您的位置： 专家智库 > >

田寒梅

作品数：2 被引量：5H指数：2
供职机构：北京科技大学新材料技术研究院更多>>
发文基金：中国博士后科学基金国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域：一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 2篇氮化镓
  • 2篇GAN
  • 1篇等离子体化学...
  • 1篇英文
  • 1篇微波等离子体
  • 1篇微波等离子体...
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇过渡层
  • 1篇硅

机构

  • 2篇北京科技大学

作者

  • 2篇陈良贤
  • 2篇李成明
  • 2篇魏俊俊
  • 2篇刘金龙
  • 2篇黑立富
  • 2篇田寒梅

传媒

  • 1篇新型炭材料
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
基于硅过渡层纳米金刚石膜/GaN复合膜系的制备（英文）被引量：3
2016年
本文研发了一种简便有效的在GaN半导体衬底上直接生长纳米金刚石膜的方法。研究发现,直接将GaN衬底暴露于氢等离子体中5 min即发生分解,且随着温度从560℃升高至680℃,这种分解反应愈加剧烈,很难在GaN衬底上直接形成结合力良好的纳米金刚石膜。通过在GaN衬底上镀制几纳米厚的硅过渡层,在富氢金刚石生长环境下,抑制了GaN衬底的分解,同时在GaN衬底上沉积了约2μm厚的纳米金刚石膜。硅过渡层厚度是决定纳米金刚石与GaN衬底结合力的主要因素。当硅过渡层厚度为10 nm时,纳米金刚石膜与GaN衬底呈现出大于10 N的结合力,可能与硅过渡层在金刚石生长过程中向SiC过渡层转变有关。
刘金龙田寒梅陈良贤魏俊俊黑立富李成明
关键词：氮化镓
微波等离子体下GaN的分解与纳米金刚石膜的沉积被引量：3
2015年
采用微波等离子体化学气相沉积(microwave plasma chemical vapor deposition,MPCVD)技术系统地研究了GaN的分解机制。结果表明微波等离子体富氢环境促进了GaN的分解反应,分解过程由表面缺陷开始,向侧面扩展,最后沿氮极性面进行;氢等离子体中通入少量氮气能够显著抑制GaN的分解,在此基础上采用两步生长法成功实现在GaN上纳米金刚石膜的直接沉积。
田寒梅刘金龙陈良贤魏俊俊黑立富李成明
关键词：氮化镓微波等离子体化学气相沉积
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0