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刘占勇

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
相关领域：化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程

主题

  • 1篇痕量
  • 1篇痕量杂质
  • 1篇ICP-MS
  • 1篇ICP-MS...

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇褚连青
  • 1篇王鑫
  • 1篇刘占勇
  • 1篇王奕

传媒

  • 1篇现代仪器

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
ICP-MS法测定高纯碳化硅粉表面的痕量杂质被引量：2
2011年
本文采用ICP-MS法对高纯碳化硅粉表面的Na、AI、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd 12种痕量杂质进行测定,用氢氟酸溶液浸提试样表面杂质,用钇做内标补偿基体效应和仪器的漂移,用碰撞反应技术消除多原子离子干扰,通过实验确定最佳优化测定条件。方法检出限为0.005～0.036μg/L;加标回收率为80.0%～120.3%之间;RSD为1.78%～8.95%。方法操作简便、快速、准确。
褚连青刘占勇王奕王鑫
关键词：ICP-MS
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