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杨为家

作品数：51 被引量：1H指数：1
供职机构：广西大学更多>>
发文基金：广东省重大科技专项国家自然科学基金有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 42篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 36篇衬底
  • 18篇缺陷密度
  • 17篇GAN薄膜
  • 13篇光电
  • 12篇铝酸锶
  • 11篇多量子阱
  • 11篇量子
  • 11篇钽
  • 11篇INGAN/...
  • 11篇INGAN/...
  • 10篇外延片
  • 10篇LED外延片
  • 8篇晶体
  • 8篇光电性
  • 8篇光电性能
  • 8篇ZR
  • 8篇镧
  • 7篇晶体质量
  • 7篇ALN薄膜
  • 7篇W

机构

  • 44篇华南理工大学
  • 7篇广西大学
  • 4篇五邑大学

作者

  • 51篇杨为家
  • 44篇李国强
  • 40篇王文樑
  • 33篇刘作莲
  • 31篇林云昊
  • 19篇周仕忠
  • 7篇王海燕
  • 1篇王云云
  • 1篇谢尚昇
  • 1篇林志霆
  • 1篇符跃春
  • 1篇李春林
  • 1篇李雪飞

传媒

  • 3篇半导体光电
  • 1篇半导体技术
  • 1篇真空
  • 1篇材料研究与应...

年份

  • 2篇2023
  • 2篇2021
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 6篇2017
  • 3篇2016
  • 8篇2015
  • 17篇2014
  • 8篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
共 51 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
生长在铝酸镁钪衬底上的GaN薄膜
本实用新型公开了生长在铝酸镁钪衬底上的GaN薄膜，包括依次生长在ScMgAlO<Sub>4</Sub>衬底上的GaN缓冲层，GaN形核层，GaN非晶层以及GaN薄膜。所述ScMgAlO<Sub>4</Sub>衬底以(00...
李国强王文樑朱运农杨为家
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生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱及制备方法
本发明公开了一种生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括生长在La<Sub>0.3</Sub>Sr<Sub>1.7</Sub>AlTaO<Sub>6</Sub>衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的...
李国强王文樑杨为家刘作莲林云昊
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生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜
本实用新型公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜，包括生长在La<Sub>0.3</Sub>Sr<Sub>1.7</Sub>AlTaO<Sub>6</Sub>衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN...
李国强王文樑杨为家刘作莲林云昊
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生长在r面蓝宝石衬底上的非极性LED外延片的制备方法及应用
本发明公开了生长在r面蓝宝石衬底上的非极性LED外延片的制备方法，包括以下步骤：(1)采用r面蓝宝石衬底，选取晶体取向；(2)对r面蓝宝石衬底进行表面清洁处理；(3)将步骤(2)处理后的r面蓝宝石衬底转移到脉冲激光沉积设...
李国强杨为家王文樑
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非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制法
本发明属于LED材料的技术领域，公开了非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制法。所述非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱包括LiGaO<Sub>2</Sub>衬底，生长在LiGaO<Sub>2</Sub>衬底上的...
李国强王海燕杨为家
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生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱
本实用新型公开了生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括生长在Zr衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的InGaN/GaN多量子阱；所述GaN缓冲层为在500～70...
李国强王文樑杨为家刘作莲林云昊周仕忠钱慧荣
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生长在W衬底上的LED外延片
本实用新型公开了生长在W衬底上的LED外延片，包括生长在W衬底上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜，生长在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN量子阱，生长...
李国强王文樑刘作莲杨为家林云昊周仕忠钱慧荣
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生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片及制备方法
本发明公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片，包括生长在La<Sub>0.3</Sub>Sr<Sub>1.7</Sub>AlTaO<Sub>6</Sub>衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生...
李国强王文樑杨为家刘作莲林云昊
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生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片
本实用新型公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片，包括生长在La<Sub>0.3</Sub>Sr<Sub>1.7</Sub>AlTaO<Sub>6</Sub>衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层...
李国强王文樑杨为家刘作莲林云昊
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生长在Zr衬底上的AlN薄膜
本实用新型公开了生长在Zr衬底上的AlN薄膜，由下至上依次包括Zr衬底和AlN薄膜；所述AlN薄膜为在450～550℃生长的AlN薄膜。本实用新型的AlN薄膜具有位错密度低、晶体质量好的优点，且Zr衬底容易获得，价格便宜...
李国强刘作莲王文樑杨为家林云昊周仕忠钱慧荣
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