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领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 5篇电路
  • 3篇预分频器
  • 3篇宽带
  • 3篇分频
  • 3篇分频器
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  • 2篇高速宽带
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  • 2篇波形整形
  • 1篇单片
  • 1篇低功耗

机构

  • 10篇浙江大学
  • 2篇苏州通创微芯...

作者

  • 10篇隋文泉
  • 2篇瞿小峰
  • 2篇吴健
  • 2篇彭洋洋
  • 2篇王肖莹
  • 2篇董树荣
  • 2篇马方玥
  • 2篇苗萌
  • 2篇马飞
  • 2篇曾杰
  • 2篇韩雁
  • 2篇栗成智
  • 2篇郑剑锋
  • 1篇刘赛尔
  • 1篇陆科杰
  • 1篇郭文婷
  • 1篇王文礼
  • 1篇吴文光

传媒

  • 4篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种基于多级电流镜的ESD侦测箝位电路
本发明公开了一种基于多级电流镜的ESD侦测箝位电路,包括RC延时电路;RC延时电路中的电容的一端连接有第二电流镜和第三电流镜,另一端连接有第一电流镜,第二电流镜分别与第一电流镜和第三电流镜相连。本发明通过多级电流镜原理将...
郑剑锋韩雁隋文泉董树荣马飞苗萌吴健曾杰
文献传递
一种砷化镓HBT高速预分频器的设计
2010年
介绍了一种采用砷化镓HBT工艺实现的数字静态除8高速预分频器。该预分频器采用D触发器高速分频和多级供电驱动电路结构。测试结果表明,最高工作频率达到18GHz。预分频器芯片在5V的电源电压下的静态电流为85mA。
瞿小峰陆科杰栗成智隋文泉
关键词:D触发器
一种0.5μm GaAs PHEMT工艺的单刀九掷射频开关芯片被引量:6
2011年
描述一个基于0.5μm GaAs PHEMT工艺的射频开关芯片的设计实例。该开关为单刀九掷,包括GSM系统四个通信波段的两条发射通路和四条接收通路以及TD-SCDMA系统三个通信波段的三条收发通路。通过采用一种直流升压驱动电路来改善线性度,可以达到射频开关的功率容量为35 dBm,芯片的实测指标为所有通路的插入损耗不大于1.2 dB,通路之间的隔离度不小于40 dB,谐波抑制比大于66 dBc。
郭文婷王文礼王肖莹隋文泉
关键词:高隔离度高线性度高功率升压电路
高速宽带预分频器
一种高速宽带预分频器,包括核心分频单元,采用静态数字预分频器;输入缓冲极放大单元,设置在信号输入端口与核心分频单元之间,用于提高输入信号的幅度灵敏度并实现输入端口的阻抗匹配;输出缓冲极放大单元,用于对核心分频单元输出信号...
隋文泉陆科杰刘大伟栗成智瞿晓峰
文献传递
3~20GHz宽带行波低噪声放大器的设计
2012年
介绍了基于0.15μm GaAs pHEMT工艺设计的3~20GHz MMIC宽带行波低噪声放大器。在整个宽频带范围内实现了大于11.5dB的功率增益,增益平坦度1.5dB,小于4.2dB的噪声系数,以及良好的输入输出回波损耗。最大饱和输出功率达到21dBm。该4级级联行波放大器的芯片面积仅为1.5mm×1.5mm。
马方玥彭洋洋隋文泉
关键词:行波放大器宽带放大器
集总参数正交耦合器
本发明公开了一种集总参数正交耦合器,包括九个电容和四个电感,四个电感和三个电容连接成双回路,各连接点通过电容接地,构成二级感性耦合结构。本发明的集总参数正交耦合器,其占用面积小,可以在非常宽的频带内保持很好的输出幅度平衡...
马方玥刘赛尔隋文泉
文献传递
单片毫米波CMOS集成电路技术发展动态被引量:1
2009年
论述了深亚微米下CMOS集成电路在毫米波应用中的潜力,分析了单片毫米波CMOS集成电路的特点。同时,根据已有研究成果,综述了CMOS工艺在毫米波应用中的关键问题,并且通过对现有研究成果及工艺发展的分析,讨论了单片毫米波CMOS集成电路的发展趋势。
彭洋洋吴文光王肖莹隋文泉
关键词:CMOS毫米波毫米波集成电路通信
一种基于多级电流镜的ESD侦测箝位电路
本发明公开了一种基于多级电流镜的ESD侦测箝位电路,包括RC延时电路;RC延时电路中的电容的一端连接有第二电流镜和第三电流镜,另一端连接有第一电流镜,第二电流镜分别与第一电流镜和第三电流镜相连。本发明通过多级电流镜原理将...
郑剑锋韩雁隋文泉董树荣马飞苗萌吴健曾杰
文献传递
高速宽带预分频器
一种高速宽带预分频器,包括核心分频单元,采用静态数字预分频器;输入缓冲极放大单元,设置在信号输入端口与核心分频单元之间,用于提高输入信号的幅度灵敏度并实现输入端口的阻抗匹配;输出缓冲极放大单元,用于对核心分频单元输出信号...
隋文泉陆科杰刘大伟栗成智瞿晓峰
文献传递
一种0.18μm数字工艺的12bit 100MS/s流水线型ADC设计被引量:2
2010年
描述一个基于TSMC 0.18μm数字工艺的12 bit 100 Ms/s流水线模数转换器的设计实例。该模数转换器采用1.5bit每级结构,电源电压为1.8V。包括十级1.5 bit/stage和最后一级2bit Flash模数转换器,共产生22bit数字码,数字码经过数字校正电路产生12 bit的输出。该模数转换器省去了采样保持电路,电路模块包括:各个子流水级、共模电压生成模块、带隙基准电压生成模块、开关电容动态偏置模块、系统时钟生成模块、时间延迟对齐模块和数字校正电路模块。为了实现低功耗设计,在电路设计中综合采用了输入采样保持放大器消去、按比例缩小和动态偏置电路等技术。ADC实测结果,当以100 MHz的采样率对10MHz的正弦输入信号进行采样转换时,在其输出得到了73.23dB的SFDR,62.75dB的SNR,整体功耗仅为113mW。
栗成智瞿小峰隋文泉
关键词:模数转换器低功耗动态比较器
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