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陈志刚

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：深圳大学光电工程学院光电子器件与系统教育部重点实验室更多>>
发文基金：教育部重点实验室开放基金国家自然科学基金深圳市科技计划项目更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性能
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇GAN
  • 1篇GAN薄膜
  • 1篇表面形貌
  • 1篇M

机构

  • 1篇深圳大学
  • 1篇国立台湾大学

作者

  • 1篇刘毅
  • 1篇彭冬生
  • 1篇陈志刚

传媒

  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
不同Ⅴ/Ⅲ族元素比对m面GaN薄膜性能的影响
2015年
采用分子束外延(MBE)方法在蓝宝石衬底上外延生长m面Ga N薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)分析薄膜表面形貌,发现Ⅴ/Ⅲ族元素比从1∶80降低到1∶90时,外延膜表面均方根粗糙度从13.08 nm降低到9.07nm。利用光谱型椭偏仪研究m面Ga N薄膜,得到了m面Ga N薄膜的厚度、折射率和消光系数。拟合结果显示,Ga N样品厚度和理论值一致,且Ⅴ/Ⅲ族元素比为1∶90时,所得外延膜折射率较低,透射率大。两种测试方法表明,Ⅴ/Ⅲ族元素比较小的样品晶体质量高。
谭聪聪彭冬生陈志刚刘毅冯哲川
关键词：光学性能分子束外延表面形貌
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共1页<1>
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