张萍
- 作品数：3 被引量：7H指数：2
- 供职机构：重庆师范大学物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：重庆市自然科学基金国家自然科学基金重庆市教育委员会科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- C掺杂浓度对ZnO薄膜电学和结构的影响被引量：2
- 2014年
- 采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上成功制备了不同C掺杂浓度的ZnO∶C薄膜,借助于X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试(Hall)、X射线光电子谱(XPS)和拉曼散射光谱(Raman)等测试手段系统研究了ZnO薄膜的结构、电学以及拉曼特性并分析了C在ZnO薄膜中存在形式。结果表明,所有薄膜都呈纤锌矿结构并具有高度的c轴择优取向。随着C掺杂浓度的增加,薄膜的n型导电性能不断增强,其主要原因是ZnO薄膜中的C替代Zn位起施主作用。
- 卞萍孔春阳李万俊秦国平张萍徐庆
- 关键词：电学特性XPSRAMAN
- 不同退火温度对ZnO:In薄膜的结构及光电特性影响
- 2015年
- 在室温条件下采用射频磁控溅射法在石英衬底上制备了高质量的ZnO:In薄膜。并且研究了不同退火温度对ZnO:In薄膜的结构、光电性能的影响,结果显示薄膜的晶粒大小随着退火温度的升高而增大,同时薄膜的载流子浓度随着退火温度的升高而降低,薄膜光学带隙也随着退火温度的升高而减小,第一性原理计算结果表明间隙锌原子在ZnO:In薄膜中的迁移势垒为0.90eV。间隙锌原子的受热溢出是薄膜光学带隙减小和载流子浓度降低的主要原因。
- 徐庆张萍张红
- 关键词：退火第一性原理计算
- N-In共掺p型ZnO薄膜的结构和电学特性研究被引量：5
- 2013年
- 采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备ZnO∶In薄膜,以N离子注入的方式进行N掺杂,通过优化退火条件成功实现了ZnO∶In-N薄膜的p型转变。研究发现:在590℃退火20min获得性能良好的p-ZnO∶In-N薄膜,其空穴浓度、迁移率和电阻率分别为(1.01×1018)cm-3、3.40cm2.V-1.s-1、1.81Ω.cm。结合XPS分析认为ZnO∶In-N实现p型导电正是由于In的掺入与受主N形成了有利于p型导电的受主InZn-2NO复合体。Hall跟踪测试发现p型导电会随时间变化而最终转变为n型导电,结合XPS和第一性原理计算认为薄膜中存在残余应力和(N2)O施主缺陷是p型不稳定的原因。
- 赵永红孔春阳秦国平李万俊阮海波孟祥丹卞萍徐庆张萍
- 关键词：离子注入P型掺杂第一性原理
