李海蓉
- 作品数：44 被引量：64H指数：3
- 供职机构：兰州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金甘肃省自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术文化科学更多>>
- 台面刻蚀深度对埋栅SITH栅阴击穿的影响
- 2009年
- 针对台面刻蚀深度对埋栅型静电感应晶闸管(SITH)栅阴击穿特性的影响做了实验研究。实验结果表明,随着台面刻蚀深度的增大,器件栅阴击穿由原来的软击穿变为硬击穿,同时击穿电压升高,SITH设计了独立的台面槽,并研究了台面刻蚀深度与栅阴击穿电压和栅阴击穿特性间的关系,指出台面刻蚀深度的增加可以有效减弱表面电荷和表面缺陷对器件的影响,改善栅阴击穿曲线,提高栅阴击穿电压。同时,还简要描述了这种器件的制造工艺。
- 岳红菊刘肃王永顺李海蓉
- 关键词：静电感应晶闸管台面刻蚀
- 有机电致发光材料8-羟基喹啉铝的结构表征被引量：31
- 2003年
- 叙述了制备高纯度有机电致发光材料 8 羟基喹啉铝 (Alq3 )的方法 ;通过X射线衍射谱、核磁共振谱、红外吸收光谱、质谱、X射线光电子发射谱及荧光光谱测试分析 ,对Alq3 的结构和特性进行了表征。标定了Alq3中喹啉环的存在 ;分析了Alq3 中各个H原子的归属、Alq3 分子内部金属离子和配位体之间的相互作用以及该螯合物的分子构型。进一步证实Alq3 分子中Al—O键为共价键而非离子键。通过X射线衍射谱分析了样品的化学成分 ;由X射线光电子发射谱分析了Alq3 分子中的电子状态和晶体特性。得到了Alq3 的荷质比为45 9 1以及由于金属Al本身的特性 ,使得在Alq3 中Alq+ 2 继续裂解为Alq+ 的几率很小。证实了Alq3 的荧光发射光谱位于 5 10nm处 (绿光范围 ) ,光激发位于喹啉环上而不是金属铝离子。与镓、铟螯合物相比 ,Alq3 中铝离子成键共价性弱 ,极化力较强。
- 李海蓉张福甲郑代顺
- 关键词：有机电致发光材料8-羟基喹啉铝ALQ3有机电致发光器件
- 10A-20A 600V功率JBS肖特基整流管的研制
- 刘肃李海蓉安彪蒲耀川王武汉张晓情淮永进唐晓琦陈菩祥高桦柴彦科
- 项目完成考核指标： 该项目研制和开发的10A-20A 600 JBS肖特基整流管（采用TO-220塑封），在正向电流10A时，正向压降不大于1.15V；正向电流20A，正向压降不大于1.3V；反向击穿电压在反向漏电流不大...
- 关键词：
- 关键词：二极管封装技术
- 一种多槽结构静电感应器件及其制备方法
- 本发明为一种多槽结构静电感应器件及其制备方法，涉及半导体领域。现有技术中存在栅-源(阴)极电压(V<Sub>GS(K)</Sub>)和伏-安特性(I-V特性)的统一问题，即V<Sub>GS(K)</Sub>过高，I-V特...
- 李海蓉李思渊刘肃唐莹李海霞
- 文献传递
- 以Liq∶Rubrene为发光层的白色有机电致发光器件的研制被引量：2
- 2007年
- 以蓝色发光材料Liq为主体,以一定的比例掺入黄光染料Rubrene,研制了新型白色有机电致发光器件.调节Rubrene的掺杂比为1.1%时得到近白光器件,色坐标为(0.308,0.347),器件的启亮电压为8V,当外加电压达到25V时,器件发光亮度达3120cd/m2.
- 吴有余土克旭李海蓉欧谷平张福甲杨爱国
- 关键词：白色有机电致发光器件色坐标亮度
- 用电化学方法制备具有玫瑰花状形貌特征的NiO纳米颗粒
- 本发明公开了用电化学方法制备具有玫瑰花状形貌特征的NiO纳米颗粒，属于半导体光电子材料及其应用领域。本发明是通过电化学沉积的方法，在NiSO<Sub>4</Sub>·6H<Sub>2</Sub>O水溶液中，用高纯度Ni板...
- 李海蓉谢龙珍张勇张春林王鹏向东旭
- 文献传递
- 埋栅型电力静电感应晶闸管的I-V特性反向转折机理(英文)被引量：1
- 2008年
- 研究了静电感应晶闸管的反向转折特性.当工作在正向阻断态的阳极电压增大到某一临界值时,静电感应晶闸管的I-V曲线呈现出反向转折特性,甚至转向导通态.在综合考虑了工作机理、双注入效应、空间电荷效应、沟道中的电子-空穴等离子体和载流子寿命变化的基础上分析了静电感应晶闸管的反向转折特性.首次给出了反向转折机理的理论解释,并给出了估算转折电压和电流的数学表达式,在常用工艺参数范围内,计算结果和实验测量值基本一致.
- 王永顺李海蓉吴蓉李思渊
- 蓝色有机电致发光材料8-羟基喹啉硼化锂结构表征及其对荧光性质影响研究被引量：3
- 2005年
- 介绍了8-羟基喹啉硼化锂(LiBq4)的制备步骤及其提纯方法.通过X射线衍射谱、红外光谱、核磁共振谱、荧光光谱、紫外和可见光区域的吸收光谱测试分析,定性说明了物质结构形式;给出了中心原子B和配位体中的N,O原子之间的作用情况,指出B只与O形成共价键,而和N不形成共价键.给出了各种光现象发生所在的能级;指出了LiBq4是属于受B离子微扰的有机配位体(喹啉环)发光;实验结果还表明,除N和B间零共价作用外,B-O间的强共价键实际上是导致LiBq4荧光光谱发生蓝移的另一个非常重要的因素;在光谱分析基础上,对影响LiBq4荧光峰值波长的各种因素进行了研究.
- 陈金伙欧谷平张福甲李海蓉
- 关键词：蓝移
- 半导体物理课程的基本理论创新与教学实践被引量：3
- 2018年
- 在应用物理类专业和电子信息类专业所用的半导体物理、半导体器件物理等教科书中,W.Shockley于1949年提出的p-n结理论一直被作为最重要的基本理论之一广泛沿用至今且广为人们熟知和接受。本文对传统p-n结理论的完备性提出了质疑,指出了其中存在的重要缺陷和对课程教学带来的困惑,尝试利用创新p-n结理论分析或消除课程教学乃至科研实践中的诸多误解。本文提出的质疑和所做的创新是作者教学和科研相互融合的结果,限于篇幅本文只给出了创新理论的概要和主要观点(详情请参阅作者已发表的论文:Europhysics Letters,2017,120(2)28004),并着重阐明创新理论与课程教学的融合及其在课程教学中的意义和作用。
- 杨建红刘贵鹏李海蓉王妍蓉
- 关键词：基础课程教学半导体物理
- 纳米结构氧化镍缓冲层对蓝色有机发光二极管性能的影响（英文）
- 2017年
- 在阳极和空穴传输层分别引入氧化镍纳米结构缓冲层,制备了蓝色有机发光二极管,对二极管的电学和光学特性进行了测试分析,研究了采用电化学方法制备的氧化镍纳米结构对器件的影响。结果表明,纳米结构氧化镍缓冲层能够有效地提高空穴-电子对的产生和复合效率,它的引入带来了高效的空穴注入及发光层中的载流子平衡,能有效提高有机发光二极管的电致发光特性。氧化镍缓冲层沉积时间为30 s的器件具有最高的亮度和电流效率,分别为42 460 cd/m^2和24 cd/A,该器件的CIEx,y色坐标为(0.212 9,0.325 2)。
- 孙永哲郑礴李海蓉王芳员朝鑫曹中涛常芳芝钱坤雷琦雷栋薛鑫韩根亮宋玉哲
- 关键词：电化学法
