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林国琛

作品数:5 被引量:1H指数:1
供职机构:鲁东大学更多>>
发文基金:山东省高等学校科技计划项目山东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学化学工程更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 3篇光电
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇光电性
  • 2篇光电性能
  • 1篇导电薄膜
  • 1篇碘化
  • 1篇碘化亚铜
  • 1篇电器件
  • 1篇电特性
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇电子束蒸发
  • 1篇电子束蒸发法
  • 1篇氧化锌
  • 1篇异质结
  • 1篇再结晶
  • 1篇蒸发法
  • 1篇蒸发装置
  • 1篇蒸气

机构

  • 5篇鲁东大学

作者

  • 5篇林国琛
  • 4篇张立春
  • 4篇赵风周
  • 2篇王晓慧
  • 1篇曲崇
  • 1篇周啸宇

传媒

  • 2篇鲁东大学学报...

年份

  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
一种 CuI 纳米结构的制备方法
本发明涉及一种CuI纳米结构的制备方法,包括如下步骤:清洗单晶硅衬底的表面,将其装入电子束蒸发装置的真空生长室中;采用电子束蒸发法在单晶硅表面生长一层铜薄膜;将所得的硅基铜薄膜悬挂于反应釜内,水平置于溶液上方,反应釜内的...
张立春杨立新林国琛赵风周曲崇
文献传递
ZnO基异质结构的制备及其光电特性
2017年
利用水热法以及脉冲激光沉积(PLD)技术分别在Si(100)和GaAs(100)衬底上制备了沿c轴高度取向的ZnO纳米棒,并对ZnO/p-Si以及ZnO/p-GaAs异质结的发光特性和电学特性进行了测量.通过对比两种衬底上生长的ZnO纳米结构的表面形貌和结晶质量,发现:生长在GaAs(100)衬底上的ZnO纳米棒排列整齐,结构致密,沿c轴择优生长取向较好.ZnO/p-GaAs异质结的光致发光光谱由三个主要的发光峰组成,分别是:380 nm附近的紫外发光峰、450~700 nm的黄绿光发光带以及850 nm左右的GaAs本征发光峰.通过计算得到该光致发光谱的色度坐标,与标准白光的CIE色度坐标(0.333,0.333)接近,这为进一步实现ZnO基固体白光LED发光器件提供了依据.
王晓慧林国琛周啸宇张立春赵风周
关键词:水热法ZNO纳米棒光电特性
碘化亚铜(CuI)材料的制备及其光电性能的研究
近年来,一些铜系化合物材料,如氧化铜(CuO)、氧化亚铜(Cu2O)、硫氰酸亚铜(CuSCN)、碘化亚铜(CuI),由于其优异的p型导电特性,在半导体光电器件领域表现出潜在的应用前景,引起了人们越来越多的关注。这些材料其...
林国琛
关键词:碘化亚铜光致发光氧化锌异质结
文献传递
一种CsPbI<Sub>3</Sub>薄膜的制备方法
本发明提供了一种CsPbI<Sub>3</Sub>薄膜的制备方法,包括如下步骤:清洗单晶硅衬底表面,用氮气吹干后,将其置入脉冲激光沉积系统的真空生长室;采用脉冲激光沉积技术刻蚀靶材,在单晶硅表面生长一层CsPbI<Sub...
张立春林国琛薛晓娥赵风周徐满
文献传递
制备温度对SnO_2/Au/SnO_2三层结构透明导电薄膜光学和电学特性的影响
2016年
采用脉冲激光沉积技术在石英衬底上制备了SnO_2(40 nm)/Au(8 nm)/SnO_2(40 nm)三层薄膜结构.分别利用扫描电子显微镜、紫外可见光分光光度计、四探针电阻测试仪等研究了制备温度对多层薄膜的形貌、结构和光电性能的影响.结果表明,制备温度对SnO_2/Au/SnO_2透明导电薄膜的光电性能有较大影响,随着衬底温度的升高,三层膜的品质因数逐渐下降.当制备温度为20℃,SnO_2/Au/SnO_2在可见光区(400~800 nm)的平均透过率为69.7%,面电阻为6.8Ω/sq,薄膜具有最佳品质因数3.96×10^(-3)Ω^(-1).
董方营张立春王晓慧林国琛赵风周
关键词:SNO2透明导电薄膜
共1页<1>
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