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杨晶晶
作品数:
1
被引量:1
H指数:1
供职机构:
哈尔滨工业大学
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
一般工业技术
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合作作者
秦建伟
中国工程物理研究院
杨士勤
哈尔滨工业大学
巩春志
哈尔滨工业大学
李春伟
哈尔滨工业大学
刘天伟
中国工程物理研究院
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2013
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凹槽工件表面常规磁控与高功率脉冲磁控溅射沉积钒薄膜的研究(英文)
被引量:1
2013年
高功率脉冲磁控溅射是一种制备高质量薄膜的新兴方法。在相同的平均功率下分别采用HPPMS技术和传统DCMS技术在凹槽工件表面制备了钒薄膜。对比研究了两种方法下的等离子体组成、薄膜的晶体结构、表面形貌及膜层厚度的异同。结果表明:HPPMS产生的等离子体包括Ar(1+),V(0)和相当数量的V(1+);而DCMS放电时的等离子体包括Ar(1+),V(0)和极少量的V(1+)。两种方法制备的凹槽不同位置处钒薄膜相结构的变化规律大致相似。HPPMS制备的钒薄膜表面致密、平整;而DCMS制备的膜层表面出现非常锐利的尖峰且高度很高,凹槽不同位置表面状态表现出较大差异。DCMS制备的钒薄膜截面表现为疏松的柱状晶结构;而HPPMS制备的膜层也具有轻微的柱状晶结构,但结构更为致密。HPPMS时的膜层厚度小于DCMS时的膜层厚度。与凹槽工件的上表面相比,DCMS时侧壁膜层的厚度为上表面的32%,底部膜层的厚度为上表面的55%。而HPPMS时侧壁的厚度为上表面的35%,底部膜层的厚度为上表面的69%。采用HPPMS方法在凹槽工件表面获得的膜层厚度整体上表现出更好的均匀性。
李春伟
田修波
刘天伟
秦建伟
杨晶晶
巩春志
杨士勤
关键词:
膜厚
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