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孔月婵
作品数:
2
被引量:3
H指数:1
供职机构:
微波毫米波单片集成和模块电路国家级 重点实验室
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发文基金:
国家自然科学基金
教育部“新世纪优秀人才支持计划”
江苏高校优势学科建设工程资助项目
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相关领域:
电子电信
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合作作者
陈辰
微波毫米波单片集成和模块电路国...
刘斌
南京大学电子科学与工程学院
修向前
南京大学电子科学与工程学院
韩平
南京大学电子科学与工程学院
吴才川
南京大学电子科学与工程学院
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泊松
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泊松方程
机构
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南京大学
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杭州电子科技...
作者
2篇
陈辰
2篇
孔月婵
1篇
谢自力
1篇
孙玲玲
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张荣
1篇
陈鹏
1篇
吴才川
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韩平
1篇
修向前
1篇
刘军
1篇
刘斌
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陈磊
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吕彬义
传媒
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半导体技术
1篇
激光与光电子...
年份
1篇
2013
1篇
2010
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新型电极材料石墨烯在LED中的应用
被引量:2
2013年
石墨烯具有独特的力学、热学和光电学性能,良好的热稳定性与化学稳定性,是制备高性能导电薄膜的理想材料之一。主要介绍了石墨烯薄膜的制备和表征技术以及石墨烯导电薄膜作为电极应用在GaN基LED中的研究进展和存在的问题,并对石墨烯电极的应用前景进行了展望。
吴才川
刘斌
谢自力
修向前
陈鹏
韩平
张荣
孔月婵
陈辰
关键词:
光电子学
石墨烯
氧化铟锡
发光二极管
基于表面势的HEMT模型分析
被引量:1
2010年
将表面势的概念引入GaAs高电子迁移率晶体管器件结构,以建立可精确描述HEMT器件输入/出特性的新模型。通过分析最基本的HEMT结构,参考Si基MOSFET中Pao-sah模型的分析方法,对沟道电荷利用泊松方程表述,并结合能带电压关系,建立HEMT器件中表面势(Φ_s)对于栅压(V_(GS))的关系。基于上述分析计算了沟道中电子的饱和点。根据推导所得方程,模型计算得到的某具体器件沟道面电荷密度(n_s)-栅压(V_(GS))关系曲线和基于T-CAD工具仿真结果在线性区得到很好的吻合。
吕彬义
孙玲玲
孔月婵
陈辰
刘军
陈磊
关键词:
表面势
泊松方程
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