孔春阳
- 作品数：75 被引量：206H指数：7
- 供职机构：重庆师范大学更多>>
- 发文基金：重庆市自然科学基金国家自然科学基金重庆市教育委员会科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 基于激基复合物纯正发射的有机电致发光器件性能被引量：1
- 2011年
- 利用聚合物三苯基二胺衍生物(Poly-TPD)掺杂2,5-双(5-叔丁基-2-苯并恶唑基)噻吩(BBOT)作为器件发光材料,研制了基于激基复合物纯正发射的有机电致发光器件。器件的具体结构为:ITO/PEDOT∶PSS(25 nm)/Poly-TPD∶BBOT(1∶1,80 nm)/Al(70 nm)。研究结果表明,该器件的556 nm黄绿光发射来自于发光层Poly-TPD∶BBOT形成的电致激基复合物的单一发射,而源于Poly-TPD和BBOT的本征发射全部消失。
- 关云霞牛连斌孔春阳崔玉亭何国田
- 关键词：有机电致发光器件
- 金刚石膜压阻效应的理论研究被引量：4
- 2001年
- 在Fuchs-Sondheimer薄膜理论（F-S理论）和修正的价带分裂模型的基础上,考虑晶格散射、杂质散射和表面散射,通过求解弛豫近似下的Boltzmann方程,利用并联电阻模型从理论上研究了p-型异质外延金刚石膜的压阻效应,给出了压阻效应的计算表达式,从理论上得到了和实验一致的压阻效应的主要特性.提出了应力作用下分裂带间距变化的模型,对大应力时饱和压阻的理论和实验误差给出了合理解释.
- 孔春阳王万录廖克俊王蜀霞方亮马勇
- 关键词：金刚石薄膜压阻效应BOLTZMANN方程
- N掺杂对β-Ga_(2)O_(3)薄膜日盲紫外探测器性能的影响被引量：5
- 2021年
- 单斜氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))材料因其独特而优异的光电特性在日盲紫外探测领域具有广阔的应用前景,受到国内外研究者的广泛关注.本研究工作采用射频磁控溅射技术,在c面蓝宝石衬底上制备了未掺杂和氮(N)掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜,研究了N掺杂对β-Ga_(2)O_(3)薄膜结构及光学特性的影响;在此基础上,构筑了未掺杂和N掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜基金属-半导体-金属(metal-semiconductor-metal,MSM)型日盲紫外探测器,并讨论了N掺杂影响器件性能的物理机制.结果表明,N掺杂会导致β-Ga_(2)O_(3)薄膜表面形貌变得相对粗糙,且会促使β-Ga_(2)O_(3)薄膜由直接带隙向间接带隙转变.所有器件均表现出较高的稳定性和日盲特性,相比之下,N掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜器件能展现出较低的暗电流和更快的光响应速度(响应时间和恢复时间分别为40和8 ms),与氧空位相关缺陷的抑制密切相关.本研究对开发新型的高性能日盲紫外探测器具有一定的借鉴意义.
- 周树仁张红莫慧兰刘浩文熊元强李泓霖孔春阳叶利娟李万俊
- 关键词：N掺杂快速响应
- 衬底温度对磁控溅射法制备的ZnO∶In薄膜光电性能的影响被引量：1
- 2009年
- 以粉末靶为溅射源,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备掺铟氧化锌(ZnO∶In)透明导电膜。利用X射线衍射仪、原子力显微镜、霍尔测试仪,以及分光光度计等对不同衬底温度下生长的ZnO∶In薄膜的结构、光电性能进行表征。结果表明,所有制备的ZnO∶In薄膜均为六角纤锌矿结构的多晶膜,具有(002)择优取向。ZnO∶In薄膜的电阻率随着衬底温度的升高先减小后增大,当衬底温度为100℃时,薄膜的最低电阻率为3.18×10-3Ω.cm。制备的薄膜可见光范围内透过率均在85%以上。
- 杨小飞方亮彭丽萍黄秋柳周科孔春阳
- 关键词：光电性能透明导电膜
- C掺杂浓度对ZnO薄膜电学和结构的影响被引量：2
- 2014年
- 采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上成功制备了不同C掺杂浓度的ZnO∶C薄膜,借助于X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试(Hall)、X射线光电子谱(XPS)和拉曼散射光谱(Raman)等测试手段系统研究了ZnO薄膜的结构、电学以及拉曼特性并分析了C在ZnO薄膜中存在形式。结果表明,所有薄膜都呈纤锌矿结构并具有高度的c轴择优取向。随着C掺杂浓度的增加,薄膜的n型导电性能不断增强,其主要原因是ZnO薄膜中的C替代Zn位起施主作用。
- 卞萍孔春阳李万俊秦国平张萍徐庆
- 关键词：电学特性XPSRAMAN
- Al-N共掺杂p型ZnO薄膜制备及电学性能的研究被引量：2
- 2012年
- 利用射频磁控溅射技术在石英玻璃上制备了ZnO:Al薄膜,继而N离子注入实现薄膜的Al-N共掺杂,随后进行了不同温度和时间的热处理。并借助X射线衍射(XRD)、霍耳测试(Hall)、X射线光电能谱仪(XPS)等手段对ZnO薄膜的性能进行了表征。实验结果表明,Al-N共掺杂ZnO薄膜在578℃退火8 min表现出较稳定的p型导电,其载流子数高达1×1018～6×1018个·cm-3,对应的电阻率为1～9Ω·cm,迁移率为1～2 cm2·V-1·s-1。与单掺N相比,实现p型导电所需的退火温度有明显降低,这很可能与Al的掺入有关。此外,XPS测试结果证实大量的Ni取代O空位是薄膜p型导电的根本原因。
- 梁薇薇孔春阳秦国平阮海波
- 关键词：XPS
- Ag-N共掺p型ZnO的第一性原理研究被引量：4
- 2013年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Ag-N共掺杂ZnO体系以及间隙N和间隙H掺杂p型ZnO:(Ag,N)体系的缺陷形成能和离化能进行了研究.结果表明,在AgZn和NO所形成的众多受主复合体中,AgZn-NO受主对不仅具有较低的缺陷形成能同时其离化能也相对较小,因此,AgZn-NO受主对的形成是Ag-N共掺ZnO体系实现p型导电的主要原因.研究发现,当ZnO:(Ag,N)体系有额外间隙N原子存在时,AgZn-NO受主对容易与Ni形成AgZn-(N2)O施主型缺陷,该施主缺陷的形成降低了Ag-N共掺ZnO的掺杂效率因而不利于p型导电.当间隙H引入到ZnO:(Ag,N)体系时,Hi易与AgZn-NO受主对形成受主-施主-受主复合结构(AgZn-Hi-NO),此复合体的形成不仅提高了AgZn-NO受主对在ZnO中的固溶度,同时还能使其受主能级变得更浅而有利于p型导电.因此,H辅助Ag-N共掺ZnO可能是一种有效的p型掺杂手段.
- 李万俊方亮秦国平阮海波孔春阳郑继卞萍徐庆吴芳
- 关键词：P型ZNO第一性原理
- 衬底温度对ZnO∶Mn薄膜结构及光电性质的影响
- ZnO是一种具有六角纤锌矿结构的直接宽带隙半导体材料，常温下带宽为3.3eV，激子束缚能高达60meV，具有很好的光电和压电特性，在紫外发光器件、紫外激光器件、压电器件、太阳能电池、透明导电薄膜等诸多方面都具有广泛的应用...
- 杨天勇孔春阳阮海波秦国平黄桂娟李万俊梁薇薇孟详丹赵永红方亮
- 关键词：半导体薄膜射频磁控溅射法衬底温度光电性能表面形貌
- 文献传递
- 退火对N-In共掺杂p型ZnO薄膜结构和光电性质的影响被引量：10
- 2008年
- 利用射频磁控溅射结合离子注入的方法在石英玻璃衬底上成功地实现了ZnO薄膜的N-In共掺杂,借助于XRD、霍耳测试、透射谱测试等手段分析了不同退火条件下对ZnO薄膜的结构及光电性质的影响。实验结果表明,在氮气环境下,退火温度介于550-600℃,退火时间控制在5-10 min内,可以获得较稳定的p型ZnO薄膜。其中,经过580℃退火20 min的ZnO薄膜具有最佳的电学特性,即空穴浓度达到1.22×10^18cm^-3,迁移率为2.19 cm2V-1s^-1,电阻率是2.33Ωcm。另外,制备的ZnO薄膜在可见光范围内都有很好的透射率,其常温下的禁带宽度为3.25 eV,相对块材本征ZnO的禁带宽度略有减小。
- 秦国平孔春阳阮海波南貌朱仁江
- 关键词：P型ZNO退火透射谱
- 新型有机电致发光叠层器件
- 关云霞牛连斌张丁可孔春阳崔玉亭
