巩春志
- 作品数：223 被引量：282H指数：10
- 供职机构：哈尔滨工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”哈尔滨市科技创新人才研究专项资金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术理学电子电信更多>>
- 微细硬质合金刀具沉积金刚石薄膜的形核研究被引量：3
- 2019年
- 形核是HFCVD金刚石薄膜沉积的重要阶段,对金刚石薄膜质量至关重要。为实现金刚石薄膜在微细硬质合金刀具表面的高质量形核,选取了形核过程中的几个核心参数:热丝功率(Pf)、碳氢比(X)以及形核气压(p),设计了三因素三水平正交实验,采用SEM形貌分析、拉曼光谱分析以及EDS能谱分析等对形核尺寸、表面覆盖率和形核质量进行了研究。实验结果表明,热丝功率对形核尺寸和形核速率的影响最大,形核气压的影响最小,而对沉积质量影响较大的为热丝功率和形核气压,碳氢比的影响则最小。实验得到的最佳形核参数为:Pf=2000W,X=2.0%,p=1400Pa。
- 孔维星巩春志田修波
- 关键词：金刚石薄膜形核正交试验
- PVD镀膜增强放电装置技术与应用
- 磁控和多弧镀膜技术已经受到越来越多的重视,其中硬质膜涂层近些年得到较大的发展.人们对于装置技术、涂层体系以及对工况的理解等均取得了较大进步.等离子体是镀膜的有效载体,无论是磁控还是多弧,都是在反应气体的参与下将靶材料转移...
- 田修波吴明忠马英鹤巩春志李春伟许建平
- 关键词：电弧
- 多段式双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射方法
- 多段式双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射方法，属于材料制造技术领域，本发明为解决现有双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射方法中正向脉冲对负向脉冲所产生的离子的推动加速作用效率低的问题。本发明维持真空室的真空度为0.1～5.5Pa，开启...
- 田修波吴厚朴巩春志
- 文献传递
- 一种铜表面DLC膜层制备方法
- 一种铜表面DLC膜层制备方法，本发明涉及一种铜表面DLC膜层制备方法。本发明的目的是为了解决现有技术中铜基体表面沉积DLC膜层结合力差、耐腐蚀性差的问题。本发明通过在铜基体表面引入适量的氧元素，采用高压脉冲的电离氧气，获...
- 田修波靳朋礼巩春志
- 高功率脉冲电流对磁控溅射TiN薄膜结构及力学性能影响被引量：1
- 2015年
- 采用高功率脉冲磁控溅射技术在M2高速钢基体上沉积了TiN薄膜,研究了不同脉冲电流下TiN膜层的沉积速率、膜基结合力、晶体生长取向、纳米硬度和摩擦磨损性能等。结果表明:随着脉冲电流的增加,膜层沉积速率不断增大,膜层致密度逐渐增强。当脉冲电流增加到20A以上时膜层沿着(111)面择优生长并且具有最高的I_(111),这与能流密度效应有关。脉冲电流为20A时的膜层表面具有最高的硬度(可达25GPa)、最高的膜基结合力(可达70N,压痕评定优于HF2)和较好的耐摩擦磨损性能。
- 李永健孔营胡健耿慧远巩春志田修波
- 关键词：TIN脉冲电流力学性能
- 凹槽工件表面常规磁控与高功率脉冲磁控溅射沉积钒薄膜的研究(英文)被引量：1
- 2013年
- 高功率脉冲磁控溅射是一种制备高质量薄膜的新兴方法。在相同的平均功率下分别采用HPPMS技术和传统DCMS技术在凹槽工件表面制备了钒薄膜。对比研究了两种方法下的等离子体组成、薄膜的晶体结构、表面形貌及膜层厚度的异同。结果表明:HPPMS产生的等离子体包括Ar(1+),V(0)和相当数量的V(1+);而DCMS放电时的等离子体包括Ar(1+),V(0)和极少量的V(1+)。两种方法制备的凹槽不同位置处钒薄膜相结构的变化规律大致相似。HPPMS制备的钒薄膜表面致密、平整;而DCMS制备的膜层表面出现非常锐利的尖峰且高度很高,凹槽不同位置表面状态表现出较大差异。DCMS制备的钒薄膜截面表现为疏松的柱状晶结构;而HPPMS制备的膜层也具有轻微的柱状晶结构,但结构更为致密。HPPMS时的膜层厚度小于DCMS时的膜层厚度。与凹槽工件的上表面相比,DCMS时侧壁膜层的厚度为上表面的32%,底部膜层的厚度为上表面的55%。而HPPMS时侧壁的厚度为上表面的35%,底部膜层的厚度为上表面的69%。采用HPPMS方法在凹槽工件表面获得的膜层厚度整体上表现出更好的均匀性。
- 李春伟田修波刘天伟秦建伟杨晶晶巩春志杨士勤
- 关键词：膜厚
- 高结晶度CrN纳米粒子掺杂的DLC薄膜的显微结构及力学性能被引量：6
- 2012年
- 采用高功率脉冲磁控放电等离子体注入与沉积(HPPMS-PIID)和常规直流磁控溅射复合的方法设计制备了包含高结晶度的CrN纳米粒子的DLC薄膜,并对不同C靶电流时制备的CrN-DLC薄膜的形貌、结构及性能进行了研究.结果表明,随C靶电流的增加,薄膜中的含C量增加,在较高的C含量时形成了明显的DLC薄膜特征,掺杂相主要成分为高度200择优取向的CrN纳米晶,其最小晶粒尺寸为42.39 nm.薄膜中的C主要以C-sp^2,C-sp^3和CN-sp^3键的形式存在,sp^3键的总含量为sp^2总含量的44.8%.所制备的薄膜具有很好的膜基结合力(临界载荷Lc=66.8 N)和较高的纳米硬度(最高达24.3 GPa).
- 吴忠振田修波程思达巩春志杨士勤
- 关键词：类金刚石薄膜CRN结晶度力学性能
- Cu-Zn掺杂对TiN复合膜层组织性能的调制被引量：3
- 2009年
- 利用磁控溅射方法在不锈钢表面沉积了Cu-Zn掺杂TiN复合膜,研究不同的Cu、Zn含量对膜层结构和性能(硬度、耐磨性能以及耐腐蚀性能)的影响.结果表明,掺杂的Cu、Zn可以阻止TiN晶粒生长,随掺杂量增加TiN晶粒细化,Cu、Zn含量比较高时由于金属相长大而使膜层组织粗化.当Cu≤10.38at%,Zn≤2.19at%时,TiN以(111)晶向择优生长,且随掺杂量增加TiN(200)晶向逐渐增强.XPS结果表明膜层主要由TiN和单质Cu组成.当掺杂Cu为10.38at%、Zn为2.19at%时,复合膜具有较高的硬度和较好的耐磨性能.尽管耐腐蚀性能随着Cu、Zn含量的增加而下降,但少量的Cu-Zn掺杂可显著提高膜层钝化能力.
- 韦春贝巩春志田修波杨士勤
- 关键词：磁控溅射
- 利用自源自偏压空心阴极放电法沉积DLC薄膜的装置及基于该装置沉积DLC薄膜的方法
- 本发明的利用自源自偏压空心阴极放电法沉积DLC薄膜的装置及基于该装置沉积DLC薄膜的方法，涉及沉积DLC薄膜的装置和方法，目的是为了克服由于现有技术所采用方法的局限性，导致无法灵活地对工件的局部进行镀膜的问题，装置包括笼...
- 田修波孙薇薇巩春志李慕勤田钦文
- 文献传递
- 基于同步信号的多路延时IGBT驱动电路设计被引量：4
- 2012年
- 基于同步信号设计了一种可实现相互之间高压隔离的IGBT多路延时驱动电路系统,并应用到Marx电路中,实现了可柔性调节的阶梯型脉冲高压输出。试验结果表明,延时驱动电路可实现最大30μs的延时,且具有IGBT驱动电压欠压保护、自给反向栅压等功能,同时场效应管的存在抑制了栅射极电压振荡。驱动信号高压隔离变压器为单原边多副边结构,简单紧凑,通过副边数目的增减,可驱动不同级数的Marx电路,具有扩展性好的优点。过流保护电路反应速度快,IGBT关断可靠,可在2μs之内抑制短路电流继续上升。该驱动电路应用于10级的Marx电路中,实现了峰值电压10 kV,脉冲宽度30μs,最大电压阶数10阶的脉冲高压输出。
- 石经纬巩春志张可心田修波杨士勤
- 关键词：驱动电路MARX电路欠压保护IGBT场效应管
