张建芳
- 作品数：14 被引量：42H指数：4
- 供职机构：内蒙古民族大学物理与电子信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金内蒙古自治区自然科学基金博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程电子电信文化科学更多>>
- 《固体物理学》教学改革浅析被引量：6
- 2012年
- 科学技术的迅猛发展对固体物理课程教学提出了现代化改革的迫切要求,固体物理教学必须适应学科快速发展和学生培养目标的新要求。结合创新型人才的培养目标,我们将以能力和素质的培养为主线,建立明确的教学目标,除了给学生传授固体物理的基本知识外,还在教学中着重强调固体物理研究中的科学精神和科学思维方法,注入科技发展的新观点和新方法。本文主要分析了固体物理教学的现状、探究了教学内容、教学模式、教学方法等方面的新思路,提出了创新性的教学改革理念,以提高固体物理课程的教学质量。
- 香莲张建芳何颖卓
- 关键词：创新教学固体物理学教学质量
- X射线在肖特基与酞菁氧钛界面剂量增强系数的模拟
- 2016年
- 用蒙特卡罗方法计算不同能量的X射线在Schottky-TiOPc-Schottky界面处产生的剂量增强系数(DEF)与肖特基(Schottky)和酞菁氧钛(TiOPc)厚度的关系。结果表明,界面下的DEF随TiOPc厚度的增加而增大,随Schottky厚度的增加而减小。同时模拟了Schottky-TiOPc单层与Schottky-TiOPc-Schottky双层结构在TiOPc一侧的DEF,对于Schottky-TiOPc-Schottky结构,界面下产生的剂量增强效应更明显。此外还研究了X射线从不同角度照射Schottky-TiOPc器件时,界面处DEF的变化情况,0°时较大,90°时最小。
- 张建芳特木尔巴根
- 关键词：X射线肖特基蒙特卡罗方法酞菁氧钛
- X射线在金-硅界面剂量增强系数与金和硅厚度关系的模拟研究
- 2014年
- 用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法计算不同能量的X射线在金-硅(Au-Si)界面处产生的剂量增强系数(DEF)与金(Au)和硅(Si)厚度的关系.结果表明:Au和Si的厚度影响界面下的DEF,界面一侧Si中的DEF随Au和Si厚度的增加而增大.此外还研究了确定的Au厚度在界面下不同位置处的DEF随能量的变化关系,界面处的DEF最大,离界面越远剂量增强效应越小.
- 张建芳李春芝黄志军
- 关键词：半导体蒙特卡罗方法X射线
- 用蒙特卡罗方法研究不同厚度的金对X射线在金-酞菁铜界面附近剂量分布的影响被引量：3
- 2008年
- 用蒙特卡罗方法计算不同厚度的金在金-酞菁铜界面的剂量增强系数．结果表明，金的厚度影响界面附近的剂量增强效果．当金的厚度为0～8μm时，剂量增强系数随金厚度的增加而增大．
- 张慧赵广义赵宝奎马玉刚李险峰董文斌张建芳李海波苗闯刘广涛王文全
- 关键词：蒙特卡罗方法有机半导体
- 同轴型HPGe探测器死层厚度和冷指尺寸的调整
- 2013年
- 利用蒙特卡罗模拟计算和实验测量相结合的方法,对晶体死层厚度及冷指尺寸进行了修正。结果表明,当探测器的死层厚度为0.22 cm,冷指半径和长度分别为0.301和1.00 cm时,模拟效率与实验效率、模拟能谱与实验能谱符合很好。
- 张建芳特木尔巴根
- 关键词：蒙特卡罗方法高纯锗探测器
- 用蒙特卡罗方法计算高纯锗探测器的全能峰效率被引量：1
- 2012年
- 本文采用蒙特卡罗方法及通用程序MCNP-4C模拟了γ射线的全能峰效率,并阐述了蒙特卡罗模拟的基本思想.结果表明,蒙特卡罗模拟得到的全能峰效率与实验测量得到的全能峰效率具有完全相同的特征.
- 张建芳
- 关键词：高纯锗探测器MONTECARLO方法
- 用蒙特卡罗方法研究X射线在金-硅-金界面的剂量增强效应被引量：1
- 2016年
- 用蒙特卡罗方法(MCNP)计算不同能量的X射线在Au-Si-Au界面处产生的剂量增强系数(DEF)与金(Au)和硅(Si)厚度的关系.结果表明,界面下的DEF随Au厚度的增加而增大,随Si厚度的增加而减小.同时模拟了单层Au(Au-Si)与双层Au(Au-Si-Au)结构在Si一侧的DEF,对于结构Au-Si-Au,界面下产生的剂量增强效应更明显.
- 张建芳崔光祖李明忠包特木尔巴根
- 关键词：金硅蒙特卡罗方法X射线
- 应用物理专业肿瘤放射物理学的教学改革被引量：1
- 2015年
- 分析了内蒙古民族大学应用物理专业肿瘤放射物理学的教学现状,讨论了对该专业肿瘤放射物理学教学改革的必要性,并根据自己的教学实践,提出了关于提高肿瘤放射物理学教学效果的几点看法.
- 张建芳梅景红王旭颖
- 关键词：应用物理专业教学现状教学探索
- X射线在Au-SiO_2界面剂量增强系数与Au厚度关系的模拟研究
- 2013年
- 用蒙特卡罗（MonteCarlo）方法计算Au—SiOz界面的剂量增强系数（DEF）随能量的变化关系及不同厚度的Au对Au—SiOz界面剂量增强系数的影响。结果表明：界面下的DEF与Au的厚度有关，当Au厚度从1gm增加到9tam，DEF随之增大；当Au厚度超过9tam，随Au厚度增加DEF减小。当x射线能量为10～250keV时，界面附近SiO。一侧存在不同程度的剂量增强，而且在整个能量范围内出现了两个明显的峰值，其中剂量增强系数最大值达40．4。
- 张建芳特木尔巴根
- 关键词：X射线半导体蒙特卡罗方法
- X射线辐照有机半导体器件剂量增强效应的模拟被引量：1
- 2013年
- 用蒙特卡罗(MCNP)方法计算有机半导体的封装材料为金(Au)和陶瓷(Ceramic)、金属化层为金(Au)和铝(Al)时对金属-酞菁铜(CuPc)界面下剂量增强效应影响。结果表明,封装和金属化层结合方式不同,在界面下引起的剂量增强程度也不同,并讨论每种结构在界面下所产生的最大剂量增强系数及引起剂量增强的X射线的能量范围。
- 张建芳
- 关键词：蒙特卡罗方法X射线封装材料
