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高显

作品数：16 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 5篇期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 6篇芯片
  • 5篇电路
  • 4篇射频
  • 3篇单刀双掷
  • 3篇信号
  • 3篇MMIC
  • 2篇单刀双掷开关
  • 2篇单电
  • 2篇单电压
  • 2篇单片
  • 2篇低中频
  • 2篇电调
  • 2篇电压
  • 2篇端电压
  • 2篇砷化镓
  • 2篇输出端
  • 2篇衰减器
  • 2篇凸点
  • 2篇热应力
  • 2篇稳幅

机构

  • 16篇中国电子科技...

作者

  • 16篇高显
  • 8篇王磊
  • 8篇戴剑
  • 4篇宋学峰
  • 4篇杨楠
  • 3篇白银超
  • 3篇要志宏
  • 2篇徐达
  • 2篇常青松
  • 2篇刘飞飞
  • 2篇王元佳
  • 2篇王凯
  • 1篇何庆国
  • 1篇韩玉鹏
  • 1篇刘帅
  • 1篇李帅

传媒

  • 4篇通信电源技术
  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2024
  • 11篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2020
  • 1篇2016
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于GaAs工艺的L波段收发多功能芯片设计
2023年
基于0.15μm GaAs伪形态高电子迁移率晶体管(Pseudomorphic High Eleotron Mobility Transistor,PHEMT)工艺,设计了一款L波段收发多功能芯片。芯片内部集成6位数控衰减器、6位数控延时器、接收放大器、发射放大器、单刀双掷开关及数字驱动电路。经测试得到,接收通道增益大于3 dB,1 dB压缩输入功率大于3 dBm,噪声系数小于4 dB,64态衰减精度均方根(Root Mean Square,RMS)小于0.6 dB,64态延时精度RMS小于8 ps;发射通道增益大于24 dB,饱和输出功率大于23 dBm,64态延时精度RMS小于8.7 ps。芯片尺寸为4.00 mm×4.00 mm×0.07 mm。
高显戴剑傅琦
关键词：L波段衰减器
单电压控制电调衰减电路和稳幅装置
本发明属于低中频接收系统技术领域，涉及一种单电压控制电调衰减电路和稳幅装置。所述电路包括：控制模块、第一衰减模块、第二衰减模块和第三衰减模块；控制模块将外部电源的电压转换为预设电压输出给第一衰减模块和第三衰减模块，且根据...
孔伟东常萌王二超王元佳祁兴群杨楠高显徐亮薛炜民解永康董维佳白晓丽
文献传递
3D异构芯片的制备方法、3D异构芯片和衰减器
本发明提供一种3D异构芯片的制备方法、3D异构芯片和衰减器。该制备方法包括：获取第一IC芯片，第一IC芯片为III‑V族化合物半导体芯片；在第一IC芯片的下表面上的第一预设位置制备第一金属屏蔽层；获取第二IC芯片，第二I...
韩玉鹏刘海峰王磊要志宏戴剑刘乐乐梁家铖高显苏辰飞武世英申靖轩程泽普王杰杨宇峰王树朋
W波段混频器
本申请适用于混频器技术领域，提供了一种W波段混频器。该W波段混频器包括：第一电桥、第二电桥、第三电桥、第一场效应晶体管和第二场效应晶体管；第一电桥的输入端作为混频器的本振端用于接收本振信号；第一电桥的直通端连接第一场效应...
梁家铖戴剑王磊侯伦崔亮陈南庭苏辰飞傅琦高显范仁钰刘方罡郭丰强刘乐乐
一种3D集成芯片及其制备方法
本发明适用于半导体芯片技术领域，提供了一种3D集成芯片及其制备方法。其中，所述3D集成芯片包括上下堆叠集成的第一芯片和第二芯片；所述第一芯片的焊盘上制备有焊料凸点；所述第二芯片的芯片表面设置有再布线有机介质层，所述再布线...
王磊杨彦锋徐达常青松祁广峰张延青要志宏白银超崔亮刘飞飞杨楠高显
文献传递
一种基于MMIC的延时线电路及其调试方法
本发明提供一种基于MMIC的延时线电路及其调试方法。该延时线电路包括：多个依次串联的延时模块；每个延时模块包括第一单刀双掷开关、参考支路、延时支路和第二单刀双掷开关；每个延时模块还包括多个沿延时支路分布的延时调整单元，其...
高显侯伦刘帅武世英郭丰强刘海峰苏辰飞梁家铖刘方罡王杰高晓冲李帅苏鹏生李艳玲胡占祥
一种W波段八倍频放大芯片的设计
2023年
介绍了基于砷化镓(GaAs)伪形态高电子迁移率晶体管(pseudo-morphology High Electron Mobility Transistor,pHEMT)工艺,输出信号为W波段的八倍频放大芯片的设计方法。通过合理划分电路方案,将倍频器方案设计为输入频率经过四倍频器在Q波段进行放大,最后通过二倍频输出W波段信号。基于上述方案,设计了一款输入频率为10.8~11.5 GHz、输出频率为86.4~92 GHz的八倍频多功能芯片。芯片通过探针台在片测试,在工作频带内七次谐波抑制均优于15 dBc,九次谐波抑制均优于20 dBc,输出功率大于0 dBm。
傅琦高显
关键词：W波段
一种3D集成芯片及其制备方法
本发明适用于半导体芯片技术领域，提供了一种3D集成芯片及其制备方法。其中，所述3D集成芯片包括上下堆叠集成的第一芯片和第二芯片；所述第一芯片的焊盘上制备有焊料凸点；所述第二芯片的芯片表面设置有再布线有机介质层，所述再布线...
王磊杨彦锋徐达常青松祁广峰张延青要志宏白银超崔亮刘飞飞杨楠高显
文献传递
一种具有高导热特性的氮化镓晶体管开关器件结构
本实用新型提供了一种具有高导热特性的氮化镓晶体管开关器件结构，属于晶体管技术领域，从表面到背面依次包括表面钝化层、源极金属、漏极金属、栅极金属、铝镓氮势垒层、氮化镓缓冲层、氮化铝成核层、碳化硅衬底层以及背面金属层，在碳化...
戴剑王磊王杰刘方罡侯伦崔亮陈南庭宋学峰高鸿飞范仁钰傅琦申靖轩梁家铖武世英郭丰强刘乐乐刘海峰高显
C波段6bit GaAs MMIC数控移相器的设计
2023年
基于0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计并制备了一款C波段GaAs微波单片集成电路(Millimeter Microwave Integrated Circuit,MMIC)6位数控移相器。在片测试结果表明:移相器在4~8 GHz频段内,插入损耗≤8 dB,移相均方根误差≤5.8°,输入、输出回波损耗≥10 dB。芯片尺寸为4.40 mm×1.60 mm×0.07 mm。
高显戴剑傅琦
关键词：GAASC波段数控移相器
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共2页<12>
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