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李伟: 作品数：10 被引量：9H指数：2; 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目国家重点实验室开放基金更多>>; 相关领域：化学工程一般工业技术更多>>

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利用真空烧结工艺制备LSO非对称体系半透明陶瓷的方法: 本发明提供了一种利用真空烧结工艺制备硅酸镥非对称体系半透明陶瓷的方法。其特征在于LSO相的获得可以通过固相法或液相法来获得，也可以是商业的LSO粉体。采用固相法制备LSO陶瓷时，既可以先对混合后的粉体进行煅烧处理获得LS...; 寇华敏李伟姜本学石云沈毅强李江刘文斌潘裕柏冯锡琪郭景坤; 文献传递

Ce:Y_3Al_5O_(12)透明陶瓷在白光LED中的应用研究被引量：7: 2014年; 采用固相反应法、真空烧结制备了高光学质量的Ce:YAG(Ce:Y3Al5O12)透明陶瓷,在可见光区的透射率大于80%。分别研究了不同Ce3+掺杂浓度(原子数分数分别为0.1%、0.3%、0.5%、1.0%)和不同厚度(0.5、1.0、2.0 mm)的Ce:YAG陶瓷的流明效率,显色指数和色温等白光发光二极管(LED)性能,采用Ce:YAG陶瓷和商业树脂进行LED器件封装,获得了130 lm/W的光效。结果表明,Ce:YAG透明荧光陶瓷有望成为适合大功率LED器件的荧光材料。; 石云吴乐翔胡辰刘书萍李伟寇华敏曾燕萍潘裕柏冯锡淇刘茜; 关键词：CE 白光LED

氟化铈闪烁陶瓷的热压烧结制备方法及其制备的氟化铈闪烁陶瓷: 本发明涉及一种氟化铈闪烁陶瓷的热压烧结制备方法及其制备的氟化铈闪烁陶瓷，所述方法包括预压工序：在规定压力下对置于热压模具中的高纯CeF3粉体进行预压，所述高纯CeF3粉体的纯度...; 李伟寇华敏陈敏石云姜本学李江刘文斌潘裕柏冯锡琪郭景坤; 文献传递

一种用于白光LED器件的复相透明陶瓷及其制备方法: 本发明涉及一种用于白光LED器件的复相透明陶瓷及其制备方法，所述复相透明陶瓷包括：块体透明多晶陶瓷、和均匀分布于所述块体透明多晶陶瓷内部的第二相颗粒，其中所述块体透明多晶陶瓷的化学组成为(CexA<...; 石云吴乐翔李伟胡辰刘书萍寇华敏李江曾燕萍冯锡淇潘裕柏; 文献传递

中微子探测信号校准用大尺寸掺钐二氧化碲晶体的制备研究: 中微子是目前国际高能物理、核物理、天体物理以及宇宙学的共同研究热点。而中微子绝对质量的研究则对最微观的粒子物理规律和最宏观的天体物理、宇宙起源及演化都有重大意义。近年来,关于大气中中微子、太阳中微子以及加速器中微子的实验...; 朱勇葛增伟岳世海李伟吴国庆殷学技唐林耀潘裕柏

氟化铈闪烁陶瓷的热压烧结制备方法及其制备的氟化铈闪烁陶瓷: 本发明涉及一种氟化铈闪烁陶瓷的热压烧结制备方法及其制备的氟化铈闪烁陶瓷，所述方法包括预压工序：在规定压力下对置于热压模具中的高纯CeF3粉体进行预压，所述高纯CeF3粉体的纯度...; 李伟寇华敏陈敏石云姜本学李江刘文斌潘裕柏冯锡琪郭景坤; 文献传递

硅酸镥闪烁陶瓷的制备和显微结构研究: Lu2SiO5(LSO)由于具有高密度、高光产额、高光输出和快衰减等优异的闪烁特性而成为最具竞争力的闪烁材料。但是,由于硅酸镥本身熔点高(000oC)、铱坩埚价格昂贵等因素导致了LSO晶体生长成本高昂,加之LSO晶体自身...; 寇华敏李伟姜本学; 文献传递

一种用于白光LED器件的复相透明陶瓷及其制备方法: 本发明涉及一种用于白光LED器件的复相透明陶瓷及其制备方法，所述复相透明陶瓷包括：块体透明多晶陶瓷、和均匀分布于所述块体透明多晶陶瓷内部的第二相颗粒，其中所述块体透明多晶陶瓷的化学组成为(CexA<...; 石云吴乐翔李伟胡辰刘书萍寇华敏李江曾燕萍冯锡淇潘裕柏

一种平板波导结构激光陶瓷材料及其制备方法: 本发明涉及一种平板波导结构激光陶瓷材料及其制备方法，所述材料包括芯层和包覆所述芯层的上下包层，其中，芯层采用掺有激活离子Ln的RAG多晶陶瓷，其化学组成为(LnxR1-x)<S...; 葛琳李江潘裕柏周智为谢腾飞巴学巍尹瑞李伟陈敏刘秉龙寇华敏石云冯锡淇郭景坤; 文献传递

ZrSiN纳米复合膜的显微结构、力学性能和强化机理被引量：2: 2016年; 利用磁控溅射方法,采用不同成分的ZrSi复合靶,在单晶硅基底片上沉积不同Si含量的ZrSiN纳米复合膜.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和纳米压痕仪等表征测试方法研究了Si含量对ZrSiN纳米复合膜微观结构和力学性能的影响.结果表明:随着ZrSiN薄膜中Si含量的增加,薄膜结晶程度先升高后降低,同时薄膜硬度和弹性模量先上升后下降;当Si与Zr的原子比为1∶24时,ZrSiN薄膜的硬度和弹性模量达到最大值31.6GPa和320.6GPa,此时ZrSiN薄膜内部形成Si3N4界面相包裹ZrN纳米晶粒的纳米复合结构;Si3N4界面相呈结晶态协调邻近ZrN纳米晶粒间的位向差,并与ZrN纳米晶粒之间形成共格外延生长,表明ZrSiN纳米复合膜的强化来源于ZrN纳米晶粒和Si3N4界面相之间形成共格外延生长界面.; 李伟李伟刘京京; 关键词：显微结构共格力学性能