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谢昭熙

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：深圳市科技和信息局更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇退火
  • 1篇退火效应
  • 1篇半绝缘
  • 1篇保护膜
  • 1篇SIC
  • 1篇钒

机构

  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇深圳市科技和...

作者

  • 1篇徐大庆
  • 1篇郭辉
  • 1篇张义门
  • 1篇张玉明
  • 1篇王超
  • 1篇谢昭熙

传媒

  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
钒注入制备半绝缘SiC的退火效应(英文)
2008年
对钒离子注入p型和n型4H-SiC制备半绝缘层的方法和特性进行了研究。注入层电阻率随退火温度的升高而增加,经过1650℃退火后,钒注入p型和n型SiC的电阻率分别为1.6×1010Ω·cm和7.6×106Ω·cm。借助原子力显微镜对样品表面形貌进行分析,发现碳保护膜可以有效减小高温退火产生的表面粗糙,抑制沟槽的形成。二次离子质谱分析结果表明退火没有导致明显的钒在SiC中的再扩散。即使经过1650℃高温退火,也没有发现钒离子向SiC表面外扩散的现象。
王超张义门张玉明谢昭熙郭辉徐大庆
关键词：退火
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共1页<1>
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