,随着台面刻蚀深度的增大,器件栅阴击穿由原来的软击穿变为硬击穿,同时击穿电压升高,SITH设计了独立的台面槽,并研究了台面刻蚀深度与栅阴击穿电压和栅阴击穿特性间的关系,指出台面刻蚀深度的增加可以有效减弱表面电荷和表面缺陷对器件的影响,改善栅阴击穿曲线,提高栅阴击穿电压。同时,还简要描述了这种器件的制造工艺。
- 岳红菊刘肃王永顺李海蓉
- 关键词：静电感应晶闸管台面刻蚀
- 应用于A/D转换器中的基准电压源的设计被引量：3
- 2003年
- 基准电压源是A/D转换器中非常重要的模块,它的稳定性直接影响着A/D转换器的性能。在TSMC0.18μm/3.3VN wellCMOS工艺条件下,温度系数可达十几个ppm/℃。在频率等于100kHz时,PSRR达到54dB,功耗只有0.25mW。
- 刘肃刘丰
- 关键词：基准电压源A/D转换器CMOS电源抑制比
- 基于功率MOS线性高压放大器设计被引量：1
- 2010年
- 为了实现对输出高压的线性控制,基于功率MOSFET的电学特性,运用NMOS功率管设计一种新结构的高压运算放大器,通过模拟仿真和实验测量结果表明,当输入电压为0~5 V时,电路可实现0~50 V的线性输出,并且通过加入PMOS功率管进一步改进电路,可得到正负高压的输出,模拟仿真为-140^+140 V,这表明所设计的电路线性度高,可以满足高压运放的要求,且制作成本低,对现代通信中的大功率驱动具有重要意义。
- 张浩王立新陆江刘肃
- 关键词：功率MOSFET运算放大器功率驱动
- SiGe缓冲层对β-SiC(n)/c-Si(p)异质结特性的影响被引量：2
- 2008年
- SiC/Si的界面特性严重影响着SiC/Si异质结的电学特性及光学特性.在β-SiC(n)/c-Si(p)异质结中引入Si Ge缓冲层,构造了Al/β-SiC(n)/Si Ge/c-Si(p)/Al典型的三明治异质结结构.对带有和不带Si Ge缓冲层的β-SiC(n)/c-Si(p)异质结的界面SEM图像,正反向I-V特性曲线及QE作了对比研究,理论和实验均表明,Si Ge缓冲层的引入可以有效地改善β-SiC(n)/c-Si(p)异质结的界面特性,减少界面缺陷,从而提高异质结的反向击穿电压及整流比,展宽异质结光谱响应范围,提高量子效率QE,且使QE的峰值点发生明显红移.
- 张彩珍刘肃陈永刚吴蓉刘春娟
- 关键词：异质结SEMQE
- 双膜片结构光纤光栅地震检波器低频特性的研究被引量：19
- 2010年
- 提出了一种双膜片式的光纤光栅(FBG)地震检波器,此结构有效限制了检波器横向响应。对该检波器的纵向加速度灵敏度和幅频特性进行了理论分析,并指出了影响这种检波器纵向加速度灵敏度的因素。实验结果表明,该种检波器在5～200Hz频率范围内频响平坦,纵向加速度灵敏度为24.3pm/g,谐振峰在900Hz附近,与理论计算较好的吻合。
- 李学成刘肃张文涛张发祥李芳刘育梁
- 关键词：地震检波器幅频特性
- ZnO纳米线的低温生长及其发光特性(英文)被引量：2
- 2007年
- 采用电场辅助电化学沉积的方法在阳极氧化铝模板中沉积出ZnO纳米线阵列.透射电子显微镜和X射线衍射测试结果表明,制备的纳米线是单晶ZnO纳米线,形貌均匀,直径大约为60nm,并且择优于(101)晶面.对生长过程中所加的辅助电场的作用给出了初步解释.光致发光谱表明,在350～650nm范围内存在一个很宽的发光峰.
- 常鹏刘肃陈溶波唐莹韩根亮
- 关键词：ZNO电化学纳米线PL谱
- 硅-硅键合界面氧化层模型与杂质分布的模拟
- 2006年
- 硅-硅直接键合的硅片界面存在一层很薄的氧化层,其化学成分是非化学计量比的氧化物S iOw(0
- 陈新安黄庆安刘肃李伟华
- 关键词：硅-硅直接键合
- 基于Siwave与ADS的高频仿真被引量：5
- 2013年
- 在DDR2(Double Data Rate 2)存储器的供电网络和信号传输网络设计中,由于存储器的工作频率很高,所以不可避免的会遇到高频完整性问题。借助Siwave软件对相关电源网络,进行谐振分析和阻抗分析;借助ADS(Advanced Design System)软件对信号网络,进行S参数和IBIS(Input/Output Buffer Information Specification)接口分析。在频率高于100 MHz时,电源阻抗大于2Ω,信号噪声也超过300 mV。通过添加去耦电容、改动走线等方法,能够减小阻抗,抑制信号噪声,把电源和信号噪声控制在5%以内。
- 刘肃闫胜刚王永
- 关键词：ADS谐振分析阻抗分析S参数
