李育智
- 作品数：15 被引量：4H指数：1
- 供职机构：华南理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省科技计划工业攻关项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- 一种氧化物绝缘体薄膜及薄膜晶体管
- 一种氧化物绝缘体薄膜，成分为M<Sub>x</Sub>Al<Sub>y</Sub>Zr<Sub>z</Sub>O<Sub>δ</Sub>，M为元素Sc或Y，0.01≤x≤0.5，0.3≤z＜0.99，x+y+z＝1，0&...
- 兰林锋李育智彭俊彪
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- 基于亲疏水效应制备短沟道薄膜晶体管的方法
- 一种基于亲疏水效应制备短沟道薄膜晶体管的方法，源漏电极采用印刷的方式制备，沟道长度由疏水功能条纹的宽度定义，所述疏水功能条纹由底层的亲水层和上层的疏水层构成。疏水功能条纹及源漏电极制备方法如下：1)在承载体上制备亲水层并...
- 兰林锋李育智彭俊彪
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- 基于AMOLED显示的氧化铟锌薄膜晶体管
- 以80∶20(质量比)的ZnO-In2O3 混合粉体为原料通过热压烧结制备氧化铟锌靶材(IZO),磨削、抛光、超声清洗后通过磁控溅射制备氧化铟锌薄膜晶体管(IZO TFTs),研究不同烧结温度(850 oC、900 oC...
- 宋二龙兰林锋肖鹏林振国孙圣宋威李育智高沛雄张鹏彭俊彪
- 关键词：热压烧结薄膜晶体管
- 紫外微图形化氧化物薄膜的制备方法及薄膜晶体管
- 一种紫外微图形化氧化物薄膜的制备方法及薄膜晶体管，氧化物薄膜的制备方法包括如下步骤，将氧化物前驱体溶液通过非真空法在基底上形成氧化物前驱体薄膜,用紫外光通过具有图形的掩膜板对氧化物前驱体薄膜进行曝光，氧化物前驱体薄膜受紫...
- 兰林锋李育智彭俊彪
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- 一种自对准底栅薄膜晶体管及其制备方法
- 一种自对准底栅薄膜晶体管及其制备方法，制备方法包括以下步骤：依次在衬底上沉积导电薄膜、绝缘体薄膜和图案化的疏水聚合物薄膜；采用湿法刻蚀工艺，保留疏水聚合物薄膜覆盖下的绝缘体薄膜和导电薄膜；再在疏水聚合物两侧沉积绝缘体薄膜...
- 兰林锋李育智彭俊彪
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- 一种复合透明导电薄膜及其制备方法
- 本发明公开了一种复合透明导电薄膜及其制备方法，复合透明导电薄膜由透明氧化物层和薄金属层堆叠构成，其中薄金属层位于透明氧化物层之下，薄金属层的厚度为3～30nm，薄金属层呈透明状态，薄金属层中存在纳米孔；具体制备方法是：步...
- 兰林锋彭俊彪李育智
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- 一种薄膜的喷墨印刷制备方法及薄膜晶体管的制备方法
- 一种薄膜的喷墨印刷制备方法，通过疏水性的咖啡环网格定义喷墨印刷的薄膜状貌，薄膜的状貌包括薄膜图案、薄膜大小、薄膜厚度或者薄膜形貌中的至少一种。具体制备包括：a.咖啡环网格的制备；b.将墨滴直接喷至咖啡环网格单元内，干燥后...
- 兰林锋李育智王磊彭俊彪
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- 紫外微图形化氧化物薄膜的制备方法及薄膜晶体管
- 一种紫外微图形化氧化物薄膜的制备方法及薄膜晶体管，氧化物薄膜的制备方法包括如下步骤，将氧化物前驱体溶液通过非真空法在基底上形成氧化物前驱体薄膜,用紫外光通过具有图形的掩膜板对氧化物前驱体薄膜进行曝光，氧化物前驱体薄膜受紫...
- 兰林锋李育智彭俊彪
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- 热压烧结靶材制备氧化铟锌薄膜晶体管被引量：4
- 2017年
- 本文研究了热压烧结条件对氧化铟锌(IZO)靶材和薄膜晶体管(TFT)性能的影响。以80%:20%(质量分数比)的ZnO和In_2O_3的混合粉体为原料通过热压烧结法制备IZO靶材,以制备的靶材通过磁控溅射制备IZO TFT。X射线衍射(XRD)图谱以及扫描电镜(SEM)图像表明IZO靶材结晶性好,元素分布均匀。烧结温度为850℃时靶材呈现烧结致密化,900℃-60 min条件下In_2O_3的挥发破坏了靶材烧结致密化。提高烧结温度或延长烧结时间加速In向ZnO晶格的扩散以及空位向表面迁移,有利于靶材致密化以及形成InZnO_x晶相。TFT器件表征结果表明低密度和过高密度靶材会恶化薄膜质量,降低器件性能,可见适当高密度的靶材对制备TFT至关重要,最终900℃-90 min条件的靶材所制备的TFT性能最好,迁移率为16.25 cm^2·V^(-1)·s^(-1)。
- 宋二龙兰林锋林振国孙圣宋威李育智高沛雄张鹏彭俊彪
- 关键词：薄膜晶体管热压烧结靶材磁控溅射
- 溶液加工氧化物薄膜晶体管器件研究
- 薄膜晶体管(TFT)，作为实现电信号处理、控制与传输功能的基础元器件，广泛应用于平板显示、柔性电子和智能电子等新兴领域。氧化物TFT由于具有较高的载流子迁移率(1-100cm2V-1s-1)、对可见光透明、大面积均匀性好...
- 李育智
- 关键词：氧化物半导体薄膜晶体管喷墨印刷发光二极管显示器
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