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文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇晶体管
  • 3篇薄膜晶体
  • 3篇薄膜晶体管
  • 2篇氧化物
  • 2篇金属
  • 2篇金属氧化物
  • 1篇电镀
  • 1篇电镀法
  • 1篇电阻
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇液晶
  • 1篇液晶面板
  • 1篇源区
  • 1篇栅介质
  • 1篇溶液法
  • 1篇面板
  • 1篇接触电极
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇寄生电阻
  • 1篇沟道

机构

  • 3篇北京大学

作者

  • 3篇邵阳
  • 3篇张乐陶
  • 3篇张盛东
  • 2篇王漪
  • 2篇肖祥
  • 2篇周晓梁
  • 1篇韩德栋
  • 1篇冷传利
  • 1篇姚建可
  • 1篇贺鑫
  • 1篇廖聪维
  • 1篇卢慧玲

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法
本发明公开了金属氧化物薄膜晶体管的制备方法。该方法包括如下步骤:在衬底上依次制备导电薄膜和金属层A,然后经图形化得到栅极;采用阳极氧化的方法在栅极上生长绝缘介质层,覆盖栅极作为栅介质层;采用溶液法在栅介质层上生长金属氧化...
张盛东邵阳周晓梁张乐陶卢慧玲
文献传递
新型薄膜晶体管技术与应用
张盛东廖聪维胡治晋韩德栋王漪冷传利肖祥邵阳李建桦张乐陶王玲贺鑫姚建可刘翔何红宇
主要技术内容:进入21世纪,基于薄膜晶体管(TFT)技术的平板显示(FPD)被列为中国国民经济发展的重点产业,成为拉动中国经济发展的新的增长点。但就平板显示技术本身,中国是后发展国家,自主知识产权核心技术匮乏,这严重制约...
关键词:
关键词:薄膜晶体管液晶面板
一种底栅共平面型金属氧化物薄膜晶体管的制备方法
本发明公开了一种底栅共平面型金属氧化物薄膜晶体管的制备方法,包括以下步骤:在衬底上依次形成栅电极和栅介质,其中栅电极部分覆盖于衬底上,栅介质覆盖于衬底和栅电极上;在栅介质上采用至少一层含有铝和/或钛的材料淀积源区、漏区导...
张盛东周晓梁肖祥邵阳张乐陶王漪
文献传递
共1页<1>
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