丁滔
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：南京航空航天大学材料科学与技术学院更多>>
- 发文基金：江苏高校优势学科建设工程资助项目江苏省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 铜片上水热法制备纳米Cu2S薄膜及光吸收性能
- 2012年
- 采用水热法以硫代乙酰胺为硫源在铜片上沉积了Cu2S纳米薄膜,研究了添加剂种类对产物结构、形貌及紫外–可见光吸收性能的影响。X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)和红外光谱(IR)测试表明,产物为正交结构Cu2S,添加剂影响着产物的结晶及形貌。机理分析显示,在水热条件下添加剂以不同的方式参与了薄膜的形成过程。紫外–可见(UV-vis)光吸收性能测试及直接带隙计算表明,与Cu2S本体相比,所得薄膜带隙出现了不同程度的蓝移,这归因于样品的量子限制效应影响大于库仑项的影响。
- 张朔刘劲松李子全陈建康丛孟启许奇丁滔王春花高雪琴王莉萍
- 关键词：水热法
- 热丝CVD法制备a-Si_(1-x)C_x薄膜的光电性能研究
- 2011年
- 本文以硅烷、乙炔和氢气为气源,采用热丝CVD法制备了非晶碳化硅薄膜。通过FITR、紫外-可见光分光光度计、四探针仪、台阶仪和霍尔效应测试仪对薄膜的光学和电学性能进行了系统的研究。结果表明,随着乙炔气体流量的增加,薄膜中碳含量和薄膜光学带隙呈现逐渐递增的趋势,其中光学带隙由1.7 eV上升到2.1 eV。同时还发现B掺杂薄膜的空穴浓度随着B2H6与硅烷流量比的增大而显著增大,而霍尔迁移率的变化趋势则与空穴浓度的变化趋势相反,与二者对应的总体效果是薄膜的电阻率首先显著下降,然后缓慢下降至最小值1.94Ω.cm,此后电阻率略有上升。
- 程彬沈鸿烈吴天如丁滔肖少文陆婷
- 关键词：光电性能
