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刘鹏飞

作品数:2 被引量:3H指数:1
供职机构:中南大学材料科学与工程学院粉末冶金国家重点实验室更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程化学工程更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇英文
  • 1篇微波性能
  • 1篇摩擦学
  • 1篇摩擦学性能
  • 1篇高温
  • 1篇高温热处理
  • 1篇SI3N4
  • 1篇SIC
  • 1篇SICW
  • 1篇C/C
  • 1篇C/C-SI...
  • 1篇W

机构

  • 2篇中南大学
  • 1篇湖南工业大学

作者

  • 2篇肖鹏
  • 2篇刘鹏飞
  • 1篇李专
  • 1篇刘洋
  • 1篇李金伟
  • 1篇周伟
  • 1篇罗衡
  • 1篇俞晓宇
  • 1篇陈文博

传媒

  • 1篇新型炭材料
  • 1篇复合材料学报

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2017
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
SiC_W含量对SiC_W/Si_3N_4复合陶瓷力学及高温微波性能影响被引量:2
2017年
以α-Si_3N_4粉、β-SiC_W为原料,Al_2O_3、Y_2O_3为烧结助剂,采用凝胶注模工艺制备了SiC_W/Si_3N_4复合陶瓷材料,烧结温度为1 650℃,保温1.5h。研究了SiC_W加入含量对SiC_W/Si_3N_4复合陶瓷的微观结构、力学及常温/高温微波吸收性能的影响。结果表明:随着SiC_W含量的增加,SiC_W/Si_3N_4复合陶瓷的抗弯强度和断裂韧性都有先増后减的趋势,当含量为10wt%时,抗弯强度达到最大值505MPa,断裂韧性达9.515MPa·m1/2。常温介电常数在SiC_W含量为10wt%时,实部达最大值12,在12GHz最大吸收值为-21dB。高温介电常数随着SiC_W含量的增加有先增后减的趋势,在含量为10wt%时,实部达到最大值12.5。相比于纯Si_3N_4陶瓷,当SiC_W含量为10wt%时,SiC_W/Si_3N_4复合陶瓷在11.7GHz左右最大吸收可达-27dB,有效吸收频带(小于-5dB)为11.2~12.3GHz。
刘洋肖鹏周伟罗衡刘鹏飞陈文博俞晓宇
高温热处理C/C对C/C配对C/C-SiC摩擦学性能的影响(英文)被引量:1
2019年
采用化学气相渗透法(CVI)工艺制备C/C复合材料,然后在2300℃处理其中一个C/C试样。通过化学气相渗透法结合液体硅渗透法(LSI)制备C/C-SiC复合材料。为了提高制动的稳定性并期望克服C/C和C/C-SiC自磨的缺点,在MM-3000型摩擦磨损试验机上研究了C/C配对C/C-SiC摩擦副的摩擦学性能。结果表明,经2300℃高温热处理(HTT)的C/C配对C/C-SiC的平均摩擦系数(COF)为0.280,稳定摩擦系数为0.65,而没有经过高温热处理的C/C配对C/C-SiC摩擦副的平均摩擦系数及稳定摩擦系数分别为0.451和0.55。经过2300℃高温热处理和没经过高温热处理的C/C的线磨损率分别为8.9μm/(slidecycle)和3.7μm/(slidecycle)。由于高温热处理会引起碳软化,导致了经过2300℃高温热处理的C/C磨损率增加。总之,经过高温热处理的C/C配对C/C-SiC在提高稳定摩擦系数的同时不能改善其他摩擦磨损性能。C/C配对C/C-SiC的磨损机理主要是磨粒磨损,氧化磨损和疲劳磨损。
欧阳曦李专肖鹏陈冠一李金伟刘鹏飞
关键词:C/CC/C-SIC高温热处理摩擦学性能
共1页<1>
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