潘裕柏
- 作品数：213 被引量：545H指数：14
- 供职机构：上海师范大学数理信息学院物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：化学工程电子电信一般工业技术理学更多>>
- 一种石榴石结构的闪烁透明陶瓷体系及其制备方法
- 本发明提供了一种石榴石结构的闪烁透明陶瓷及其制备方法。主要特征是石榴石结构的含氧酸盐为基质，结构式为3mR，3nR’:(A<Sub>1-m-n-x</Sub>A’<Sub>x</Sub>)<Sub>3</Sub>(B<S...
- 石云潘裕柏冯锡淇李江寇华敏刘文斌黄莉萍郭景坤
- 文献传递
- Er:YAG多晶透明陶瓷材料制备方法
- 本发明涉及一种高透光性高浓度铒钇铝石榴石(Er:YAG)透明陶瓷材料的制备方法。其特征在于Er的掺杂浓度为30～90at.％。其制备方法分为两个过程：①按照所需的掺杂浓度称量氧化铒粉体，氧化钇粉体和氧化铝粉体，与无水乙醇...
- 周军潘裕柏张文馨王亮沈毅强寇华敏刘文斌李江郭景坤
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- 钇铝石榴石和氧化钇双晶相透明陶瓷及其制备方法
- 本发明涉及一种钇铝石榴石和氧化钇双晶相透明陶瓷及制备方法。其特征在于可在钇铝石榴石和氧化钇的质量百分含量为(60％—99.99％)、Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>(40—0.01％)范围之间制备YA...
- 刘文斌潘裕柏李江吴玉松郭景坤
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- 陶瓷连接技术进展被引量：3
- 1989年
- 一、引言目前陶瓷材料的应用范围已大大扩展,在许多高科技领域(例如航天、汽车、化工和电子等)中使用。但是鉴于陶瓷本身的特性,硬度高,缺乏韧性、难以制作大而复杂的构件以及冷加工困难,因此陶瓷材料很少单独使用,经常是同其他类型的材料组合在一起以连接体的形式来使用。众所周知。
- 潘裕柏江东亮
- 关键词：陶瓷连接技术
- 固相反应法制备高浓度掺杂Nd:YAG激光透明陶瓷及其性能被引量：15
- 2007年
- 用固相反应和真空烧结技术,成功制备了高质量的4.0%(摩尔分数)Nd:YAG透明陶瓷,并对样品的显微结构、光学透过率、光谱性能和激光性能进行了表征。结果表明:样品的平均晶粒尺寸约为10μm;样品(厚度为2.8mm)在1064nm处的透过率高达79.5%;主吸收峰位于807nm处,峰值吸收系数为13.9cm–1,激光波长1064nm处的吸收系数为0.2cm–1;主荧光发射峰位于1064nm处,荧光寿命为102μs。用激光二极管(808nm)端面泵浦Nd:YAG陶瓷样品(泵浦源最大输出功率为1000mW),获得了波长为1064nm的连续激光输出,输出功率17mW(最大泵浦吸收功率为998mW),斜率效率为6.1%,激光阈值约733mW。
- 李江吴玉松潘裕柏刘文斌安丽琼王士维郭景坤
- 关键词：激光透明陶瓷光学性能显微结构固相反应
- 一种纳米晶添加氧化铝陶瓷材料及低温液相烧结方法
- 本发明涉及一种纳米晶添加氧化铝及低温液相烧结方法。其特征是在商用亚微米级α－Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉体中添加湿化学法制备的纳米晶氧化铝α－Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Su...
- 李江潘裕柏郭景坤
- 文献传递
- 真空烧结Nd:YAG透明陶瓷的研究
- 以高纯Al2O3、Y2O3和Nd2O3粉体为原料,少量MgO和SiO2为添加剂,采用真空烧结方法制备了不同掺杂浓度的Nd:YAG(Y3Al5O12)透明陶瓷,并且对烧成的Nd:YAG陶瓷的显微结构和光学性能进行了研究.结...
- 李江邱发贵孙兴伟潘裕柏郭景坤
- 关键词：ND:YAG透明陶瓷真空烧结显微结构光学性能
- 文献传递
- 流延成型YAG/Yb:YAG/YAG多层复合陶瓷激光器
- 2014年
- 透明激光陶瓷比单晶材料在生产成本、坯体尺寸、掺杂浓度、工艺难度等方面具有明显优势，成为新型激光材料的研究热点。陶瓷激光器有望获得高功率输出，但陶瓷激光介质的热效应仍是制约输出功率的主要瓶颈。已有实验发现，
- 杨祥辉李文雪杨康文巴学巍李江潘裕柏曾和平
- 关键词：单晶材料
- 具有微波吸收功能的纤维复合材料及制备方法
- 本发明涉及具有微波吸收的功能的纤维复合材料及制备方法，其特征在于引入连续二氧化硅纤维(SiO<Sub>2f</Sub>)作为力学性能增强体和电磁波吸收介质，基体材料为SiO<Sub>2</Sub>材料或含有吸波剂的SiO...
- 陈明霞寇华敏潘裕柏郭景坤
- 文献传递
- 碳化硅陶瓷的铬金属化机理及封接
- 1990年
- 研究了碳化硅(SiC)陶瓷表面铬金属化机理及SiC-SiC和SiC-Cu的封接技术。SiC在1000—1250℃真空环境中表面铬金属化,然后利用铜基合金钎焊封接.8iC—SiC封接体的室温四点抗弯强度平均值为103MPa,最大值140MPa。 对接合界面结构的研究发现Cr扩散入SiC基体并在界面处存在着反应层Cr_3C_2,同时si逸失。在SiC与金属Cr之间形成Cr_3C_2,表明SiC的封接是可行的。
- 潘裕柏江东亮谭寿洪
- 关键词：碳化硅陶瓷铬金属化
