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常乾

作品数：11 被引量：5H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇标准
  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 10篇封装
  • 8篇电路
  • 8篇陶瓷封装
  • 8篇集成电路
  • 4篇键合
  • 3篇芯片
  • 3篇工艺技术要求
  • 2篇叠层
  • 2篇叠层封装
  • 2篇封装结构
  • 1篇倒装焊
  • 1篇多芯片
  • 1篇多芯片封装
  • 1篇引线
  • 1篇引线键合
  • 1篇引线键合技术
  • 1篇圆片
  • 1篇阵列
  • 1篇塑封
  • 1篇芯片封装

机构

  • 11篇中国电子科技...

作者

  • 11篇常乾
  • 6篇朱卫良
  • 4篇高娜燕
  • 2篇明雪飞
  • 1篇丁荣峥
  • 1篇陈陶
  • 1篇曹玉媛
  • 1篇朱媛

传媒

  • 1篇电子与封装

年份

  • 10篇2018
  • 1篇2017
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
集成电路陶瓷封装 硅铝丝键合工艺技术要求
本标准规定了军用集成电路陶瓷封装硅铝丝键合工艺(以下简称硅铝丝键合工艺)的一般要求和对原材料、设备、工艺流程、关键控制点及检验的详细要求。本标准适用于军用集成电路芯片与陶瓷外壳键合区的硅铝丝楔焊键合工艺。
王波廖小平肖汉武朱卫良姚昕常乾王燕婷
集成电路陶瓷封装 芯片胶粘接装片工艺技术要求
本标准规定了集成电路陶瓷封装芯片胶粘接装片工艺的一般要求和详细要求。本标准适用于集成电路硅芯片用胶材料粘接到陶瓷管壳的工艺，也适用于氮化嫁、砷化嫁芯片胶粘接装片工艺。
朱家昌李良海肖汉武朱卫良常乾王燕婷
集成电路陶瓷封装 合金烧结密封工艺技术要求
本标准规定了集成电路陶瓷封装合金烧结密封工艺(以下简称合金烧结密封工艺)的一般要求和详细要求。本标准适用于带合金焊料的金属、陶瓷、玻璃盖板与陶瓷外壳进行合金烧结的密封工艺。
常乾陈陶肖汉武明雪飞高娜燕王燕婷
一种多类型芯片叠层封装结构及其制作方法
本发明公开了一种多类型芯片叠层封装结构及其制作方法，该封装结构包括由下至上依次堆叠的至少二个芯片封装体，芯片封装体包括功能芯片、钝化层、再布线层和阵列焊柱，功能芯片注塑形成一塑封体，塑封体的下表面设有钝化层，塑封体的下表...
高娜燕常乾
文献传递
一种多芯片叠层封装结构及其制作方法
本发明公开了一种多芯片叠层封装结构及其制作方法，该封装结构叠层包括由下至上依次堆叠的至少二个双芯片叠层封装体，双芯片叠层封装体包括引线键合芯片、倒装焊芯片、钝化层、再布线层、键合丝和垂直阵列引线，倒装焊芯片粘接于引线键合...
常乾高娜燕
文献传递
夹层式叠层芯片引线键合技术及其可靠性被引量：5
2017年
随着电子封装技术的快速发展,叠层封装成为一种广泛应用的三维封装技术,该技术能够满足电子产品高性能、轻重量、低功耗、小尺寸等日益增长的需求。针对陶瓷封装腔体中的夹层式叠层芯片结构,键合点与键合引线处于陶瓷外壳空腔中,未有塑封料填充固定,区别于塑封叠层芯片封装器件,优化其引线键合技术,并做了相应可靠性评估试验。键合引线偏移长度最大为0.119 mm,未出现键合引线间隙小于设计值、碰丝短路等情况,为高可靠叠层芯片封装研究提供了参考。
常乾朱媛曹玉媛丁荣峥
关键词：可靠性
集成电路陶瓷封装 键合前检验要求
本标准规定了集成电路陶瓷封装键合前检验的一般要求和详细要求。本标准适用于集成电路陶瓷封装引线键合前的芯片、外壳及键合丝的检验。
常乾廖小平肖汉武明雪飞高娜燕王燕婷
集成电路陶瓷封装 圆片划片工艺技术要求
本标准规定了军用集成电路圆片砂轮划片工艺的一般要求和划片工艺所使用的原材料、设备、工艺流程、关键控制点及检验的详细要求。本标准适用于12英寸及以下尺寸集成电路硅圆片(不含带凸点圆片)砂轮划片工艺(以下简称划片工艺)。
李守委李云海肖汉武朱卫良常乾王燕婷
集成电路陶瓷封装 金丝键合工艺技术要求
本标准规定了军用集成电路陶瓷封装金丝键合工艺(以下简称金丝键合工艺)的一般要求和对原材料、设备、工艺流程、关键控制点及检验的详细要求。本标准适用于军用集成电路陶瓷封装电路芯片与陶瓷外壳键合区的金丝键合工艺。
王波廖小平肖汉武朱卫良姚昕常乾王燕婷
集成电路陶瓷封装 装片前检验要求
本标准规定了集成电路陶瓷封装装片前检验的一般要求和详细要求。本标准适用于集成电路陶瓷封装装片工艺前的芯片、外壳及装片材料的检验。
朱家昌李良海肖汉武朱卫良常乾王燕婷
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