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潘杰

作品数:7 被引量:6H指数:1
供职机构:中国科学院电子学研究所更多>>
发文基金:国家部委资助项目国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 3篇异质结
  • 3篇异质结晶体管
  • 3篇晶体管
  • 3篇SIGE_B...
  • 2篇运算放大器
  • 2篇锁相
  • 2篇锁相环
  • 2篇全差分
  • 2篇放大器
  • 2篇比较器
  • 2篇BICMOS
  • 2篇SIGE
  • 1篇电荷泵
  • 1篇电压
  • 1篇电压源
  • 1篇有源
  • 1篇有源滤波
  • 1篇有源滤波器
  • 1篇锗硅
  • 1篇振荡器

机构

  • 5篇中国科学院电...
  • 3篇西安电子科技...
  • 2篇中国科学院研...
  • 2篇中芯国际集成...

作者

  • 7篇潘杰
  • 5篇杨海钢
  • 3篇朱樟明
  • 3篇杨银堂
  • 2篇杨立吾

传媒

  • 1篇电子与信息学...
  • 1篇电路与系统学...
  • 1篇电子器件
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学

年份

  • 3篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2006
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
用于脉冲吞咽式分频器稳定性的脉冲展宽器及方法
本发明公开了一种用于提高脉冲吞咽式分频器稳定性的脉冲展宽器及方法,涉及分频器技术。该脉冲展宽器,包括D触发器和延迟单元,接在现有分频器的反相器出口端与主计数器和吞咽计数器的LOAD使能信号端之间;脉冲展宽方法是:D触发器...
杨海钢潘杰
文献传递
一种宽带正交振荡器中子频带的精确设计方法被引量:1
2010年
设计了一个应用于3.5 GHz频段锁相环的低电压宽带正交压控振荡器。通过对开关电容阵列进行功能划分和优化设计,从而精确地将锁相环的频道点逐一映射到了振荡器的子频带中,进而消除了频道切换时子频带的选择过程时间。该芯片采用0.18μm CMOS工艺实现,测试结果表明:振荡器的频率覆盖范围从3.04~3.58 GHz,并且所有的子频带均一一准确地覆盖了目标频道点;调谐增益从86 MHz/V变化至132 MHz/V,其平均值仅比设计值高6%;最高子频带的中心频率为3.538 GHz,其偏离载波1 MHz处的相位噪声为-121.6 dBc/Hz;在1.2 V电源电压下,振荡器核心的功耗约为14 mW。
潘杰杨海钢杨立吾
关键词:锁相环宽带开关电容阵列
锁相环双通路有源滤波器
本发明公开了一种锁相环双通路有源滤波器,涉及锁相环技术,包括连接到主电荷泵的并联的电阻/电容电路,并且所述电阻/电容电路两端分别与运算放大器的反向输入端和输出端连接;以及连接到辅助电荷泵通道的第二电容,并且所述第二电容的...
杨海钢潘杰
文献传递
一种12位125MS/s的SiGe BiCMOS采样保持放大器被引量:3
2008年
提出了基于TSMC0.35μm锗硅(SiGe)BiCMOS工艺的全差分跨导运算放大器(OTA),充分利用了异质结晶体管(HBT)共射共基结构的大跨导、小寄生效应、低噪声等特性。采用共源共栅以及增益倍增技术的负载管,在3.3V单电源下,开环增益为92.2dB,单位增益频率为1.26GHz,相位裕度为61.1o(负载为550fF时),差分输出摆幅为3V,以此OTA为核心的采样保持放大器(SHA)的最大采样频率为125MHz。
潘杰杨海钢杨银堂朱樟明
关键词:锗硅异质结晶体管跨导运算放大器采样保持放大器
一种8 Bit 10 GHz SiGe BiCMOS比较器被引量:1
2006年
SiGeBiCMOS提供了性能极其优异的HBT(异质结晶体管),其ft超过70GHz,β>120,高线性,低噪声,非常适合高频领域应用。本文基于SiGeBiCMOS工艺,提出了一种高性能全差分超高速比较器,它由宽带宽前置放大器、改进的主从式锁存器组成。采用3.3V单电压源,比较时钟超过10GHz,差模信号电压输入量程为0.8V,输出差模电压为0.4V,输入失调电压约2.5mV,用于8位两步闪烁式A/D转换器。
潘杰杨银堂朱樟明
关键词:SIGEBICMOS异质结晶体管全差分比较器
CMOS差分电感和串联电感对的建模与分析被引量:1
2009年
该文分析了基于中芯国际0.18μmCMOS工艺的差分电感和串联电感对,提出了电感在射频CMOS差分电路中的应用原则。研究了串联电感对之间的串扰效应,并提出了能准确反映互感效应、衬底容性损耗效应以及线圈间容性耦合的完整串扰模型。最后,通过对一组变间距的电感对进行测量分析,验证了该模型的准确性和适用性。
潘杰杨海钢杨立吾
关键词:CMOS串扰互感
一种5位10 GHz SiGe BiCMOS比较器
2006年
SiGe BiCMOS提供了性能极其优异的异质结晶体管(HBT),其ft超过70 GHz,β>120,并具有高线性、低噪声等特点,非常适合高频领域的应用。基于SiGe BiCMOS工艺,提出了一种高性能全差分超高速比较器。该电路由宽带宽前置放大器和改进的主从式锁存器组成,采用3.3 V单电压源,比较时钟超过10 GHz,差模信号电压输入量程为0.8 V,输出差模电压0.4 V,输入失调电压约2.5 mV;工作时钟10 GHz时,用于闪烁式A/D转换器可以达到5位的精度。
潘杰朱樟明杨银堂
关键词:SIGEBICMOS异质结晶体管全差分比较器
共1页<1>
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