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黄志军
作品数:
1
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相关领域:
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李春芝
内蒙古民族大学物理与电子信息学...
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内蒙古民族大学物理与电子信息学...
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X射线在金-硅界面剂量增强系数与金和硅厚度关系的模拟研究
2014年
用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法计算不同能量的X射线在金-硅(Au-Si)界面处产生的剂量增强系数(DEF)与金(Au)和硅(Si)厚度的关系.结果表明:Au和Si的厚度影响界面下的DEF,界面一侧Si中的DEF随Au和Si厚度的增加而增大.此外还研究了确定的Au厚度在界面下不同位置处的DEF随能量的变化关系,界面处的DEF最大,离界面越远剂量增强效应越小.
张建芳
李春芝
黄志军
关键词:
半导体
蒙特卡罗方法
X射线
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