王喆
- 作品数：8 被引量：15H指数：3
- 供职机构：济南大学更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金国家自然科学基金博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺理学电子电信社会学更多>>
- 过渡金属掺杂SnO_2超晶格磁学和光学性质的研究被引量：3
- 2014年
- 基于密度泛函理论的第-性原理,采用全势线性缀加平面波方法（FPLAPW）和广义梯度近似（GGA）来处理相关能,计算了n 层过渡金属Cr掺杂SnO2 超晶格的电子态密度、能带结构和光学性质（n=1,2,3）.结果表明,掺杂使材料均表现出了半金属性,并且导电性和磁矩随着n 的增大而增强.掺杂后材料磁矩主要来源于Cr3d态,Cr的加入使O 的态密度产生了自旋极化现象.在0～1.8eV 处掺杂所形成的第一吸收峰的位置随着n 的增加而向高能方向推移,在1.8～7.0eV 处所形成峰的峰值随着n 的增大而增加,在7.0～17.0eV 处所形成的峰的峰值随着n 的增大而减小.
- 王喆冯现徉王培吉
- 关键词：超晶格态密度
- 掺杂Fe的SnO_2超晶格材料的电子结构和光学性质
- 2014年
- 采用全电势线性缀加平面波(FP-LAPW)方法,计算一层与两层Fe原子替代Sn原子的超晶格SnO2的电子态密度和各项光学参数。计算结果表明:掺Fe后材料均属于直接跃迁半导体,且呈现半金属性;随着掺杂层数的增加,费米能级进入价带,带隙逐渐减小,Fe原子之间耦合作用增强;吸收谱、消光系数等均与介电函数虚部谱线相对应,且均发生红移,吸收系数的吸收边随掺杂层数的增多而逐渐减小,各光学谱线随掺杂层数的增多在高能区的峰值明显降低。
- 王喆逯瑶王培吉
- 关键词：超晶格态密度光学性质
- Co、Mn共掺杂SnO_2超晶格的电子结构和光学性质被引量：2
- 2014年
- 采用基于第一性原理的线性缀加平面波(FP-LAPW)方法,应用广义梯度近似来处理相关能,研究了Co、Mn掺杂SnO2超晶格的电子态密度、能带结构和光学性质。研究结果表明,Co、Mn掺杂使材料表现出金属性。共掺杂Co、Mn的3d电子和O的2p电子产生了强烈的杂化作用,杂化作用使Co和Mn原子的磁矩<3.0μB。单掺杂Co时没有杂化作用,导致每个Co原子产生的磁矩为1.56μB。两种掺杂都在低能量区1.0 eV处形成新的介电峰,Co、Mn共掺杂与Co掺杂相比在1.5 eV处形成介电峰,吸收系数和反射系数也发生了相应的变化。
- 王喆黄宝君王培吉
- 关键词：超晶格SNO2光学性质
- Fe,Mn共掺SnO_2超晶格电子结构和光学性质研究被引量：7
- 2013年
- 基于密度泛函理论的第一性原理,采用了广义梯度近似(GGA)处理交换相关势,用Wien2k软件计算了SnO2超晶格掺杂单层Mn、双层Mn及Fe、Mn共掺情况下的态密度、能带结构、光学性质。结果表明SnO2超晶格单掺Mn时,材料表现为半金属性,这是由于Mn-3d与O-2p的耦合作用,而双层Mn掺杂时仅有O-2p提供。随Mn掺杂层数的增加,其光学性质在低能级处的峰值增大,光学吸收边发生红移,材料透光性能增强。当Fe、Mn共掺时,态密度向低能方向移动,能带结构在Fermi能级附近出现自旋极化,材料表现为半金属性,这是由于Fe与Mn强烈耦合所致。材料的吸收谱、反射谱、能量损失图谱变化趋势一致,但共掺杂比单掺时各谱更向低能方向移动。
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- 关键词：态密度光学性质
- 第一原理研究Sn(O_(1-x)N_x)_2材料的光电磁性质
- 2012年
- 基于第一原理的密度泛函理论,以量子化学从头计算软件为平台研究了Sn(O_(1-x)N_x)_2材料的光电磁性能,分析了体系的态密度、能带结构、磁性、介电虚部及折射率.计算结果表明,N替代O后,随着掺杂浓度的增加,体系的带隙先减小后增大,掺杂量为12.50%时带隙最窄.由于N 2p轨道电子的贡献,在0.55—1.05 eV范围内产生了浅受主能级,价带和导带处的能级均出现了劈裂及轨道的重叠现象,Sn—O键的键强大于N—O键的键强.从磁性来看,N原子决定了磁矩的大小.从介电虚部可知,掺杂后体系的光学吸收边增宽,主跃迁峰发生红移,反射率和介电谱相对应,各峰值与电子的跃迁吸收有关.
- 张国莲逯瑶蒋雷王喆张昌文王培吉
- 社会支持视域下智障儿童家庭照顾者困境研究
- 近年来中国经济建设取得长足发展，社会繁荣稳定，人民的生活日益改善。但即使在人均生活水平大为改观的新时期，仍有部分人的生活质量维持在较低水平，智障儿童家庭照顾者作为其中较为特殊的弱势群体，也因为近期极端事件的频发而牵动着全...
- 王喆
- 关键词：智力障碍家庭照顾者
- 文献传递
- 铋氮共掺SnO2半导体材料光电性能的研究
- 二氧化锡(SnO2)材料作为一种典型的的宽禁带半导体材料，是一种重要的无机功能材料，具有金红石结构。SnO2是一种新型透明导电氧化物，它具有宽带隙(3.6eV)和高激子束缚能(130meV)使得二氧化锡基半导体材料具有发...
- 王喆
- 关键词：半导体材料光电性能
- 钒掺杂SnO_2材料的电子结构和光学性质
- 2013年
- 基于密度泛函理论采用全势线性缀加平面波方法计算V掺杂SnO2后的电子态密度、能带结构、介电函数和吸收系数。结果表明:由于V的掺入,晶胞SnO2费米能级向导带方向移动,在费米能级附近形成新的电子占据态,出现杂质能带,这是由V-3d态和O-2p态电子杂化所形成;介电谱在0～3.0 eV之间时出现3个新的介电峰,在高能区介电谱主峰位置发生蓝移,峰值强度减少;吸收谱发生展宽,吸收谱与介电谱的峰相对应。
- 李洪霞王喆王培吉
- 关键词：光学性质
