郑玉龙
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：河北师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 氮化硅的光致发光
- 2011年
- 采用PECVD技术在单晶硅(100)硅片表面沉积非晶氮化硅薄膜(-αSiNx),通过改变压强,调节氮气流量制备样品,再对沉积态样品进行真空传统退火和氮气氛围快速热退火(RTP)处理.研究认为,所制备的-αSiNx薄膜(N2与SiH4流量比>20∶1)的发光机制以能隙态模型发光机制为主.反应气体流量比不变,提高总的反应气压样品的发光主峰峰位发生了蓝移,真空高温长时间退火会减弱其光致发光效应,快速短时退火有利于其发光峰的增强.
- 刘士彦郑玉龙甄聪棉潘成福侯登录
- 关键词：PECVD
- 氧化铝薄膜的制备与磁有序研究
- 近年来,低维材料(如HfO2薄膜、TiO2、In2O3、ZnO(?)CeO2纳米颗粒等)由于其在自旋电子设备中的潜在应用价值而受到广泛关注。Sundaresan等人报道了Al2O3纳米颗粒的室温铁磁性,并且认为铁磁性是纳...
- 郑玉龙
- 关键词：室温铁磁性傅里叶变换红外光谱
- Si-Al_2O_3复合薄膜的室温铁磁性
- 2011年
- 在Si-Al2O3复合薄膜中观察到室温铁磁性.Si的体积百分比为15%的Si-Al2O3复合薄膜的磁性最强.Si的含量影响样品的磁有序,在样品中观察到了明显的磁畴.在不同气氛下,对样品进行快速热退火.退火样品的磁性测试结果的差别表明氧空位不是样品铁磁性的主要来源.我们认为铁磁性来源于Si与Al2O3基质界面之间的缺陷的磁耦合.改变Si的含量可以改变缺陷密度,从而控制铁磁耦合强度.
- 郑玉龙甄聪棉马丽李秀玲潘成福侯登录
- 关键词：AL2O3薄膜室温铁磁性掺杂
- 一种具有室温铁磁性的C-Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3-δ</Sub>复合薄膜材料及其制备方法
- 本发明公开了一种化学式为C-Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3-</Sub><Sub>δ</Sub>具有室温铁磁性的复合薄膜材料，式中C的体积百分比≤10vol%，Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3-</...
- 甄聪棉刘秀敏郑玉龙马丽潘成福侯登录
- 文献传递
