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赵风周

作品数：38 被引量：11H指数：2
供职机构：鲁东大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金山东省高等学校科技计划项目更多>>
相关领域：理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 31篇专利
  • 7篇期刊文章

领域

  • 7篇理学
  • 5篇电子电信
  • 3篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 13篇微细
  • 13篇微细加工
  • 8篇光刻
  • 6篇纳米
  • 6篇光刻技术
  • 4篇医药
  • 4篇溶胶
  • 4篇生物医药
  • 4篇纳米棒
  • 4篇光电
  • 4篇光学
  • 4篇光栅
  • 4篇SUB
  • 3篇电催化
  • 3篇电催化氧化
  • 3篇掩膜
  • 3篇异质结
  • 3篇水热
  • 3篇水热法
  • 3篇葡萄糖

机构

  • 38篇鲁东大学
  • 2篇曲阜师范大学
  • 1篇烟台大学
  • 1篇光驰科技(上...

作者

  • 38篇张立春
  • 38篇赵风周
  • 10篇曲崇
  • 6篇李宏光
  • 5篇李清山
  • 4篇王美山
  • 4篇林国琛
  • 3篇张敏
  • 2篇马自侠
  • 2篇黄瑞志
  • 2篇张忠俊
  • 2篇朱林伟
  • 2篇王晓慧
  • 1篇赵刚
  • 1篇袁润
  • 1篇霍艳丽
  • 1篇周啸宇

传媒

  • 4篇光电子．激光
  • 2篇鲁东大学学报...
  • 1篇激光技术

年份

  • 2篇2024
  • 5篇2023
  • 3篇2022
  • 4篇2021
  • 3篇2020
  • 4篇2019
  • 5篇2018
  • 6篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2012
共 38 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
n-ZnO/p-GaAs异质结光电探测器光电特性研究被引量：2
2015年
利用脉冲激光沉积(PLD)技术在p-GaAs外延片上生长了n型ZnO薄膜,制备了n-ZnO薄膜/p-GaAs异质结光电探测器原型器件。X射线衍射(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明,生长在GaAs表面上的ZnO薄膜具有较高的结晶质量。在反向偏压下,器件表现出良好的近红外探测性能,工作电压在-0.5V到-4.0V时,光谱响应度峰值在850nm附近;当反向电压为-2.0V时,光响应度达到饱和,响应度峰值达到10.17A/W。而比探测率峰值则在-2.0V达到最大值2.06×1010 cm Hz1/2/W,之后下降。反向工作电压下的光谱响应度和比探测率曲线表明,器件对850nm附近的近红外光具有较强的选择性(FWHM约为30nm)。
张敏张立春董方营李清山张忠俊赵风周
关键词：探测器异质结ZNOGAAS响应度
生长时间对氧化锌纳米棒发光性能的影响
2012年
为了研究氧化锌纳米棒的生长机理,先用脉冲激光沉积方法在玻璃衬底上制备一层氧化锌薄膜作为种子层,然后用水热法在种子层上生长氧化锌纳米棒,研究了不同反应时间对其结构、形貌及发光特性的影响。利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜测定样品的结构和形貌,用自组建的光致发光系统对样品的光致发光光谱进行了测量。结果表明,氧化锌纳米棒沿c轴高度取向并呈六角纤锌矿结构;随着生长时间的增加,氧化锌纳米棒结晶质量明显改善,纳米棒均匀、致密性和取向性均提高,样品的缺陷发光增强而激子发光减弱。
马自侠李清山张立春赵风周曲崇霍艳丽
关键词：氧化锌纳米棒脉冲激光沉积水热法光致发光
一种柔性低辐射窗膜及其制备方法
本发明公开了一种柔性低辐射窗膜及其制备方法，柔性低辐射窗膜主要包括透明柔性基材，透明柔性基材的下面设置超疏水功能层，超疏水功能层包括绒面氧化锌层、聚四氟乙烯层；透明柔性基材的上面设置阻挡层、低辐射功能层、保护层，低辐射功...
闫金良赵刚赵风周初斌华张立春
文献传递
MgO界面层对n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结LED光电性能的影响
2014年
为了较好地实现n-ZnO的电致发光(EL),利用水热法在p-GaN外延片上制备了ZnO纳米棒阵列,构造了n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结LED原型器件,并研究了MgO界面层对器件光电性能的影响。结果表明,n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结器件具有明显的二极管整流效应。室温、正向偏压下,n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结LED仅在430nm附近具有单一的发光峰,而n-ZnO纳米棒/MgO/p-GaN异质结LED的电致发光光谱由一个从近紫外到蓝绿光区的宽发光带组成。结合光致发光(PL)谱和Anderson能带模型,深入分析了n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结的载流子复合机制。
张忠俊张立春赵风周曲崇黄瑞志张敏李清山
关键词：P-GAN异质结
一种银纳米花的室温水相制备方法及其葡萄糖电催化氧化
本专利涉及一种银纳米花的室温水相制备方法，属于金属纳米材料制备方法的技术领域。制备过程包括：配置前驱物硝酸银（AgNO<Sub>3</Sub>）溶液，加入络合剂柠檬酸钠（Na<Sub>3</Sub>Cit），室温磁力搅拌...
徐满郭舒荣张议文赵风周张立春
文献传递
一种在球面基底上实施软光刻技术的装置及其使用方法
本发明公开了一种在球面基底上实施软光刻技术的装置及其使用方法，涉及微细加工领域，包括：固定支架、固定悬梁、主腔体、主腔体高度调节部、气压表、充气接头。使用时，将PDMS软模板有微纳结构的一面朝外固定好，通过控制主腔体内气...
张登英赵风周张立春张孟龙黄玉鹏
一种多晶硅表面微纳复合结构的制备方法
本发明公开了一种多晶硅表面微纳复合结构的制备方法，具体涉及微细加工和太阳能电池技术领域。该方法首先在多晶硅片表面沉积一层金属Cr膜，然后在Cr膜上进行光刻和刻蚀制作出微米Cr金属掩膜图案；之后用硅片腐蚀液腐蚀硅片制得微米...
张登英赵风周张立春许家沛黄玉鹏罗兴
文献传递
一种在曲面玻璃上制备耐久性微纳结构的方法
本发明公开了一种在曲面玻璃上制备耐久性微纳结构的方法，涉及微细加工领域，它解决了在曲面玻璃上制备微纳结构困难的技术问题，并且不再需要通过离子束刻蚀技术将微纳结构传递到基底上。本发明的方法为：先制得具有微纳结构的PDMS软...
张登英王美山张立春赵风周曲崇李宏光
文献传递
一种利用掩膜光刻技术一步制备微米级双层结构的方法
本发明公开了一种利用掩膜光刻技术一步制备微米级双层结构的方法，该方法解决了利用现有的光刻技术来制备微米级双层结构时只能通过复杂的套刻工艺来实现的问题。本发明的方法为：设计用于制备微米级双层结构的掩膜版，获得所设计的掩膜版...
张登英朱林伟陈雪叶赵风周张立春
文献传递
一种 CuI 纳米结构的制备方法
本发明涉及一种CuI纳米结构的制备方法，包括如下步骤：清洗单晶硅衬底的表面，将其装入电子束蒸发装置的真空生长室中；采用电子束蒸发法在单晶硅表面生长一层铜薄膜；将所得的硅基铜薄膜悬挂于反应釜内，水平置于溶液上方，反应釜内的...
张立春杨立新林国琛赵风周曲崇
文献传递
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