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杨晶晶

作品数:1 被引量:1H指数:1
供职机构:哈尔滨工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇脉冲
  • 1篇膜厚
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射沉积
  • 1篇工件
  • 1篇工件表面
  • 1篇高功率脉冲
  • 1篇
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇磁控溅射沉积
  • 1篇高功率

机构

  • 1篇东北林业大学
  • 1篇哈尔滨工业大...
  • 1篇中国工程物理...

作者

  • 1篇田修波
  • 1篇刘天伟
  • 1篇李春伟
  • 1篇巩春志
  • 1篇杨士勤
  • 1篇秦建伟
  • 1篇杨晶晶

传媒

  • 1篇稀有金属材料...

年份

  • 1篇2013
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
凹槽工件表面常规磁控与高功率脉冲磁控溅射沉积钒薄膜的研究(英文)被引量:1
2013年
高功率脉冲磁控溅射是一种制备高质量薄膜的新兴方法。在相同的平均功率下分别采用HPPMS技术和传统DCMS技术在凹槽工件表面制备了钒薄膜。对比研究了两种方法下的等离子体组成、薄膜的晶体结构、表面形貌及膜层厚度的异同。结果表明:HPPMS产生的等离子体包括Ar(1+),V(0)和相当数量的V(1+);而DCMS放电时的等离子体包括Ar(1+),V(0)和极少量的V(1+)。两种方法制备的凹槽不同位置处钒薄膜相结构的变化规律大致相似。HPPMS制备的钒薄膜表面致密、平整;而DCMS制备的膜层表面出现非常锐利的尖峰且高度很高,凹槽不同位置表面状态表现出较大差异。DCMS制备的钒薄膜截面表现为疏松的柱状晶结构;而HPPMS制备的膜层也具有轻微的柱状晶结构,但结构更为致密。HPPMS时的膜层厚度小于DCMS时的膜层厚度。与凹槽工件的上表面相比,DCMS时侧壁膜层的厚度为上表面的32%,底部膜层的厚度为上表面的55%。而HPPMS时侧壁的厚度为上表面的35%,底部膜层的厚度为上表面的69%。采用HPPMS方法在凹槽工件表面获得的膜层厚度整体上表现出更好的均匀性。
李春伟田修波刘天伟秦建伟杨晶晶巩春志杨士勤
关键词:膜厚
共1页<1>
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