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郭辉

作品数：291 被引量：128H指数：6
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划河南省教育厅科学技术研究重点项目更多>>
相关领域：电子电信电气工程理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 239篇专利
  • 35篇期刊文章
  • 11篇会议论文
  • 6篇学位论文

领域

  • 65篇电子电信
  • 10篇电气工程
  • 8篇理学
  • 7篇自动化与计算...
  • 7篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 79篇欧姆接触
  • 76篇样片
  • 69篇退火
  • 61篇石墨
  • 61篇石墨烯
  • 57篇电池
  • 53篇欧姆接触电极
  • 53篇接触电极
  • 48篇衬底
  • 41篇碳化硅
  • 33篇碳膜
  • 31篇核电池
  • 29篇电子器件
  • 29篇微电子
  • 29篇微电子器件
  • 29篇CU膜
  • 28篇晶体管
  • 26篇淀积
  • 23篇掺杂
  • 22篇SIC衬底

机构

  • 263篇西安电子科技...
  • 29篇河南理工大学
  • 3篇西北大学
  • 2篇教育部
  • 2篇中国工程物理...
  • 2篇国家电投集团...
  • 1篇武警工程学院
  • 1篇深圳市科技和...

作者

  • 291篇郭辉
  • 230篇张玉明
  • 76篇雷天民
  • 71篇张克基
  • 45篇张义门
  • 36篇宋庆文
  • 35篇邓鹏飞
  • 34篇张艺蒙
  • 31篇张晨旭
  • 31篇胡彦飞
  • 30篇汤晓燕
  • 26篇韩超
  • 26篇王悦湖
  • 24篇赵艳黎
  • 20篇张凤祁
  • 20篇袁昊
  • 16篇石彦强
  • 14篇贾仁需
  • 11篇程萍
  • 10篇何艳静

传媒

  • 6篇Journa...
  • 5篇西安电子科技...
  • 4篇物理学报
  • 3篇第十五届全国...
  • 2篇计算机工程与...
  • 2篇电子器件
  • 2篇现代电子技术
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子与信息学...
  • 1篇矿山机械
  • 1篇计算机工程
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇信息与控制
  • 1篇计算机系统应...
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微波学报
  • 1篇山西电子技术
  • 1篇传感器与微系...

年份

  • 11篇2024
  • 12篇2023
  • 13篇2022
  • 5篇2021
  • 7篇2020
  • 8篇2019
  • 10篇2018
  • 15篇2017
  • 15篇2016
  • 9篇2015
  • 39篇2014
  • 42篇2013
  • 42篇2012
  • 8篇2011
  • 14篇2010
  • 12篇2009
  • 11篇2008
  • 11篇2007
  • 4篇2006
  • 3篇2005
共 291 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种IBC太阳能电池
本实用新型涉及IBC太阳能电池技术领域，特别是涉及一种新型背电极的IBC太阳能电池，包括N型硅片(10)、P+重掺杂区(21)、N+重掺杂区(22)、第一钝化层(31)、第二钝化层(32)，P+重掺杂区(21)和N+重掺...
郭辉董鹏张玉明张晨旭屈小勇
文献传递
基于碳化硅PIN二极管结构的α辐照闪烁体探测器
本发明公开了一种基于碳化硅PIN二极管结构的α射线闪烁体探测器及其制作方法，主要解决现有技术探测率低、不利于集成、抗辐射性差的问题。本发明的碳化硅PIN二极管型α射线探测器自下而上包括N型欧姆接触电极(8)、N型SiC衬...
郭辉陈小青张玉明刘博睿张晨旭
n型SiC的Ni基欧姆接触中C空位作用的实验证明(英文)被引量：2
2007年
通过在Si面p型4 H-SiC外延层上使用P+离子注入来形成n阱.Ti和Ni依次淀积在有源区的表面,金属化退火后的XRD分析结果表明Ni2Si是主要的合金相.XEDS的结果表明在Ni2Si/SiC界面处存在一层无定型C.去除Ni2Si合金相与无定型C之后重新淀积金属,不经退火即可形成欧姆接触.同时,注入层的方块电阻Rsh从975下降到438Ω/□.结果表明,合金化退火过程中形成了起施主作用的C空位(VC) .C空位提高了有效载流子浓度并对最终形成欧姆接触起到了重要作用.
郭辉张义门张玉明
关键词：NI欧姆接触SIC离子注入
外延GaN的串联式PIN结构α辐照电池及其制备方法
本发明公开了一种外延GaN的串联式PIN结构α辐照电池，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN型辐照电池能量转换效率低、输出电压有限的问题。其由上下两个串联的PIN结构成；上PIN结包括N型GaN外延层欧姆接触电极、N型Ga...
郭辉翟华星张艺蒙宋庆文张玉明
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具有减薄P型区的分布电极PiN型β辐照电池及制备方法
本发明涉及一种具有减薄P型区的分布电极PiN型β辐照电池及制备方法，辐照电池包括：PiN单元和位于PiN单元上的放射性同位素单元，PiN单元包括N型掺杂4H‑SiC衬底、N型掺杂4H‑SiC外延层、P型掺杂4H‑SiC外...
郭辉钱驰文韩超袁飞霞张玉明袁昊
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一种新型超低接触电阻SiC基欧姆接触制备方法
本发明公开了一种新型超低接触电阻SiC基欧姆接触制备方法，包括：选取SiC衬底；在SiC衬底转移石墨烯或是外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构；在石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜；通过第一次光刻胶光刻方法在Au膜上...
胡彦飞纪宇婷郭辉梁佳博何艳静袁昊王雨田
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一种并联均流的反激变换器
本发明公开了一种并联均流的反激变换器，包括：反激电路和并联均流电路；其中，所述并联均流电路包括多个并联的支路，每个支路包括串接的功率器件和电感；每个支路均串接于所述反激电路的副边电路中，所有支路的电感缠绕于同一磁芯上以彼...
张艺蒙孙世凯郭辉宋庆文汤晓燕张玉明
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基于Ni膜辅助退火的石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于Ni膜辅助退火的石墨烯制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯面积小、连续性不好、层数不均匀的问题。本发明采用在4-12英寸的Si衬底基片上先生长一层碳化层作为过渡，然后在温度为1200℃-1350℃...
郭辉邓鹏飞张玉明张克基雷天民
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碳化硅指状肖特基接触式核电池
本发明公开了一种基于碳化硅的指状肖特基接触式核电池及其制作方法，主要解决现有技术中碳化硅pn结核电池制作工艺困难及肖特基结核电池效率低的问题。本发明自上而下依次包括键合层(1)、放射性同位素源层(3)、指状半透明肖特基接...
郭辉石彦强张玉明韩超陈丰平侯学智
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N沟道碳化硅绝缘栅双极型晶体管的制备方法
本发明公开了一种N沟道穿通型碳化硅绝缘栅双极型晶体管的制备方法，主要解决目前碳化硅绝缘栅双极型晶体管制备成本过高的问题。其实现步骤包括：1.选用结构性能优良的N型碳化硅衬底，在该衬底正面外延生长一层N型外延层；2.在衬底...
郭辉翟华星宋庆文张艺蒙张玉明汤晓燕
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