王琳
- 作品数：7 被引量：2H指数：1
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型
- 在综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应的基础上，通过求解泊松方程，建立了小尺寸Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型，其模型计算值与实验结果吻合。模拟分析表明，当Ge沟道长度小于200mm时，阈值电压受沟道长度、虚拟衬...
- 李志戴显英查冬王晓晨王琳付毅初宁静杨程郑若川
- 关键词：短沟道效应阈值电压
- 微米工艺实现纳米级CMOS器件方法及技术研究
- 体硅CMOS技术始终是硅微电子技术的主流,随着CMOS技术进入深亚微米乃至纳米时代,如何利用微米工艺实现纳米器件,成为Si工艺技术的研究热点。本文从以下四方面对此进行了研究。
在CMOS常用薄膜材料的生长刻蚀...
- 王琳
- 关键词：微米工艺纳米CMOS器件刻蚀超浅结
- 文献传递
- 晶圆级单轴应变SOI研究
- 将4英寸SOI片在自制的弧形弯曲台上进行机械弯曲，弯曲的硅片在250℃下退火20h，得到了单轴张应变的SOI样品。弯曲半径为0.75m的应变SOI样品的拉曼频移为520.3cm-1，相对于体硅，其拉曼频移差为-0.3cm...
- 戴显英付毅初杨程郑若川王琳张鹤鸣郝跃王宗伟宁静王晓晨查冬李志
- 关键词：集成电路弹塑性力学
- 机械致单轴应变SOI晶圆的制备被引量：2
- 2012年
- 提出了一种晶圆级单轴应变绝缘层上硅(SOI)的新方法,并阐述了其工艺原理.将直径为100mm(4英寸)的SOI晶圆片在曲率半径为0.75m的弧形弯曲台上进行机械弯曲,弯曲状态下的SOI晶圆片在250℃下进行了20h的热退火处理.对弯曲退火后SOI晶圆片进行了拉曼光谱表征,其拉曼频移为520.3cm-1,小于体硅的典型值,拉曼频移差达到-0.3cm-1,说明弯曲退火后的SOI晶圆片发生了单轴张应变.相应的应变量计算为0.077%,高于文献报道的0.059%.
- 戴显英王琳杨程郑若川张鹤鸣郝跃
- 关键词：绝缘层上硅弹塑性力学
- 表面Ge沟道pMOSFET阈值电压模型
- 2012年
- 基于MOS器件的短沟道效应和漏致势垒降低效应理论,通过求解泊松方程,建立了表面Ge沟道pMOSFET的阈值电压模型.基于该模型对表面Ge沟道MOSFET器件的沟道长度、栅氧化层厚度、衬底掺杂浓度、SiGe虚拟衬底中的Ge含量等结构参数以及漏源电压对阈值电压的影响进行了模型模拟分析.模拟结果表明,当沟道长度小于200nm时,短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压影响较大,而当沟道长度超过500nm时,短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压的影响可以忽略.模型计算结果与实验结果吻合较好.
- 戴显英李志张鹤鸣郝跃王琳查冬王晓晨付毅初
- 关键词：阈值电压模型短沟道效应
- 应变Ge价带色散模型研究
- 基于kp微扰理论，通过引入应变哈密顿微扰项，推导建立了双轴应变Ge(100)价带色散关系模型。模型适于任意晶向弛豫Si1-xGex虚衬底上的应变Ge，通过该模型可获得任意K方向应变Ge的价带结构和空穴有效质量。
- 戴显英宁静付毅初王宗伟宋建军张鹤呜郝跃王琳王晓晨查冬李志
- 关键词：半导体材料
- SiGe RPCVD流体动力学模拟
- 基于商用RPCVD设备结构参数，建立了RPCVD反应室结构模型;基于反应室模型，计算了雷诺数Re，确定了RPCVD的流体模型;采用FLUENT软件，模拟了RPCVD反应室的温度场、密度场、速度场，并确定了工艺优化参数。
- 戴显英竹毅初邵晨峰吉瑶郭静静宁静郝跃张鹤鸣王晓晨李志王琳查冬
- 关键词：计算流体动力学模拟仿真
