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文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇晶体管
  • 4篇薄膜晶体
  • 4篇薄膜晶体管
  • 2篇电性
  • 2篇淀积
  • 2篇接触电极
  • 2篇金属
  • 2篇刻蚀
  • 2篇暗电流
  • 1篇电镀
  • 1篇电镀法
  • 1篇氧化物
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇源区
  • 1篇栅电极
  • 1篇溶液法
  • 1篇图形化
  • 1篇金属氧化物
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇沟道

机构

  • 4篇北京大学

作者

  • 4篇张盛东
  • 4篇卢慧玲
  • 2篇肖祥
  • 2篇周晓梁
  • 1篇邵阳
  • 1篇张乐陶

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
包含遮光层的薄膜晶体管及其制备方法
本申请公开了一种薄膜晶体管,包括衬底;形成在所述衬底上的经图形化的遮光层,其中所述遮光层采用绝缘非金属遮光材料;形成在所述遮光层以上的有源层,所述有源层包括所述晶体管的沟道、源区和漏区;形成在所述有源层上的栅介质层和形成...
张盛东梁婷周晓梁卢慧玲张晓东王刚
文献传递
一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法
本发明公开了金属氧化物薄膜晶体管的制备方法。该方法包括如下步骤:在衬底上依次制备导电薄膜和金属层A,然后经图形化得到栅极;采用阳极氧化的方法在栅极上生长绝缘介质层,覆盖栅极作为栅介质层;采用溶液法在栅介质层上生长金属氧化...
张盛东邵阳周晓梁张乐陶卢慧玲
文献传递
一种X射线探测仪及其薄膜晶体管制备方法
一种X射线探测仪及其薄膜晶体管制备方法,制备方法包括:在衬底上淀积一层电极层;光刻和刻蚀电极层,形成相隔预定距离的两个栅电极;在栅电极上淀积覆盖两个栅电极的栅介质层;在栅介质层上淀积金属氧化物半导体层;在栅介质层上生成分...
张盛东卢慧玲肖祥
文献传递
一种X射线探测仪及其薄膜晶体管制备方法
一种X射线探测仪及其薄膜晶体管制备方法,制备方法包括:在衬底上淀积一层电极层;光刻和刻蚀电极层,形成相隔预定距离的两个栅电极;在栅电极上淀积覆盖两个栅电极的栅介质层;在栅介质层上淀积金属氧化物半导体层;在栅介质层上生成分...
张盛东卢慧玲肖祥
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