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黄志军

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：通辽供电公司更多>>
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合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇射线
  • 1篇蒙特卡罗
  • 1篇蒙特卡罗方法
  • 1篇厚度
  • 1篇半导体
  • 1篇X射线
  • 1篇硅
  • 1篇金

机构

  • 1篇内蒙古民族大...
  • 1篇通辽供电公司

作者

  • 1篇张建芳
  • 1篇李春芝
  • 1篇黄志军

传媒

  • 1篇原子与分子物...

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
X射线在金-硅界面剂量增强系数与金和硅厚度关系的模拟研究
2014年
用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法计算不同能量的X射线在金-硅(Au-Si)界面处产生的剂量增强系数(DEF)与金(Au)和硅(Si)厚度的关系.结果表明:Au和Si的厚度影响界面下的DEF,界面一侧Si中的DEF随Au和Si厚度的增加而增大.此外还研究了确定的Au厚度在界面下不同位置处的DEF随能量的变化关系,界面处的DEF最大,离界面越远剂量增强效应越小.
张建芳李春芝黄志军
关键词：半导体蒙特卡罗方法X射线
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