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文献类型

  • 2篇中文专利

领域

  • 1篇化学工程

主题

  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硅
  • 2篇氮化硅粉
  • 2篇氮化硅粉体
  • 2篇氮化合物
  • 2篇燃烧
  • 2篇燃烧方式
  • 2篇燃烧合成
  • 2篇化合物
  • 2篇混合料
  • 2篇硅粉
  • 2篇含氮
  • 2篇含氮化合物
  • 2篇粉体

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇杨增朝
  • 2篇陈义祥
  • 2篇李江涛
  • 2篇王福
  • 2篇韩林森
  • 2篇杨建辉

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
硅粉在中温微正压条件下氮化合成氮化硅粉体的方法
本发明属于非氧化物氮化硅陶瓷粉体的制备,涉及在中温微正压条件下,以温度场诱发硅粉燃烧方式合成氮化硅粉体的方法。本发明是以硅粉和含氮化合物为原料,按不同的组分配比配制成反应混合料,经短时间研磨混合后,将混合料装于料舟内,并...
李江涛杨建辉杨增朝韩林森王福陈义祥
硅粉在中温微正压条件下氮化合成氮化硅粉体的方法
本发明属于非氧化物氮化硅陶瓷粉体的制备,涉及在中温微正压条件下,以温度场诱发硅粉燃烧方式合成氮化硅粉体的方法。本发明是以硅粉和含氮化合物为原料,按不同的组分配比配制成反应混合料,经短时间研磨混合后,将混合料装于料舟内,并...
李江涛杨建辉杨增朝韩林森王福陈义祥
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共1页<1>
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