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彭冬生

作品数：28 被引量：51H指数：4
供职机构：深圳大学更多>>
发文基金：深圳市科技计划项目国家自然科学基金广东省粤港关键领域重点突破项目更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇期刊文章
  • 5篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 15篇电子电信
  • 10篇理学
  • 3篇机械工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 11篇GAN薄膜
  • 10篇蓝宝
  • 9篇MOCVD
  • 8篇蓝宝石
  • 8篇GAN
  • 7篇表面处理
  • 7篇衬底
  • 6篇蓝宝石衬底
  • 6篇发光
  • 5篇光学
  • 5篇二极管
  • 5篇发光二极管
  • 3篇氮化镓
  • 3篇光电
  • 3篇光学性
  • 2篇氮化镓薄膜
  • 2篇电子签名
  • 2篇照明
  • 2篇石基
  • 2篇透镜

机构

  • 27篇深圳大学
  • 8篇中国科学院
  • 3篇中国科学院研...
  • 1篇国立台湾大学
  • 1篇深圳技术大学

作者

  • 28篇彭冬生
  • 13篇冯玉春
  • 12篇牛憨笨
  • 6篇蒋月
  • 5篇刘晓峰
  • 4篇王文欣
  • 3篇刘文
  • 3篇施炜
  • 2篇柴广跃
  • 2篇刘毅
  • 2篇郭宝平
  • 2篇曾丹
  • 1篇郑瑞生
  • 1篇武红磊
  • 1篇刘瑞友
  • 1篇陈祖军
  • 1篇陈志刚
  • 1篇韦健华
  • 1篇金柯
  • 1篇董发

传媒

  • 4篇电子器件
  • 3篇物理学报
  • 2篇光子学报
  • 2篇压电与声光
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇材料导报
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇科技创新导报
  • 1篇第十届全国M...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2018
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 1篇2011
  • 3篇2009
  • 3篇2008
  • 6篇2007
  • 4篇2006
共 28 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
MOCVD法横向外延过生长GaN薄膜被引量：4
2009年
介绍了金属有机化学气相沉积(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)法横向外延过生长GaN薄膜的原理,阐述了该技术形成选择生长和减少GaN薄膜缺陷密度的机理。综述了该技术的发展历程以及最新进展。新型的横向外延过生长技术大大简化了生长工艺以及降低了晶向倾斜。
彭冬生冯玉春牛憨笨
关键词：无机非金属材料MOCVDGAN
腐蚀溶液对石墨烯转移质量和GFET性能的影响
2018年
对比分析了过硫酸铵（APS）与三氯化铁（FeCl3）两种腐蚀溶液对转移后石墨烯质量的影响。结果表明,采用FeCl3腐蚀溶液转移后的石墨烯表面会引入Fe和Cl离子,而APS腐蚀溶液转移后的石墨烯表面基本未引入杂质。将两种转移到Si O2/Si基底上的石墨烯样品蒸镀100 nm厚的金的源漏电极后分别制成了石墨烯场效应晶体管（GFET）,并在室温下对其进行了电学性能测试。测试结果表明,相对于FeCl3腐蚀溶液转移的石墨烯样品制成的器件,采用APS腐蚀溶液转移的石墨烯样品制成器件的狄拉克点从75 V左右降低到了0 V左右,载流子迁移率从823 cm^2/（V·s）提升到了1 324 cm^2/（V·s）。因此,采用APS腐蚀溶液转移石墨烯引入杂质更少,制备的器件性能更优越。
蒋月彭冬生陈祖军张茂贤彭争春
关键词：石墨烯电学性能
前处理蓝宝石衬底上生长高质量GaN薄膜
2007年
采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、透射光谱分析GaN薄膜的晶体质量和光学质量.分析结果表明,GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致,即透射率越大,半高宽越小,结晶质量越好;对蓝宝石衬底进行前处理可以大大改善GaN薄膜的晶体质量和光学质量,其(0002)面及(1012)面XRD半高宽(FWHM)分别降低到208.80"及320.76"
彭冬生冯玉春牛憨笨
关键词：前处理MOCVDGAN薄膜
动画演示在《材料科学基础》教学中的应用被引量：3
2013年
该文利用Flash、Photoshop等软件,开发制作了《材料科学基拙》课程的动画演示课件,并以共价晶体与金属的断裂以及面心立方与密排立方的原子堆垛顺序为例,激发了学生的学习兴趣,增强了教学效果。
彭冬生
关键词：动画演示多媒体
图形蓝宝石基GaN性能的研究被引量：1
2009年
在相同的腐蚀温度下,通过控制对蓝宝石衬底的化学腐蚀时间,以研究其对GaN光学性质的影响。测试结果表明:对蓝宝石衬底腐蚀50 min后,外延生长的GaN薄膜晶体质量及光学质量最优,X射线摇摆曲线中,其(0002)面及(10-12)面的半峰全宽分别降低至202.68 arcsec,300.24 arcsec。透射光谱中,其透射率最高,调制深度最大;光致发光谱的近带边发射峰强度最强,其半高全宽也降低到6.7 nm,几乎看不到任何黄光带。
彭冬生冯玉春郑瑞生牛憨笨
关键词：GAN薄膜表面处理MOCVD
低温AlN插入层降低硅基GaN膜微裂
2006年
为了降低MOCVD外延硅基GaN膜层中的应力、减少硅基厚GaN层的微裂;在高温GaN层中插入低温A lN。低温A lN插入层可平衡HT-GaN生长和降温过程引起的张应力,降低厚膜外延层的微裂,已研制出厚度超过1.8微米无微裂GaN外延层。本文重点研究了低温A lN生长温度对HT-GaN材料的影响,给出了较佳的LT-A lN生长温度。采用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),对样品进行了测试分析。试验和测试结果表明低温A lN的生长温度至关重要,生长温度过低影响GaN晶体质量,甚至不能形成晶体;生长温度过高同样会影响GaN结晶质量,同时降低插入层的应力平衡作用;实验结果表明最佳的LT-A lN插入层的生长温度为680℃左右。
冯玉春刘晓峰王文欣彭冬生郭宝平
关键词：SI(111)GANAIN
蓝宝石表面处理对氮化镓光学性质的影响被引量：5
2008年
采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.利用GaN薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射率色散公式,计算得到GaN薄膜厚度,与椭偏光谱结果几乎一致;在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长的GaN薄膜表现出更优异的光学质量和结晶质量,其透射谱具有更高的透射率和更大的调制深度,而且其光致发光谱中的黄光带几乎可以忽略.
彭冬生冯玉春刘文刘毅牛憨笨
关键词：GAN薄膜光学性质表面处理MOCVD
一种基于应力发光的新型电子签名触感笔
本实用新型属于电子签名设备技术领域，公开了一种基于应力发光的新型电子签名触感笔，设置有管状外壳；管状外壳前端中央嵌装有应力发光笔头，管状外壳前端侧面嵌装有微型摄像头，应力发光笔头内部后端嵌装有光电转换器，管状外壳内部通过...
彭登峰张家欣谢丹涛蒋月谢中晋彭争春彭冬生
文献传递
前处理蓝宝石衬底上生长高质量GaN薄膜
采用化学方法腐蚀部分c-面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用LP-MOCVD在此经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、透射光谱分析GaN薄膜的晶体质量和光学质量....
彭冬生冯玉春牛憨笨
关键词：前处理MOCVD蓝宝石衬底GAN薄膜
文献传递
预处理蓝宝石衬底上生长高质量GaN显示薄膜(英文)被引量：2
2008年
采用化学方法腐蚀部分c-面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用LP-MOCVD在此经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜。采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、光致发光光谱(PL)、透射光谱分析GaN薄膜的晶体质量和光学质量。分析结果表明,GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致,即透射率越大,半高宽越小,结晶质量越好;对蓝宝石衬底进行前处理可以大大改善GaN薄膜的晶体质量和光学质量,其(0002)面及(102)面XRD半高宽(FWHM)分别降低到208.80arcsec及320.76arcsec ,而且其光致发光谱中的黄光带几乎可以忽略。
彭冬生冯玉春牛憨笨刘晓峰
关键词：MOCVD表面处理GAN薄膜
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