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刘金龙

作品数:181 被引量:62H指数:4
供职机构:北京科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术金属学及工艺电气工程更多>>

文献类型

  • 152篇专利
  • 26篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 41篇化学工程
  • 20篇一般工业技术
  • 12篇金属学及工艺
  • 10篇电气工程
  • 6篇理学
  • 5篇电子电信
  • 5篇文化科学
  • 1篇核科学技术

主题

  • 115篇金刚石
  • 115篇刚石
  • 36篇金刚石膜
  • 33篇单晶金刚石
  • 32篇化学气相
  • 32篇化学气相沉积
  • 29篇等离子体化学...
  • 28篇微波等离子体
  • 26篇微波等离子体...
  • 21篇纳米
  • 18篇刻蚀
  • 17篇半导体
  • 15篇等离子体
  • 15篇金刚石表面
  • 13篇纳米金刚石
  • 11篇电弧
  • 11篇石墨
  • 10篇单晶
  • 10篇形核
  • 10篇氢等离子体

机构

  • 181篇北京科技大学
  • 1篇南京电子器件...
  • 1篇北京航空航天...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院力...
  • 1篇郑州工程技术...
  • 1篇东莞中子科学...

作者

  • 181篇刘金龙
  • 169篇李成明
  • 168篇陈良贤
  • 156篇魏俊俊
  • 54篇黑立富
  • 49篇张建军
  • 37篇安康
  • 22篇赵云
  • 20篇高旭辉
  • 19篇吕反修
  • 12篇郭建超
  • 8篇朱瑞华
  • 7篇张晓彤
  • 7篇刘兰军
  • 7篇王沁
  • 7篇王有华
  • 6篇张营营
  • 6篇王鹏
  • 5篇苗建印
  • 4篇王建国

传媒

  • 7篇人工晶体学报
  • 6篇材料热处理学...
  • 3篇金刚石与磨料...
  • 1篇新型炭材料
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇表面技术
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇材料工程
  • 1篇真空电子技术
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇中国科技论文
  • 1篇工程科学学报

年份

  • 6篇2024
  • 17篇2023
  • 28篇2022
  • 22篇2021
  • 19篇2020
  • 21篇2019
  • 10篇2018
  • 7篇2017
  • 11篇2016
  • 10篇2015
  • 5篇2014
  • 3篇2013
  • 8篇2012
  • 4篇2011
  • 4篇2010
  • 5篇2009
  • 1篇2007
181 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种金刚石膜研磨工装及其研磨方法
本发明属于金刚石膜加工技术领域,具体涉及一种在金刚石膜研磨过程中,能够保障金刚石膜高平整度,且能实现方便快捷测量金刚石膜去除量的金刚石膜研磨工装及其研磨方法;所述工装包括:垂直定位轴,用于矫正所述金刚石膜膜厚均匀性;下托...
魏俊俊贾鑫张建军刘金龙陈良贤李成明高旭辉
文献传递
离子源预处理工艺对WC基底表面及Ta缓冲涂层的影响被引量:1
2015年
研究了阳极层离子源预处理工艺对WC硬质合金基底表面粗糙度Ra和表面最大峰谷值Pv的影响,以及对后续镀制Ta缓冲涂层表面特征及膜基附着力的影响。结果表明,硬质合金基片表面粗糙度和表面最大峰谷值的增加量随基片偏压升高呈指数增加;而离子源电压对基片表面粗糙度和表面最大峰谷值影响较弱;采用离子源电压1350 V,基片偏压200 V轰击硬质合金基片15 min后镀制Ta膜,膜层表面晶粒细小均匀,表面致密性显著增加;此外,基片表面经离子源处理后,镀制的Ta缓冲层与基底的膜基结合力有较大改善,这将有利于提高后续贵金属保护涂层的附着力及抗元素扩散能力。
魏俊俊朱小研陈良贤刘金龙黑立富李成明张勇
关键词:结合力表面粗糙度
一种基于FPGA实现的RA码运算电路及设计方法
本发明涉及一种基于FPGA实现的RA码运算电路及设计方法,属于数字通信技术的信道编码和大规模集成电路设计的技术领域。本发明包括编码电路和解码电路,根据编码交织图样设计一个编码交织映射表MAP_ENC,编码控制逻辑根据MA...
王沁刘兰军王建国张晓彤黎明刘金龙王有华
文献传递
生物应用的羟基终端纳米金刚石的高效终端化制备方法
生物应用的羟基终端纳米金刚石的高效终端化制备方法,属于生物及医药用功能化基本材料制备领域。工艺步骤为:a.采用混合酸酸洗并用去离子水清洗纳米金刚石粉悬浊液至中性;b.将纳米金刚石粉与四氢铝锂溶于四氢呋喃的溶液加入高温反应...
李成明郑宇亭刘金龙魏俊俊黑立富陈良贤
文献传递
一种表面P型导电金刚石热沉材料的制备方法
一种表面P型导电金刚石热沉材料的制备方法,属于金刚石自支撑膜应用技术领域。本发明以抛光的自支撑金刚石厚膜为基底,经微波氢等离子体表面处理后再沉积一层薄的具有P型导电能力的掺硼金刚石薄膜。由于属于同质外延生长,因此外延的导...
魏俊俊李成明刘金龙陈良贤黑立富高旭辉
一种气相沉积空心阴极复合电极涡旋气体输入装置
本发明属于半导体材料制备领域,具体涉及一种气相沉积空心阴极复合电极涡旋气体输入装置。该装置包括一块用于气相沉积的电极,所述电极两侧分别连接电源和固定管道,所述电源正极接地。电极表面均匀分布有贯穿圆孔,电极内部分布有缓冲槽...
李成明夏天杨志亮何健张建军陈良贤魏俊俊刘金龙
一种金刚石膜的等离子体电弧沉积装置与方法
一种金刚石膜的等离子体电弧沉积装置与方法,属金刚石材料制备技术领域。采用具有多级磁场控制的直流电弧等离子体装置沉积大面积共形金刚石膜:通过稳弧磁场线圈产生的磁场实现对旋转等离子体电弧的稳定控制;扩展弧线圈在进一步稳定电弧...
李成明郑宇亭欧阳晓平魏俊俊陈良贤刘金龙张建军
文献传递
金刚石散热衬底在GaN基功率器件中的应用进展被引量:5
2020年
氮化镓(GaN)基功率器件性能的充分发挥受到沉积GaN的衬底低热导率的限制,具有高热导率的化学气相沉积(CVD)金刚石,成为GaN功率器件热扩散衬底材料的优良选择。相关学者在高导热金刚石与GaN器件结合技术方面开展了多项技术研究,主要包括低温键合技术、GaN外延层背面直接生长金刚石的衬底转移技术、单晶金刚石外延GaN技术和高导热金刚石钝化层散热技术。对GaN功率器件散热瓶颈的原因进行了详细评述,并对上述各项技术的优缺点进行了系统分析和评述,揭示了各类散热技术的热设计工艺开发和面临的技术挑战,并认为低温键合技术具有制备温度低、金刚石衬底导热性能可控的优势,但是大尺寸金刚石衬底的高精度加工和较差的界面结合强度对低温键合技术提出挑战。GaN外延层背面直接生长金刚石则具有良好的界面结合强度,但是涉及到高温、晶圆应力大、界面热阻高等技术难点。单晶金刚石外延GaN技术和高导热金刚石钝化层散热技术则分别受到单晶金刚石尺寸小、成本高和工艺不兼容的限制。因此,开发低成本大尺寸金刚石衬底,提高晶圆应力控制技术和界面结合强度,降低界面热阻,提高金刚石衬底GaN器件性能方面,将是未来金刚石与GaN器件结合技术发展的重点。
贾鑫魏俊俊黄亚博邵思武孔月婵刘金龙陈良贤李成明叶海涛
关键词:金刚石氮化镓高热导率界面热阻
一种大尺寸金刚石功能结构件的制备与加工方法
一种大尺寸金刚石功能结构件的制备与加工方法,属于金刚石材料与加工领域。通过将多片金刚石焊接与激光雕刻成型,形成满足功能和结构应用的大尺寸金刚石材料,工艺步骤为:1、采用化学气相沉积的方法制备金刚石膜,再对满足力学与热学性...
刘金龙李淑同叶盛王鹏栗正新黄珂苗建印陈良贤魏俊俊张建军李成明
一种金刚石微粉的高效率处理方法与装置
一种金刚石微粉的高效率处理方法与装置,属于金刚石加工及技术领域。所述方法是在真空条件下通过传送放入装置将以600℃至900℃预热后的金刚石微粉置于微波等离子体化学气相沉积系统腔室内的沉积台上。经过不间断的氩、氢和氧混合等...
李成明郑宇亭刘金龙魏俊俊陈良贤
文献传递
共19页<12345678910>
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