您的位置： 专家智库 > >

韩林森

作品数：4 被引量：8H指数：1
供职机构：中国科学院理化技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇化学工程

主题

  • 3篇氮化
  • 3篇氮化硅
  • 3篇氮化硅粉
  • 3篇氮化硅粉体
  • 3篇燃烧合成
  • 3篇硅粉
  • 3篇粉体
  • 2篇氮化合物
  • 2篇燃烧
  • 2篇燃烧方式
  • 2篇化合物
  • 2篇混合料
  • 2篇含氮
  • 2篇含氮化合物
  • 1篇氮化反应
  • 1篇氮化炉
  • 1篇气孔率
  • 1篇硅含量
  • 1篇SHS

机构

  • 4篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 4篇李江涛
  • 4篇韩林森
  • 3篇杨建辉
  • 2篇杨增朝
  • 2篇陈义祥
  • 2篇林志明
  • 2篇王福
  • 1篇杨筠
  • 1篇蔡锴
  • 1篇李永

传媒

  • 1篇硅酸盐通报

年份

  • 2篇2013
  • 2篇2012
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
一种常压氮化反应合成氮化硅粉体的方法
本发明属于氮化硅陶瓷粉体的制备技术领域，特别涉及一种常压氮化快速反应合成氮化硅粉体的方法。本发明首先制备气孔率为80～90％的泡沫坯体，泡沫坯体中反应物Si和稀释剂Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>的...
蔡锴林志明杨筠韩林森李江涛
文献传递
硅粉在中温微正压条件下氮化合成氮化硅粉体的方法
本发明属于非氧化物氮化硅陶瓷粉体的制备，涉及在中温微正压条件下，以温度场诱发硅粉燃烧方式合成氮化硅粉体的方法。本发明是以硅粉和含氮化合物为原料，按不同的组分配比配制成反应混合料，经短时间研磨混合后，将混合料装于料舟内，并...
李江涛杨建辉杨增朝韩林森王福陈义祥
利用多晶硅切割废料燃烧合成SiC基复相材料被引量：8
2012年
利用多晶硅切割废料,采用燃烧合成的方法成功制备了SiC/Si2N2O及SiC/SiAlON复相粉体材料,并以该粉体为辐射基料制备出高温红外发射涂料。研究了原料配比对产物物相组成和微观形貌的影响,讨论了掺入C粉和Al粉的燃烧反应机理。实验结果表明,当反应剂中SiC∶Si∶C=68∶56∶0(质量比)时,合成产物中的Si2N2O含量最大;当反应剂中SiC∶Si∶C∶Al=68∶53∶24∶21时,合成产物中的SiAlON含量最高,配制成的高温红外涂料的红外发射率数值最高,在2.5～23.5μm波段范围内达到了0.92。
韩林森杨建辉李永林志明李江涛
关键词：SHS
硅粉在中温微正压条件下氮化合成氮化硅粉体的方法
本发明属于非氧化物氮化硅陶瓷粉体的制备，涉及在中温微正压条件下，以温度场诱发硅粉燃烧方式合成氮化硅粉体的方法。本发明是以硅粉和含氮化合物为原料，按不同的组分配比配制成反应混合料，经短时间研磨混合后，将混合料装于料舟内，并...
李江涛杨建辉杨增朝韩林森王福陈义祥
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0