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宋庆文

作品数：322 被引量：16H指数：2
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金陕西省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程文化科学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 300篇专利
  • 10篇期刊文章
  • 10篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 92篇电子电信
  • 12篇电气工程
  • 8篇文化科学
  • 6篇一般工业技术
  • 4篇自动化与计算...
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇经济管理
  • 1篇化学工程
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇理学

主题

  • 95篇碳化硅
  • 70篇肖特基
  • 54篇肖特基接触
  • 54篇二极管
  • 46篇欧姆接触
  • 36篇电阻
  • 35篇衬底
  • 32篇导通
  • 31篇外延层
  • 31篇肖特基二极管
  • 31篇掺杂
  • 30篇源区
  • 26篇导通电阻
  • 26篇晶体管
  • 25篇电路
  • 24篇电压
  • 21篇氧化层
  • 21篇击穿电压
  • 19篇碳化硅衬底
  • 19篇硅衬底

机构

  • 322篇西安电子科技...
  • 6篇陕西半导体先...
  • 2篇西安电子科技...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中兴通讯股份...
  • 1篇湖南国芯半导...

作者

  • 322篇宋庆文
  • 282篇张玉明
  • 259篇汤晓燕
  • 191篇张艺蒙
  • 90篇袁昊
  • 57篇王悦湖
  • 40篇贾仁需
  • 36篇郭辉
  • 35篇何艳静
  • 27篇元磊
  • 19篇张义门
  • 16篇吕红亮
  • 14篇韩超
  • 13篇胡继超
  • 12篇闫宏丽
  • 10篇李彦良
  • 9篇弓小武
  • 8篇陈辉
  • 8篇杨帅
  • 6篇陈利利

传媒

  • 2篇现代应用物理
  • 1篇电子测试
  • 1篇物理学报
  • 1篇科技导报
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇新材料产业
  • 1篇大功率变流技...
  • 1篇科技纵览
  • 1篇第六届西北地...
  • 1篇2013年全...

年份

  • 19篇2024
  • 28篇2023
  • 44篇2022
  • 21篇2021
  • 36篇2020
  • 31篇2019
  • 16篇2018
  • 32篇2017
  • 12篇2016
  • 6篇2015
  • 60篇2014
  • 6篇2013
  • 3篇2012
  • 2篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
共 322 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
外延GaN的串联式PIN结构α辐照电池及其制备方法
本发明公开了一种外延GaN的串联式PIN结构α辐照电池，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN型辐照电池能量转换效率低、输出电压有限的问题。其由上下两个串联的PIN结构成；上PIN结包括N型GaN外延层欧姆接触电极、N型Ga...
郭辉翟华星张艺蒙宋庆文张玉明
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耐高温碳化硅欧姆接触结构制作方法及其结构
本发明涉及一种耐高温碳化硅欧姆接触结构制作方法，包括：选取SiC衬底；在所述SiC衬底表面生长SiC外延层；利用磁控溅射工艺在所述SiC外延层表面依次淀积Ni金属层、W金属层、TaSi<Sub>2</Sub>金属层及Pt...
张艺蒙张玉明李彦良宋庆文汤晓燕
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一种并联均流的反激变换器
本发明公开了一种并联均流的反激变换器，包括：反激电路和并联均流电路；其中，所述并联均流电路包括多个并联的支路，每个支路包括串接的功率器件和电感；每个支路均串接于所述反激电路的副边电路中，所有支路的电感缠绕于同一磁芯上以彼...
张艺蒙孙世凯郭辉宋庆文汤晓燕张玉明
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N沟道碳化硅绝缘栅双极型晶体管的制备方法
本发明公开了一种N沟道穿通型碳化硅绝缘栅双极型晶体管的制备方法，主要解决目前碳化硅绝缘栅双极型晶体管制备成本过高的问题。其实现步骤包括：1.选用结构性能优良的N型碳化硅衬底，在该衬底正面外延生长一层N型外延层；2.在衬底...
郭辉翟华星宋庆文张艺蒙张玉明汤晓燕
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一种改善正向特性的槽型混合PiN肖特基二极管
本发明公开了一种改善正向特性的槽型混合PiN肖特基二极管，包括：N<Sup>+</Sup>衬底区；漂移层，位于N<Sup>+</Sup>衬底区上；P型区，包括：沟槽底部P型区和沟槽侧壁P型区，沟槽侧壁P型区第一侧边与沟槽...
宋庆文王栋张玉明汤晓燕袁昊张艺蒙
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一种基于碳基复合电极的高温SiC JFET器件
本发明公开了一种基于碳基复合电极的高温SiC？JFET器件，包括N<Sup>+</Sup>衬底、N<Sup>-</Sup>漂移区、N沟道区、P<Sup>+</Sup>栅区、N<Sup>+</Sup>源区、由第一碳基材料层...
张艺蒙唐美艳宋庆文汤晓燕
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SiC衬底同质外延碳硅双原子层薄膜的方法
本发明涉及一种SiC衬底同质外延碳硅双原子层薄膜的方法，其特征在于，方法包括：将加工SiC衬底放置到外延炉中，并将外延炉抽取真空；通入氢气保持气压为100mbar并对外延炉加热，开始对加工SiC衬底开始原位刻蚀；温度保持...
贾仁需辛斌宋庆文张艺蒙闫宏丽
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一种基于N型纳米薄层来提高N型DiMOSFET沟道迁移率方法
本发明公开了一种基于N型纳米薄层来提高N型DiMOSFET沟道迁移率方法，在已有离子注入工艺基础上将注入形成对导电沟道层注氮改为由外延形成的N<Sup>+</Sup>外延层a对导电沟道层注氮；对于N沟DiMOSFET器件...
宋庆文何艳静汤晓燕张艺蒙贾仁需吕红亮张玉明
文献传递
串联式PIN结构β辐照电池及其制备方法
本发明公开了一种串联式PIN结构β辐照电池及其制备方法，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN型β辐照电池能量转换效率低、输出电压有限的问题。其由上下两个串联的PIN结构成；上PIN结包括N型高掺杂外延层、P型低掺杂外延层、...
郭辉黄海栗宋庆文王悦湖张玉明
文献传递
一种有效的4H-SiC BJT结终端设计
提出一种离子注入结终端扩展(JTE)和辅助环(Assistant Rings,AR)相结合的终端结构,其在传统的JTE结构周围加入等剂量的类保护环结构,仿真结果显示该结构能更好的调制器件边缘和耐压层之间的电场分布。通过优...
元磊张玉明张义门汤晓燕宋庆文
关键词：碳化硅双极型晶体管
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