刘德林
- 作品数：8 被引量：35H指数：4
- 供职机构：江苏大学电气信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划江苏省高校自然科学研究项目更多>>
- 相关领域：电子电信矿业工程自然科学总论更多>>
- 基于GPRS矿井安全远程监控系统的研究被引量：5
- 2007年
- 根据通讯分组无线业务(GPRS)的基本理论,简要地介绍了基于GPRS网络通信的矿井安全远程监控系统,介绍了系统的组成、GPRS通信技术和远程监控中心的基本情况。提出了一种对矿井安全集远程监控、信息管理和网络技术于一体的系统方案。
- 严雪萍韩庆福张慧刘德林
- 关键词：远程监控GPRS矿井安全
- 高密度互连技术及HDI板用材料的研究进展被引量：5
- 2007年
- 为了适应电子产品向更轻、更小、更薄、可靠性更高的方向发展,电子封装对高密度互连(HDI)技术提出了更高的要求。HDI技术在ULSI中用来缩小尺寸、减轻重量和提高电气性能。综述了先进的HDI技术及其应用概要,分析了HDI制造工艺中的几种成孔方法,其中包括HDI线路通导的方式和纳米精细线路的制作工艺,阐述了HDI板用积层材料的发展方向以及两种新型的HDI板用材料:液晶聚合物和AS-11G树脂。以通孔微小化和导线精细化等为核心的HDI技术满足了电子封装技术不断提高封装密度的需要,将成为下一代PCB的主流技术。
- 刘德林成立韩庆福李俊徐志春张慧
- 关键词：高密度互连通孔液晶聚合物
- 激光微加工电热微夹钳设计与FEA仿真被引量：1
- 2007年
- 选用厚度为12.5μm的镍箔,采用激光微加工技术制备尺寸为2.8 mm×1.4 mm×0.0125 mm的微夹钳。其每一对级联元件由一系列致动单元组成,而每个致动单元由一个制约器和两个呈半圆形的动作梁构成,其驱动原理是电热效应。运用有限元分析(FEA)仿真了微夹钳的动态性能,对其动态性能进行了实验测试。测试结果表明,当电压为1.9 V时,最大位移量达到28.8μm,延迟时间小于200 ms。
- 严雪萍张慧韩庆福李俊成立徐志春刘德林
- 关键词：有限元分析微电子机械系统
- 硅片纳米微粒清洗洁净新技术被引量：2
- 2007年
- 随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽正在不断减小,对硅片表面质量处理的要求也就越来越高。传统的湿法清洗已经不能满足要求,故必须研发新的微粒清洗方法。简述了硅片表面污染物杂质的类型、传统的微粒湿法清洗法和干法清洗法,然后在此基础上分析了几种硅片制备工艺中纳米微粒的去除新技术,包括低温冷凝喷雾清洗工艺,N2O电子回旋加速共振等离子系统清洗技术,以及超细晶圆质量无危险的清洗方法等。
- 张慧成立韩庆福严雪萍刘德林徐志春李俊
- 关键词：硅片纳米微粒
- 低温共烧陶瓷多层基板精细互连技术被引量：2
- 2007年
- 微电子技术和封装工艺的发展使超大规模集成电路(VLSI)的密度越来越高,而高密度低温共烧陶瓷(LTCC)基板的制作依赖于基板内部导体的精细互连技术。为了满足LTCC多层基板高密度互连的工艺要求,必须使基板微通孔的直径及导线线宽缩小到100μm以内。基于此,首先介绍了LTCC生瓷带层的微通孔形成与填充工艺,以及所形成的微通孔的特点;利用厚膜丝网印刷技术形成精细导线,分析了影响印刷质量的工艺参数;最后简要介绍了薄膜光刻等新技术。通过应用上述几种先进的精细互连工艺技术,极大地提高了LTCC多层基板的互连密度。
- 徐志春成立李俊韩庆福张慧刘德林
- 关键词：高密度互连低温共烧陶瓷丝网印刷
- MEMS器件的封装材料与封装工艺被引量：7
- 2006年
- 随着各种MEMS新产品的不断问世,先进的MEMS器件的封装技术正在研发之中。本研究综述了MEMS的封装材料,包括陶瓷、塑料、金属材料和金属基复合材料等。阐述了MEMS的主要封装工艺和技术,包括圆片级封装、单芯片封装、多芯片组件和3D堆叠式封装等。并展望了MEMS器件封装的应用和发展前景。
- 严雪萍成立韩庆福张慧李俊刘德林徐志春
- 关键词：微电子机械系统封装技术封装材料
- 系统级封装(SIP)技术及其应用前景被引量：9
- 2007年
- 随着各种半导体新工艺与新材料水平的不断提高,先进的封装技术正在迅速地发展。本文综述了先进的系统级封装(SIP)技术的概念及其进展情况;并举例说明了它的应用情况,同时指出,SIP是IC产业链中知识、技术和方法相互交融渗透及综合应用的结晶。SIP封装集成能最大程度上优化系统性能、避免重复封装、缩短开发周期、降低成本和提高集成度,掌握这项新技术是进入主流封装领域之关键,有其广阔的发展前景。
- 韩庆福成立严雪萍张慧刘德林李俊徐志春
- 关键词：系统级封装片上系统
- 一种BiCMOS光电耦合隔离放大器的设计被引量：4
- 2007年
- 设计了一种BiCMOS光隔离放大器,给出了其中两个运算放大器的设计电路。设计过程中只在推拉式输出级配置两个双极型晶体管(BJT),而在电路的其余部分则设置CMOS器件。为了提高放大器的增益线性度和稳定性,光电耦合部分和各运放中都引入了负反馈,并采取了优选元器件参数和提速等措施。实验结果表明所设计光隔离放大器的±3 dB带宽比双极型光隔离放大器ISO100增加了约20 kHz,当电源电压为8.6 V时,时延-功耗积比ISO100降低了约17.7pJ,增益线性度提高到5.5×10-5,因此特别适用于高速通信系统中。
- 成立徐志春李俊刘德林王振宇张荣标
- 关键词：高速通信系统
