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陈辰: 作品数：108 被引量：108H指数：6; 供职机构：南京电子器件研究所更多>>; 发文基金：国家重点基础研究发展计划微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金国家自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

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凹槽栅场调制板结构AlGaN/GaN HEMT被引量：2: 2007年; 研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs,采用凹槽栅和场调制板结构有效抑制了器件的电流崩塌,提高了器件的击穿电压和器件的微波功率特性.研制的1mm栅宽器件在8GHz,34V工作电压下,饱和输出功率达到了9.05W,功率增益为7.5dB,功率附加效率为46%.; 陈堂胜王晓亮焦刚钟世昌任春江陈辰李拂晓; 关键词：宽禁带半导体场板

Fabrication of SiC MESFETs for Microwave Power Applications被引量：1: 2007年; 4H-SiC MESFETs are fabricated on semi-insulating SiC substrates. Key processes are optimized to obtain better device performance. A microwave power amplifier is demonstrated from a 1mm SiC MESFET for S band operation. When operated at a drain voltage of 64V, the amplifier shows an output power of 4.09W, a gain of 9.3dB,and a power added efficiency of 31.3%.; 柏松陈刚张涛李哲洋汪浩蒋幼泉韩春林陈辰; 关键词：4H-SIC MESFET MICROWAVE

凹槽栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT特性分析: 2007年; 研究了无场调制板结构、有场调制板结构但无凹槽栅、结合场调制板结构和凹槽栅工艺三种AlGaN/GaN HEMT的动态I-V特性和微波特性,认为场调制板结构和凹槽栅工艺可以有效改善AlGaN/GaN HEMT器件沟道内电场分布,显著减小电流崩塌现象,提高器件的微波输出功率特性.利用此技术研制的1mm栅宽AlGaN/GaNHEMT输出功率大于10W.; 陈辰陈堂胜任春江薛舫时; 关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管场板

Ku波段60W AlGaN/GaN功率管被引量：10: 2014年; 针对Ku波段60W氮化镓内匹配功率管,开展了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试等研究工作,实现了GaN功率HEMT在Ku波段60W输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω。该功率管采用南京电子器件研究所研制的两个10.8mm栅宽管芯进行合成,最终研制的GaN Ku波段内匹配功率管在28V漏电压、1ms周期、10%占空比及14.0~14.5GHz频带内输出功率大于60W,最高功率输出66W,带内功率增益大于6dB,最大功率附加效率33.1%,充分显示了GaN功率器件在Ku波段应用的性能优势。; 钟世昌陈堂胜钱锋陈辰高涛; 关键词：KU波段内匹配

100nm GaAsMHEMT器件研制: 2012年; 应用电子束直写技术成功制作了栅长100nm的高性能In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As GaAs MHEMT(渐变组分高电子迁移率晶体管)。从工艺角度,结合器件的小信号等效电路的理论分析,优化了器件T形栅尺寸与工艺,从而减小了器件寄生参数,达到了较好的器件性能。最终制作的In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT饱和电流达到460mA/mm,夹断电压-0.8V,在Vgs为-0.23V时的最大非本征跨导gm为940mS/mm,截止频率ft达到220GHz,最大振荡频率fmax大于200GHz。; 康耀辉徐筱乐高建峰陈辰; 关键词：T形栅截止频率

SiC基AlGaN/GaN HEMTs外延工艺研究: 利用MOCVD研究了SiC衬底AlGaN/GaN HEMTs材料外延生长工艺。所研制GaNHEMTs外延材料的2DEG方块电阻不均匀性约为2%,n×μ达到2.2×10/V·s（室温）。采用上述材料制作1 mm栅宽HEMT...; 李忠辉董逊任春江李亮焦刚陈辰陈堂胜; 关键词：碳化硅氮化镓高电子迁移率晶体管; 文献传递

耐250℃高温的1200 V-5 A 4H-SiC JBS二极管: 2010年; 倪炜江李宇柱李哲洋李赞陈辰陈效建; 关键词：二极管电力电子器件 SIC 高热导率

InP基共振遂穿二极管研究: 2008年; 在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)进行了优化设计,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。在室温下测试了器件的电学特性,峰值电流密度24.6kA/cm2,峰谷电流比为8.6。通过MATLAB软件对器件I-V测试曲线进行了数值拟合,结果与实验数据吻合得很好。; 韩春林薛舫时高建峰陈辰; 关键词：空气桥 MATLAB 电子束光刻分子束外延

8bit1．4GS／s模数转换器: 2010年; 张有涛李晓鹏刘奡张敏钱峰陈辰; 关键词：高速模数转换器高速ADC 高速数据采集校准技术软件无线电数字化雷达

4H-SiC MESFET结构外延生长技术被引量：1: 2007年; 利用热壁式CVD技术生长4H-SiC MESFET结构外延材料,TMA和氮气分别用作p型和n型掺杂源.外延层厚度使用SEM进行表征,SIMS及汞探针C-V用作外延层掺杂浓度测试.通过优化生长参数,成功生长出高质量的MESFET结构外延材料并获得陡峭的过渡掺杂曲线,并给出了部分器件测试结果.; 李哲洋董逊柏松陈刚陈堂胜陈辰; 关键词：4H-SIC MESFET SEM SIMS