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热压烧结靶材制备氧化铟锌薄膜晶体管被引量：3: 2017年; 本文研究了热压烧结条件对氧化铟锌(IZO)靶材和薄膜晶体管(TFT)性能的影响。以80%:20%(质量分数比)的ZnO和In_2O_3的混合粉体为原料通过热压烧结法制备IZO靶材,以制备的靶材通过磁控溅射制备IZO TFT。X射线衍射(XRD)图谱以及扫描电镜(SEM)图像表明IZO靶材结晶性好,元素分布均匀。烧结温度为850℃时靶材呈现烧结致密化,900℃-60 min条件下In_2O_3的挥发破坏了靶材烧结致密化。提高烧结温度或延长烧结时间加速In向ZnO晶格的扩散以及空位向表面迁移,有利于靶材致密化以及形成InZnO_x晶相。TFT器件表征结果表明低密度和过高密度靶材会恶化薄膜质量,降低器件性能,可见适当高密度的靶材对制备TFT至关重要,最终900℃-90 min条件的靶材所制备的TFT性能最好,迁移率为16.25 cm^2·V^(-1)·s^(-1)。; 宋二龙兰林锋林振国孙圣宋威李育智高沛雄张鹏彭俊彪; 关键词：薄膜晶体管热压烧结靶材磁控溅射

基于AMOLED应用的低温、高迁移率氧化物薄膜晶体管研究: 由于柔性AMOLED 具有轻薄、透明、可弯曲等优点越来越受到关注[1-2].为了满足低成本、高透光性柔性AMOLED 应用的需要，采用磁控溅射的技术在柔性聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)衬底上制备出了以ScxIn1-xO3 ...; 宋威兰林锋彭俊彪; 关键词：薄膜晶体管氧化物半导体

基于AMOLED显示的氧化铟锌薄膜晶体管: 以80∶20(质量比)的ZnO-In2O3 混合粉体为原料通过热压烧结制备氧化铟锌靶材(IZO),磨削、抛光、超声清洗后通过磁控溅射制备氧化铟锌薄膜晶体管(IZO TFTs),研究不同烧结温度(850 oC、900 oC...; 宋二龙兰林锋肖鹏林振国孙圣宋威李育智高沛雄张鹏彭俊彪; 关键词：热压烧结薄膜晶体管

低温、高迁移率金属氧化物薄膜晶体管的研究: 近年来,薄膜晶体管（TFT）由其在有源矩阵发光二极管（AMOLED）显示中的应用而得到了广泛的研究。其中金属氧化物（Metal Oxide）薄膜晶体管（MOTFT）由于具有较高的迁移率,而且因均一性好、可见光透明、稳定性...; 宋威; 关键词：薄膜晶体管金属氧化物半导体; 文献传递

低温溶液加工法制备氧化锌薄膜晶体管: 2015年; 为适应柔性有源有矩阵有机发光二极管(AMOLED)等新型显示技术发展的需要,将低温溶液处理的氧化锌作为半导体层、电化学氧化的氧化铝钕作为栅绝缘层,制备了氧化锌薄膜晶体管(TFT).制备氧化锌半导体层所用的前驱体溶液为无碳的Zn(OH)x-(NH3)y(2-x)+水溶液,这种氨络合物溶液制备简单、成本低,并且由于容易形成高活性的氢氧自由基,使得氨-金属之间的分解所需要的活化能较低,生成氧化锌所需的能量较小,可以在180℃的较低温度下获得氧化锌多晶薄膜.所制备的TFT器件的最高迁移率可达0.9 cm2/(V·s).这种低温氧化锌薄膜工艺与室温电化学氧化的栅绝缘层工艺相结合,具有温度低和迁移率高的特点,完全能与柔性衬底兼容,在柔性显示中具有很大的应用前景.; 兰林锋宋威史文彭俊彪; 关键词：薄膜晶体管氧化锌

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宋威