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纳米结构二氧化锡材料光电性能的研究: 二氧化锡（SnO2）材料是一种优秀的透明导电材料，也是一种典型的宽禁带半导体材料，常温下其带隙为3.6eV,这使得它在以SnO2为基的半导体材料工业方面具有很好的发展潜力。将SnO2制成低维纳米材料并对其进行掺杂后所形成...; 黄宝君; 关键词：二氧化锡第一性原理电子结构光学性质; 文献传递

Co、Mn共掺杂SnO_2超晶格的电子结构和光学性质被引量：2: 2014年; 采用基于第一性原理的线性缀加平面波(FP-LAPW)方法,应用广义梯度近似来处理相关能,研究了Co、Mn掺杂SnO2超晶格的电子态密度、能带结构和光学性质。研究结果表明,Co、Mn掺杂使材料表现出金属性。共掺杂Co、Mn的3d电子和O的2p电子产生了强烈的杂化作用,杂化作用使Co和Mn原子的磁矩<3.0μB。单掺杂Co时没有杂化作用,导致每个Co原子产生的磁矩为1.56μB。两种掺杂都在低能量区1.0 eV处形成新的介电峰,Co、Mn共掺杂与Co掺杂相比在1.5 eV处形成介电峰,吸收系数和反射系数也发生了相应的变化。; 王喆黄宝君王培吉; 关键词：超晶格 SNO2 光学性质

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黄宝君