您的位置: 专家智库 > >

杨立吾

作品数:7 被引量:8H指数:1
供职机构:上海交通大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划上海市浦江人才计划项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇CMOS
  • 2篇电压
  • 2篇延时
  • 2篇源极
  • 2篇时钟
  • 2篇时钟树
  • 2篇漏极
  • 2篇工作电压
  • 1篇低功耗
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇电路
  • 1篇电路建模
  • 1篇调制器
  • 1篇音频
  • 1篇噪声系数
  • 1篇栅极
  • 1篇振荡器
  • 1篇正交振荡器

机构

  • 3篇上海交通大学
  • 3篇中芯国际集成...
  • 2篇中国科学院电...
  • 2篇中国科学院研...
  • 2篇中芯国际集成...
  • 1篇北京理工大学
  • 1篇浙江大学

作者

  • 7篇杨立吾
  • 2篇金威
  • 2篇刘毅超
  • 2篇杨海钢
  • 2篇何卫锋
  • 2篇毛志刚
  • 2篇黄海超
  • 2篇潘杰
  • 1篇黄小伟
  • 1篇汪辉
  • 1篇申华
  • 1篇吕昕
  • 1篇韩雁
  • 1篇马绍宇
  • 1篇徐洁晶
  • 1篇多新中

传媒

  • 1篇电子与信息学...
  • 1篇Journa...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学
  • 1篇电子设计应用

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2008
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
一种宽带正交振荡器中子频带的精确设计方法被引量:1
2010年
设计了一个应用于3.5 GHz频段锁相环的低电压宽带正交压控振荡器。通过对开关电容阵列进行功能划分和优化设计,从而精确地将锁相环的频道点逐一映射到了振荡器的子频带中,进而消除了频道切换时子频带的选择过程时间。该芯片采用0.18μm CMOS工艺实现,测试结果表明:振荡器的频率覆盖范围从3.04~3.58 GHz,并且所有的子频带均一一准确地覆盖了目标频道点;调谐增益从86 MHz/V变化至132 MHz/V,其平均值仅比设计值高6%;最高子频带的中心频率为3.538 GHz,其偏离载波1 MHz处的相位噪声为-121.6 dBc/Hz;在1.2 V电源电压下,振荡器核心的功耗约为14 mW。
潘杰杨海钢杨立吾
关键词:锁相环宽带开关电容阵列
0.13μm CMOS超宽带低噪声放大器的设计被引量:1
2008年
本文应用Cadence Virtuoso软件平台设计了一个电阻并联交流反馈式共源共栅超宽带低噪声放大器,并采用中芯国际0.13μm CMOS工艺实现了样片。测试结果给出,在供电电压为1.5V,功耗为22.5mW的情况下,芯片最大增益为13.6dB,最小噪声系数为3.6dB,带内噪声系数小于6dB,输入三阶互调截点(IIP3)为-3dBm。测试结果与仿真结果非常接近。
申华吕昕多新中杨立吾
关键词:超宽带低噪声放大器软件平台设计噪声系数仿真技术
一种高性能、低功耗音频ΣΔ调制器被引量:5
2008年
设计了一个应用于18位高端音频模数转换器(ADC)的三阶低功耗ΣΔ调制器.调制器采用2-1级联结构,通过优化调制器系数来提高其动态范围,并减小调制器输出频谱中的杂波.电路设计中采用栅源自举技术实现输入信号采样开关,有效提高了采样电路的线性度;提出一种高能效的A/AB类跨导放大器,在仅消耗0.8mA电流的情况下,达到100V/μs以上的压摆率.针对各级积分器不同的采样电容,逐级对跨导放大器进行进一步功耗优化.调制器在中芯国际0.18μm混合信号CMOS工艺中流片,芯片核心面积为1.1mm×1.0mm.测试结果表明在22.05kHz带宽内,信噪失真比和动态范围分别达到91dB和94dB.在3.3V电源电压下,调制器功耗为6.8mW,适合于高性能、低功耗音频模数转换器应用.
马绍宇韩雁黄小伟杨立吾
关键词:ΣΔ调制器低功耗
CMOS差分电感和串联电感对的建模与分析被引量:1
2009年
该文分析了基于中芯国际0.18μmCMOS工艺的差分电感和串联电感对,提出了电感在射频CMOS差分电路中的应用原则。研究了串联电感对之间的串扰效应,并提出了能准确反映互感效应、衬底容性损耗效应以及线圈间容性耦合的完整串扰模型。最后,通过对一组变间距的电感对进行测量分析,验证了该模型的准确性和适用性。
潘杰杨海钢杨立吾
关键词:CMOS串扰互感
一种用于时钟树的反相器电路
本发明公开了一种用于时钟树的反相器电路,该反相器电路包括一对串联的PMOS管与NMOS管,该PMOS管与该NMOS管的栅极相连,漏极相连,该反相器电路的输入接在该PMOS管与该NMOS管的栅极,输出接在该PMOS管与该N...
金威刘毅超黄海超张桂迪何卫锋杨立吾毛志刚
文献传递
一种用于时钟树的反相器电路
本发明公开了一种用于时钟树的反相器电路,该反相器电路包括一对串联的PMOS管与NMOS管,该PMOS管与该NMOS管的栅极相连,漏极相连,该反相器电路的输入接在该PMOS管与该NMOS管的栅极,输出接在该PMOS管与该N...
金威刘毅超黄海超张桂迪何卫锋杨立吾毛志刚
文献传递
CMOS RFIC平面螺旋差分变压器参数化等效电路建模
2008年
对现今常用的八边形CMOS RFIC平面螺旋差分变压器进行了参数化的2-π集总参数等效电路建模。所建模型包含随频率变化的各种损耗效应,各元件值均可根据工艺参数和器件几何尺寸以参数化的解析表达式得出。将电路仿真值与ADS Momentum器件仿真值进行对比,两者在DC^20 GHz谐振点前的频率范围内都得到了较好的拟合效果。在此基础上,对同样结构的巴仑也进行了建模和仿真。从仿真结果分别得出两者符合实际应用需要的频段。
徐洁晶多新中汪辉杨立吾
关键词:CMOS射频集成电路变压器
共1页<1>
聚类工具0