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刘士彦

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：河北师范大学物理科学与信息工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光
  • 1篇PECVD

机构

  • 1篇河北师范大学
  • 1篇河北省新型薄...

作者

  • 1篇潘成福
  • 1篇甄聪棉
  • 1篇侯登录
  • 1篇郑玉龙
  • 1篇刘士彦

传媒

  • 1篇河北师范大学...

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
氮化硅的光致发光
2011年
采用PECVD技术在单晶硅(100)硅片表面沉积非晶氮化硅薄膜(-αSiNx),通过改变压强,调节氮气流量制备样品,再对沉积态样品进行真空传统退火和氮气氛围快速热退火(RTP)处理.研究认为,所制备的-αSiNx薄膜(N2与SiH4流量比>20∶1)的发光机制以能隙态模型发光机制为主.反应气体流量比不变,提高总的反应气压样品的发光主峰峰位发生了蓝移,真空高温长时间退火会减弱其光致发光效应,快速短时退火有利于其发光峰的增强.
刘士彦郑玉龙甄聪棉潘成福侯登录
关键词：PECVD
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